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国家自然科学基金(10434090)

作品数：14 被引量：34H指数：4
相关作者：徐天宁吴惠桢斯剑霄夏明龙王擎雷更多>>
相关机构：浙江大学中国科学院浙江工业大学之江学院更多>>
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相关领域：理学电子电信更多>>

文献类型

  • 14篇中文期刊文章

领域

  • 8篇理学
  • 6篇电子电信

主题

  • 5篇光学
  • 4篇半导体
  • 4篇PBTE
  • 3篇透射
  • 3篇光谱
  • 3篇光学特性
  • 3篇红外
  • 3篇PB
  • 2篇带隙
  • 2篇折射率
  • 2篇散射
  • 2篇透射光
  • 2篇透射光谱
  • 2篇量子
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇MN
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶薄膜
  • 1篇导体

机构

  • 13篇浙江大学
  • 5篇中国科学院
  • 1篇上海交通大学
  • 1篇浙江师范大学
  • 1篇浙江工业大学...

作者

  • 10篇吴惠桢
  • 10篇徐天宁
  • 9篇斯剑霄
  • 5篇王擎雷
  • 5篇夏明龙
  • 3篇谢正生
  • 3篇戴宁
  • 2篇劳燕锋
  • 2篇张寒洁
  • 2篇吴海飞
  • 1篇方维政
  • 1篇孙艳
  • 1篇鲍世宁
  • 1篇廖清
  • 1篇吴惠祯
  • 1篇沈文忠
  • 1篇陆赟豪
  • 1篇李海洋
  • 1篇曹春芳
  • 1篇隋成华

传媒

  • 6篇物理学报
  • 3篇Journa...
  • 2篇无机材料学报
  • 1篇光学学报
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 3篇2009
  • 5篇2008
  • 4篇2007
  • 2篇2006
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
PbTe/CdTe量子点的光学增益被引量：6
2008年
PbTe/CdTe量子点是一类新型异系低维结构材料,实验发现具有强的室温中红外光致发光现象.为研究这一材料体系的发光特性,建立了理论模型,计算了PbTe/CdTe量子点的光学跃迁和增益.模型基于k.p包络波函数方法并考虑了PbTe能带结构的各向异性.分析了量子点光学增益与量子点尺寸、注入载流子浓度的关系.结果表明,当注入载流子浓度在(0.3—3)×1018cm-3范围时,尺寸为15—20nm的量子点可以产生大于5000cm-1的光学增益,增益峰位于400meV(3.1μm)附近.量子点尺寸的增大使得增益峰强减小,而量子点尺寸的减小又导致产生光学增益需要更高的注入载流子浓度,优化的PbTe量子点尺寸为15—20nm.
徐天宁吴惠桢斯剑霄
关键词：光学增益
MBE生长PbSe/PbSrSe量子阱结构的光致中红外发光的研究被引量：4
2009年
研究了分子束外延技术生长的PbSe/PbSrSe多量子阱结构的中红外光致荧光现象.高分辨率X射线衍射(HRXRD)谱观察到了多量子阱所特有的多级卫星峰,表明量子阱界面陡峭.变温光致荧光谱测量显示量子阱结构对电子空穴有强的限制效应,在相同温度下,量子阱样品的荧光峰峰位相对PbSe体材料有一定的蓝移.发现量子阱样品的荧光强度同温度有关,温度从150K上升到230K时,荧光强度逐渐增大,温度继续升高,荧光强度缓慢下降,但在高于室温时,仍能观察到较强的荧光发射,这说明该量子阱结构材料具有应用于室温工作的中红外光电子器件的前景.
蔡春锋吴惠桢斯剑霄孙艳戴宁
Pb_(1-x)Sr_xSe薄膜材料的微结构和光学特性
2007年
采用分子束外延的方法在BaF_2衬底(111)上制备出了高质量的Pb_(1-x)Sr_xSe(0≤x≤0.050)薄膜.X射线衍射结果表明,Pb_(1-x)Sr_xSe薄膜为立方相NaCl型晶体结构,没有观察到SrSe相分离现象,薄膜的取向为平行于衬底(111)晶面.薄膜晶格常数随Sr含量的增加逐渐增大,Sr含量由Vegard公式得到.再用理论模拟Pb_(1-x)Sr_xSe薄膜透射光谱的方法得到了相应的带隙.最后通过介电函数模型拟合得到了PbSe和Pb_(1-x)Sr_xSe薄膜在光子能量位于基本带隙附近的折射率n和吸收系数α.
王擎雷吴惠桢斯剑霄徐天宁夏明龙谢正生劳燕锋
关键词：透射光谱折射率
Pb_(1-x)Mn_xTe稀磁半导体外延薄膜的光学特性被引量：3
2007年
采用分子束外延（MBE）方法在BaF2（111）衬底上生长了不同Mn组分的Pb1-xMnxTe（0≤x≤0.012）稀磁半导体薄膜.通过波长为3.0-11.0μm中红外透射谱的分析并应用透射光谱上干涉峰峰值的位置计算获得了Pb1-xMnxTe薄膜的折射率,由最小平方根拟合得到折射率的一阶Sellmeier色散关系.在吸收边附近,通过直接跃迁吸收系数与光子能量的关系外推得到其光学带隙.结果表明,在中红外区域其折射率随着Mn含量的增加而减小,其光学带隙则随着Mn含量的增加而增大,在温度T=295K时,随着Mn含量x由0变化到0.012,其光学带隙Eg由0.320eV增加到0.370eV. 基金
夏明龙吴惠桢斯剑霄徐天宁王擎雷戴宁谢正生
关键词：红外透射谱光学带隙
分子束外延PbTe/Cd0.98Zn0.02Te异系材料的微结构特性研究被引量：2
2008年
采用分子束外延方法在Ⅱ-Ⅵ族Cd_(0.98)Zn_(0.02)Te(111)衬底上实现了异系Ⅳ-Ⅵ族半导体(PbTe)的外延生长.原子力显微镜(AFM)的表面形貌表征表明,PbTe表面形貌主要由三角形台阶线和螺旋形台阶面构成;理论计算表明,螺旋形台阶面的分布受到滑移位错弹性应变能的影响.通过高分辨透射电镜(HRTEM)观察,发现在PbTe和Cd_(0.98)Zn_(0.02)Te界面处存在Frank位错.分析表明,这些Frank位错在运动过程中会形成不同的位错组态,位错组态的相互作用是表面上形成三角形台阶线和螺旋形台阶面的主要原因.
斯剑霄吴惠桢徐天宁夏明龙王擎雷陆叶青方维政戴宁
关键词：位错运动
PbSe缓冲层表面微结构的演化及PbTe量子点的制备被引量：2
2006年
用分子束外延技术在BaF2衬底(111)晶面上生长了PbSe单晶薄膜,研究了不同Se/PbSe束流比(Rf)对薄膜表面形貌的影响.在无Se束流(Rf=0)下制备的PbSe薄膜表面呈现三维岛状结构.当Rf较小(例如0.2)时,样品表面呈现三角形孔状结构特征,孔的尺寸随Rf的增大而减小.当Rf较大(0.6)时,样品表面的三角形孔消失,出现单原子层厚度的螺旋结构.螺旋由台阶环构成,平面尺寸为1～3μm,表面台阶平均宽度为150nm,台阶间高度差为一个单原子层(1ML=0.354nm).PbSe薄膜表面微结构的演化是由于Se束流改变了薄膜中的应变弛豫方式,从而改变了薄膜的生长模式引起的.最后,我们在以螺旋结构为特征的PbSe缓冲层表面自组织生长了PbTe量子点,观察到两种高度分布的量子点.
徐天宁吴惠桢斯剑霄曹春芳邱东江戴宁
关键词：PBSEMBE量子点
PbTe薄膜表面氧化机理研究被引量：2
2008年
用分子束外延方法在BaF2(111)衬底上生长了PbTe单晶薄膜,原子力显微镜(AFM)的表面形貌表征显示PbTe表面具有单原子层的平整性,并观察到由螺位错形成的螺旋台阶面。高分辨X射线衍射(HRXRD)测量得到PbTe(111)衍射峰的线宽<100 arc sec,表明薄膜具有优良的晶体结构特性。然后将样品暴露于大气环境中3个月后,用X射线光电子谱(XPS)分析了PbTe表面的氧化机理,发现PbTe表面氧化形成了PbO和TeO2,接着将样品在超高真空中加温,同时测量样品表面的Pb、Te、O元素价态、束缚能、含量等参量随温度的变化,发现在温度达到475℃时PbTe样品表面的氧化层已除去,获得了较干净的PbTe表面,为PbTe光电器件工艺提供了实验依据。
斯剑霄王擎雷吴海飞张寒洁吴惠桢徐天宁夏明龙
关键词：化合物半导体XPS
PbTe／CdTe量子阱光学性质的研究被引量：4
2008年
PbTe/CdTe量子阱是一类新型异系低维结构材料,实验观察到具有强的室温中红外光致发光现象。建立了理论模型,计算了PbTe/CdTe量子阱的自发辐射率和光学增益。模型中量子阱分立能级的计算采用k.p包络波函数方法和有限深势阱近似,考虑了PbTe能带结构的各项异性和阱层中应变对能级的影响。计算了PbTe/CdTe量子阱自发辐射谱与带间弛豫和注入载流子浓度间的依赖关系,计算结果与实验观察到的光致发光峰相符合。自发辐射谱线峰位随着注入载流子浓度的增加而出现蓝移,当载流子浓度从2×1017cm-3增加到2.8×1018cm-3,基态发射峰从372 meV蓝移到397 meV,而第一激发态发射峰蓝移量为15 meV。上述蓝移现象是由载流子与载流子及载流子与声子间的相互作用引起的。与PbTe体材料相比,PbTe/CdTe量子阱结构具有更高的增益强度(提高近15倍)和更宽的增益区,因而该体系可能是实现室温连续工作的中红外激光器的理想材料。
徐天宁李家辉张磊吴惠桢
Crosstalk of HgCdTe LWIR n-on-p diode arrays被引量：2
2009年
Crosstalk of HgCdTe long-wavelength infrared (LWIR) n-on-p diode arrays was measured using scanning laser microscopy.During the measurement,HgCdTe diode arrays with different diode pitches were frontside illuminated by a He-Ne laser at liquid nitrogen temperature and room temperature.The experimental results show that crosstalk between the nearest neighboring diodes decreases exponentially as the diode pitch increases,and the factors that affect the obtained crosstalk are presented and analyzed.Crosstalk out of the nominal diode area (optically sensitive area) is also measured and discussed.
孙英会张波于梅芳廖清君张燕文鑫姜偑璐胡晓宁戴宁
关键词：二极管阵列长波红外激光扫描显微镜
PbSe外延薄膜空穴迁移率及其声子散射机理被引量：2
2007年
采用分子束外延技术生长了非人为掺杂的PbSe单晶薄膜,研究了薄膜中声子散射对空穴迁移率的影响.并用霍尔效应和变温电阻率测量方法分析了电学特性,得到PbSe薄膜均具有P型导电性,载流子浓度为(5～8)×1017cm-3,室温空穴迁移率为～300cm2/(V·s),随温度降低迁移率增大,77K温度下的迁移率达到3×10cm2/(V·s).通过对PbSe薄膜中的载流子散射机理的理论分析,表明在77～295K温度范围内,PbSe的长纵光学波散射是影响载流子迁移率的主要机制.同时,Raman光谱测量显示,在温度≥203K时,不仅观察到了PbSe长纵光学声子散射LO(Г),还观察到了其他光学声子的散射,这些观察到的声子散射影响了PbSe的空穴迁移率.
斯剑霄吴惠桢徐天宁曹春芳
关键词：迁移率
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