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国家重点基础研究发展计划(G2000036602): 作品数：24 被引量：66H指数：5; 相关作者：王红杰胡雄伟安俊明李健郜定山更多>>; 相关机构：中国科学院吉林大学北京化学试剂研究所更多>>; 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信更多>>

16×0.8nm硅基二氧化硅AWG性能优化被引量：1: 2004年; 　对设计的折射率差为0.75%的16×0.8nm硅基二氧化硅阵列波导光栅(AWG),围绕插损和串扰问题,采用广角有限差分束传播方法(FD BPM)进行了数值模拟和优化。通过优化在输入波导、阵列波导的喇叭口,得到了插损为1.5dB、串扰为-48dB的AWG,优化后的指标已达到商用要求。; 安俊明李健郜定山李建光王红杰胡雄伟; 关键词：阵列波导光栅波分复用数值模拟

Design,Fabrication,and Testing of Single-Side Alignment of 16×0.8nm Arrayed-Waveguide Grating: 2005年; A novel design of 100GHz-spaced 16channel arrayed-waveguide grating (AWG) based on silica-on-silicon chip is reported.AWG is achieved by adding a Y-branch to the AWG and arranging the input/output channel in a neat row,so the whole configuration can be aligned and packaged using only one fiber-array.This configuration can decrease the device’s size,enlarge the minimum radius of curvature,save time on polishing and alignment,and reduce the chip’s fabrication cost.; 李健安俊明王红杰夏君磊胡雄伟

锗掺杂二氧化硅膜的紫外光致折变被引量：2: 2005年; 研究了用火焰水解法制备的掺锗二氧化硅膜在KrF紫外激光下曝光后的结构和光学性质的变化。经过10 m in的照射后,在1550 nm处的折射率变化大约为3.41×10-3。采用原子力显微镜分析了曝光过程及膜的表面形貌。结果表明:随着曝光时间的延长,膜的致密性增加,表面粗糙度下降,折射率增大。; 张乐天王健郑杰李爱武钱颖郑伟张玉书; 关键词：材料失效与保护锗硅火焰水解法 KRF激光

火焰水解法制备硅基二氧化硅材料的析晶研究被引量：5: 2004年; 　用火焰水解法在硅基片上制备了掺杂GeO2和B2O3的SiO2光波导材料。用X射线物相衍射法(XRD)分析了掺杂和烧结工艺对材料的析晶现象的影响。结果表明,当烧结时采取自然降温,GeO2 SiO2材料由于严重析晶而完全碎裂;而当烧结后期采取快速降温,析晶过程受到很大抑制,但仍有析晶。在此GeO2 SiO2材料中掺入适量的B2O3后,得到了完全非晶态的GeO2 B2O3 SiO2材料,但B2O3掺入量过多时,又会导致析晶。; 郜定山李建光安俊明李健夏君磊王红杰胡雄伟; 关键词：二氧化硅析晶三氧化二硼

溶胶-凝胶法制备光波导薄膜及性质的研究被引量：9: 2004年; 采用有机改性硅酸盐制备了光敏性溶胶 -凝胶 ,并在凝胶中加入四丙氧基锆作为调节折射率的材料 ;用该凝胶在硅片上提拉成膜 .为了增加薄膜与硅片的粘附性 ,成膜前先用干氧热氧化法在硅片上生长了一层厚度约为 15 0 0 的二氧化硅 ;样品的原子力相片表明薄膜的表面非常平整 ,在 5× 5 μm2 的范围内最大表面起伏只有 0 .6 5 7nm 利用波导阵列掩膜版 ,对制备的薄膜在紫外光波段下曝光 ,得到了表面平坦、侧墙光滑、陡直的沟道波导阵列研究发现 :紫外曝光时间和坚膜时的后烘温度都会使薄膜的折射率增大 .通过对样品红外吸收谱的分析。; 姜永睿胡雄伟杨沁清王红杰杨澜郑金红谢二庆; 关键词：SIO2薄膜折射率红外光谱波导

在解复用模块设计中有效折射率变化的研究被引量：1: 2003年; 研究了基于SOI(silicon on insulator)材料的阵列波导光栅(AWG)分波器件,给出了此器件材料色散的数值拟合公式,进而利用BPM方法研究了材料色散脊型波导结构变化和器件制做中刻蚀深度误差对波导有效折射率和波分复用模块性能的影响。结果表明,刻蚀深度误差对模块性能优劣起关键作用。; 邱海军刘育梁李芳贺月娇田珂珂辛红丽; 关键词：阵列波导光栅有效折射率波分复用光分插复用解复用

单侧耦合16通道100GHz硅基二氧化硅阵列波导光栅的研制: 2005年; 介绍了一种新型单侧耦合16通道、100GHz通道间隔的硅基二氧化硅阵列波导光栅(AWG)。通过增加一个Y分支波导结构,将AWG的输入、输出波导等间距整齐排列,仅用一个光纤阵列(FA)就可以对AWG器件进行耦合封装。这种AWG的结构设计可有效地减小器件尺寸和增加波导结构的弯曲半径,可减少器件的抛光和耦合时间,可降低器件的成本。; 李健安俊明王红杰夏君磊郜定山胡雄伟; 关键词：阵列波导光栅

列阵波导光栅复用器及其应用: 2001年; 介绍用于波分复用的一种新型的无源器件列阵波导光栅 ,分析其工作原理 ,概述制备方法、用途和目前的发展状况 .; 邢华吴远大于永森侯韶华刘国范张玉书; 关键词：列阵波导光栅波分复用集成光学

硅基二氧化硅波导的双折射效应补偿理论分析被引量：2: 2002年; 使用有限元方法分析了硅基二氧化硅波导的两种偏振补偿方法的可行性 .结果表明采用应力释放槽和调节上包层热膨胀系数都可改善波导的偏振相关性 .采用应力释放槽可以释放波导中的由于硅衬底与二氧化硅热膨胀系数失配造成的压应力 ,可以影响芯区附近的应力分布 ,但是只有释放槽的深度达到一定值时才能改善波导的偏振相关性 ,增大槽的宽度也在一定程度改善偏振相关性 ,但效果较差 .调节波导上包层的热膨胀系数可以很好的解决波导的偏振相关问题 ,而调节波导的其它层的热膨胀系数对波导的偏振相关作用较小 .; 邓晓清杨沁清王红杰胡雄伟王启明; 关键词：双折射效应热膨胀系数

16×0.8nm硅基二氧化硅阵列波导光栅设计被引量：2: 2004年; 给出了更为合理的阵列波导光栅(AWG)的设计原则。在设计时兼顾了输出谱的非均匀性Lu和输出通道数N的要求,克服了设计中可能引起通道数N丢失和不考虑输出谱非均匀性Lu的缺点。用该方法设计了折射率差为0 75%和16×0 8nm的硅基二氧化硅AWG。采用广角有限差分束传播方法(FD BPM)对所设计的AWG进行了输出谱的模拟,得到了插损为 1.5dB、串扰为 48dB、通道非均匀性约为1dB的AWG,设计指标达到了商用要求。; 安俊明李健郜定山李建光王红杰胡雄伟; 关键词：阵列波导光栅波分复用数值模拟

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