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国家科技重大专项(2011ZX03004-002-02)

作品数：2 被引量：2H指数：1
相关作者：秦亚杰李凌云黄杏丽秦希汪书娜更多>>
相关机构：复旦大学中国科学院更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇宽带
  • 2篇放大器
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇增益
  • 1篇增益放大
  • 1篇增益放大器
  • 1篇射频
  • 1篇迁移率
  • 1篇赝配高电子迁...
  • 1篇温度补偿
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇晶体管
  • 1篇可变增益
  • 1篇可变增益放大...
  • 1篇宽带CMOS
  • 1篇互补金属氧化...
  • 1篇功率放大
  • 1篇功率放大器
  • 1篇功率放大器设...

机构

  • 1篇复旦大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇洪志良
  • 1篇叶禹
  • 1篇孙晓玮
  • 1篇黄煜梅
  • 1篇佟瑞
  • 1篇汪书娜
  • 1篇秦希
  • 1篇黄杏丽
  • 1篇李凌云
  • 1篇秦亚杰

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
60GHz宽带功率放大器设计被引量：1
2014年
随着全球信息化社会对高速数据通信的需求不断攀升，现有的无线接入技术基本都处于百兆量级，已经无法满足未来多媒体资源大数据量的实际应用需求。其中为满足室内短距离高速无线通信千兆级以上的需求，利用60GHz频段进行通信已经成为一个重要的技术途径。利用成熟的0．15μm赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺设计了一个工作在60GHz频段的中功率宽带放大器，频率覆盖50～64GHz，增益12dB，线性输出功率14dBm，饱和输出功率16．5dBm，功率附加效率为12％。性能与65nmCMOS工艺设计芯片相当，但前期系统验证和芯片开发阶段的投入成本远低于65nmRFCMOS，适用于前期系统验证工作。
李凌云叶禹汪书娜佟瑞孙晓玮
关键词：功率放大器宽带
一种具有温度补偿的宽带CMOS可变增益放大器被引量：1
2013年
设计实现了一个具有温度补偿的宽带CMOS可变增益放大器,该可变增益放大器的核心电路由三级基于改进型Cherry-Hooper结构的可变增益单元级联而成,并通过一种温度系数增强的且可编程的偏置电路和增益控制电路对可变增益放大器的增益进行温度补偿。采用中芯国际0.13μm CMOS工艺流片,测试结果表明可变增益放大器的可变增益范围为-13～27dB,经过温度补偿后,在相同增益控制电压下其增益在0～75°C温度范围内的变化范围不超过3dB。可变增益放大器的3dB带宽为0.8～3GHz,输入1dB压缩点为-50～-21dBm,在1.2V电压下,功耗为21.6mW。
黄杏丽秦希秦亚杰黄煜梅洪志良
关键词：宽带互补金属氧化物半导体可变增益放大器温度补偿
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