您的位置: 专家智库 > >

福建省自然科学基金(2012J01016)

作品数:3 被引量:12H指数:2
相关作者:高松华高立华周克省郑玉婴吴炳南更多>>
相关机构:三明学院中南大学福州大学更多>>
发文基金:福建省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学化学工程电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇等离子体
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇电阻
  • 1篇原子力显微镜
  • 1篇射频等离子体
  • 1篇疏水
  • 1篇疏水改性
  • 1篇透过率
  • 1篇退火
  • 1篇退火处理
  • 1篇绝缘
  • 1篇绝缘子
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射功率
  • 1篇光电
  • 1篇光电性
  • 1篇光电性能
  • 1篇光电子能谱
  • 1篇硅橡胶绝缘

机构

  • 2篇三明学院
  • 1篇福州大学
  • 1篇中南大学

作者

  • 2篇高松华
  • 2篇高立华
  • 1篇周克省
  • 1篇郑玉婴
  • 1篇吴炳南

传媒

  • 1篇高分子材料科...
  • 1篇功能材料
  • 1篇中国非金属矿...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
CF_4射频等离子体对硅橡胶绝缘子表面的疏水改性被引量:6
2013年
采用CF4射频感性和容性2种耦合等离子体分别对绝缘用硅橡胶试样表面进行疏水改性。利用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)分析试样表面微观形貌和表面化学成分变化,采用静态接触角表征试样表面润湿性的变化。结果表明,2种处理工艺相比,容性耦合等离子体工艺处理后试样表面的Si-F与C-F物质的量比与表面粗糙度的增加量都大于感性耦合等离子体工艺处理试样;CF4射频等离子体对硅橡胶试样表面处理过程中,氟化、剥离和刻蚀的作用同时存在且互相竞争,致使在试样表面引入含氟基团的同时改变了试样的表面微观形貌;试样表面含氟基团的引入和表面粗糙度的增加之间的协同作用是改性后硅橡胶表面的疏水性能得到大幅提高的主要原因。
高松华周克省
关键词:硅橡胶绝缘子疏水改性原子力显微镜X射线光电子能谱
溅射功率对磁控溅射ZnO∶Al(ZAO)薄膜性能的影响被引量:4
2015年
采用射频磁控溅射工艺,以高密度氧化锌铝陶瓷靶为靶材,衬底温度控制在室温,在玻璃基底上制备了透明导电ZnO∶Al(ZAO)薄膜.利用X 射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外G可见光谱仪和范德堡法,系统研究了不同溅射功率对薄膜的结构、形貌及光电特性的影响.结果表明,不同溅射功率对薄膜的光透射率影响不大,而对薄膜结晶和电学性能影响较大.XRD表明薄膜为良好的c 轴择优取向;可见光区(400-600nm)平均透过率达到85%以上;在120W 下沉积的薄膜电学性能达到了最佳.
高立华郑玉婴
关键词:ZAO薄膜溅射功率方块电阻透过率
退火处理对P型ZnO薄膜光电性能影响的研究被引量:2
2014年
ZnO薄膜为重要的第三代半导体材料,因其优异的光电性能在微电子行业及光电方面诸多领域备受关注,ZnO薄膜的P型掺杂是实现ZnO基光电器件的关键。本文利用射频磁控溅射法通过N-Al共掺技术,在普通玻璃衬底上成功生长出P型ZnO透明导电薄膜。探讨了不同退火气氛和不同退火温度对薄膜样品光电性能的影响,研究结果表明:当氮氧比为9∶1、溅射功率为140W、在400℃真空条件下退火时成功制备出性能优越的P型ZnO薄膜,其电阻率为152Ω·cm,薄膜可见光透射率达到90%以上。
吴炳南高立华高松华
关键词:ZNO薄膜P型退火处理光电性能
共1页<1>
聚类工具0