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陕西省自然科学基金(691150)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：权乃承方晓玲刘伟晏春愉张佳雯更多>>
相关机构：陕西师范大学更多>>
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相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇退火
  • 1篇退火温度
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米晶
  • 1篇纳米晶结构
  • 1篇溅射
  • 1篇SIO
  • 1篇SIO2膜
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 1篇陕西师范大学

作者

  • 1篇孙杰
  • 1篇高斐
  • 1篇张佳雯
  • 1篇晏春愉
  • 1篇刘伟
  • 1篇方晓玲
  • 1篇权乃承

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
退火温度对镶嵌于SiO_2膜中的Ge纳米晶结构的影响被引量：1
2009年
采用磁控溅射及退火的方法制备了含Ge纳米晶的SiO2复合膜,应用拉曼散射和X射线衍射技术研究不同退火温度下的Ge纳米晶结构。结果表明:Ge纳米晶的结晶温度约为750℃。运用声子限域模型(RWL model)对样品的拉曼散射光谱进行拟合,确定出样品中Ge纳米晶的尺寸。通过XRD谱计算复合膜的内部压应力,得出由其引起的拉曼峰位的蓝移量,得出结论:压应力是造成拉曼模拟曲线与实验曲线峰位偏离的主要原因。
张佳雯高斐晏春愉孙杰权乃承刘伟方晓玲
关键词：磁控溅射退火SIO2膜
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