安徽省高校省级自然科学研究项目(KJ2007B077)
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
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- 相关领域：一般工业技术电子电信更多>>
- 锗纳米线的性能与应用
- 2008年
- 重点分析讨论了锗纳米线在电学、光学、光电导等特性及其在场效应晶体管制造方面的研究应用现状与最新进展。综合分析表明,未经处理的锗纳米线表面存在一层氧化物及缺陷,与电极连接时欧姆接触性能较差,在制备锗纳米线器件以前必须对锗纳米线表面进行钝化以便沉积电极;对锗纳米线进行掺杂可以改善Ge纳米线的性能,制造出实用Ge纳米线器件。指出在一根纳米线上生长硅/锗半导体纳米线形成硅/锗半导体界面,直接用单根纳米线制造具有完整功能的电子器件是将来重要的研究方向。
- 裴立宅谭伟赵海生俞海云
- 关键词：场效应晶体管欧姆接触钝化
- 锗纳米线的制备与生长机理被引量：3
- 2007年
- 介绍了锗纳米线在制备技术、生长机理方面的研究现状与最新进展,主要对溶剂热合成法、化学气相沉积(CVD)法、模板法和激光烧蚀法等制备方法和金属催化气-液-固(VLS)生长机理、氧化物辅助生长机理等作了较为详尽的论述。
- 裴立宅赵海生
- 关键词：半导体材料纳米电子器件
- 原料对硅氧化物纳米球形成的影响
- 2008年
- 以硅、二氧化硅为硅源探讨了水热沉积条件下原料对硅氧化物纳米球形成的影响。实验表明,硅、二氧化硅的混合物在水热沉积硅氧化物纳米球时效果最好,所得纳米球直径小、分布较均匀;仅以硅为原料时所得球状结构尺寸大,直径分布范围宽;仅以二氧化硅为原料时则得不到球状结构。二氧化硅对于硅氧化物纳米球的形成起到了重要作用。
- 裴立宅
- 关键词：硅二氧化硅
- 锗纳米针状结构的制备与表征
- 2009年
- 以锗、二氧化锗为原料,铜片为沉积衬底,通过水热沉积过程制备出了锗纳米针状结构。采用扫描电子显微镜(SEM)、能量色散光谱(EDS)、透射电子显微镜(TEM)及高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等检测手段对样品进行了分析与表征。结果表明,样品具有典型的针状特征,其长度大于10μm,由单晶锗和无定形锗氧化物外层所组成。运用金属催化气-液-固和氧化物辅助生长机理,解释了锗纳米针状结构的形成与生长。
- 裴立宅赵海生谭伟
- 一维SiC纳米材料的研究现状
- 2009年
- 对SiC纳米棒、纳米线、纳米管、纳米带等一维SiC纳米材料的研究现状进行了综述,并提出了此类材料的研究方向。
- 裴立宅
- 关键词：SIC纳米棒纳米线纳米管
