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陕西省教育厅规划基金(11JK084911JS074)

作品数:6 被引量:29H指数:4
相关作者:李淑娟胡海明李言崔丹胡超更多>>
相关机构:西安理工大学更多>>
发文基金:陕西省教育厅规划基金国家自然科学基金陕西省科技攻关计划更多>>
相关领域:机械工程金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 4篇机械工程
  • 2篇金属学及工艺

主题

  • 3篇单晶
  • 3篇RSM
  • 2篇响应曲面
  • 2篇响应曲面法
  • 2篇面粗糙度
  • 2篇SIC单晶
  • 2篇表面粗糙度
  • 2篇粗糙度
  • 1篇单晶体
  • 1篇多目标优化
  • 1篇研磨
  • 1篇硬脆材料
  • 1篇塑性
  • 1篇晶体
  • 1篇机械制造
  • 1篇机械制造工艺
  • 1篇机械制造工艺...
  • 1篇仿真与试验研...
  • 1篇SIC
  • 1篇表面粗糙度预...

机构

  • 6篇西安理工大学

作者

  • 6篇李淑娟
  • 2篇李言
  • 2篇胡超
  • 2篇胡海明
  • 2篇崔丹
  • 2篇万波
  • 1篇高新勤
  • 1篇高晓春

传媒

  • 3篇机械科学与技...
  • 1篇兵工学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇兵器材料科学...

年份

  • 3篇2014
  • 3篇2013
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
基于RSM的SiC单晶片表面粗糙度预测及参数优化被引量:2
2013年
通过响应面分析法(RSM)对超声振动辅助金刚石线锯切割SiC单晶体的工艺参数进行分析和优化。采用中心组合设计实验,考察线锯速度、工件进给速度、工件转速和超声波振幅这4个因素对SiC单晶片表面粗糙度值的影响,建立了SiC单晶片表面粗糙度的响应模型,进行响应面分析,采用满意度函数(DFM)确定了切割SiC单晶体的最佳工艺参数,验证试验表明该模型能实现相应的硬脆材料切割过程的表面粗糙度预测。
万波李淑娟
关键词:表面粗糙度预测参数优化
SiC单晶片研磨过程材料去除率仿真与试验研究被引量:9
2013年
分析了SiC单晶片研磨过程的材料去除机理,采用统计方法描述了磨粒粒度的分布规律,推导出参与研磨过程的活动磨粒数量计算公式。依据SiC单晶片—磨粒和研磨盘—磨粒接触处的变形情况,建立了SiC单晶片研磨过程材料去除率(MRR)的预测模型。以该模型为基础,讨论了研磨盘硬度、压力和磨粒粒度等因素对MRR的影响,并进行了相同条件下的研磨试验。理论计算与试验结果对比分析表明:所建立的模型可以较准确地预测SiC单晶片研磨过程的MRR;为其他单晶材料研磨过程MRR的预测和控制提供了参考依据。
胡海明李淑娟高晓春李言
关键词:机械制造工艺与设备材料去除率
硬脆材料塑性区域加工研究综述被引量:7
2014年
硬脆材料具有良好的物理和力学特性,在航空航天和工业生产中得到广泛应用。但由于其高的硬度和脆性,使其加工过程变得非常困难。塑性域加工方法的提出是解决硬脆材料加工过程中产生的缺陷的一种有效方法,因此硬脆材料的塑性域和脆性域加工转换的临界条件获得广泛研究。从塑性域加工机理、塑性域加工模型、表面/亚表面损伤和塑性域加工的影响因素对国内外的研究现状进行综述,提出了硬脆材料塑性域加工未来的研究方向。
崔丹李淑娟
关键词:硬脆材料
SiC单晶片切割过程切割力的建模和预测被引量:5
2014年
SiC单晶具有良好的物理和机械性能,在大功率器件和IC行业有广泛的应用。但由于高的硬度和脆性,使其加工过程变得非常困难。切割力对SiC单晶片的切割质量、切割效率和切割过程的稳定性具有重要的影响,因此研究切割过程的切割力有重要的意义。分析了SiC单晶切割过程影响切割力的主要因素,采用中心复合设计法(CCD)进行了试验设计,考察线锯速度、工件进给速度、工件转速、线锯张紧力4个因素对切割单晶SiC切割力的影响。采用响应面分析法(response surface methodology,RSM)对金刚石线锯切割SiC单晶体的工艺参数进行分析优化,建立了单晶SiC切割力模型,并进行方差分析,表明了模型的可行性。并通过实验验证,结果表明该模型能有效的对切割过程中的切割力进行预测。
崔丹李淑娟胡超
关键词:SIC单晶RSM
基于RSM的SiC单晶片切割过程多目标优化被引量:1
2014年
SiC单晶体是一种高硬度、高脆性的难加工材料,其切割过程中的工艺参数对切割表面质量、锯切力以及线锯使用寿命有重要的影响。以线锯速度、工件进给速度和工件转速为设计因子进行三因子三水平的中心复合试验设计,采用响应曲面法对试验结果进行分析,分别建立表面粗糙度、锯切力和线锯寿命的响应面模型,获得了三个单目标优化的切割工艺参数。同时根据响应面模型,建立了表面粗糙度、锯切力和线锯寿命同时达到均衡优化的模型,根据满意度函数方法,得到最佳的切割工艺参数。多目标优化结果表明:当SiC切片表面粗糙度的预测值为0.6951μm,锯切力预测值为2.665 15 N,线锯寿命预测值为519.87 min时,获得了最佳的切割工艺参数。
李淑娟万波胡超
关键词:多目标优化
SiC单晶片研磨机理及试验被引量:6
2013年
SiC因其优良的物理机械性能而广泛应用于大功率器件以及IC领域。但其高的硬度和脆性导致其加工过程非常困难。本文分析了SiC单晶在研磨过程中的材料去除机理,讨论了塑性去除时磨粒的临界切削深度,建立了塑性条件下的材料去除模型。采用不同粒度的金刚石磨粒对SiC晶片进行研磨实验,验证了理论模型的正确性,结果表明在塑性模式下的材料去除能获得良好的表面形貌和较低粗糙度,同时对不同磨粒粒度的材料去除率进行了讨论。
李淑娟胡海明李言高新勤
关键词:SIC单晶研磨表面粗糙度
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