电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金(KFJJ201309)
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 相关作者：郭太良张典叶芸蒋亚东刘玉会更多>>
- 相关机构：福州大学电子科技大学更多>>
- 发文基金：电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学金属学及工艺更多>>
- 磁场辅助热处理金属化碳纳米管场发射性能
- 2014年
- 利用化学镀方法对多壁碳纳米管(multi-walled carbon nanotubes,MWNTs)表面金属化镀镍(MWNTs/Ni),采用丝网印刷制备MWNTs/Ni场发射阴极,并在磁场辅助下热处理所得阴极,研究磁场辅助热处理对MWNTs/Ni阴极的场发射性能的影响,经300mT磁场辅助热处理的MWNTs/Ni的场发射阴极开启场强约为0.80V·μm^(-1),场增强因子β约为16068,对单根MWNTs/Ni在磁场中的受力情况进行建模分析,实验结果表明:磁场辅助热处理有助于提高MWNTs/Ni在阴极表面的直立分布,提高了MWNTs/Ni的场发射性能。
- 叶芸陈填源郭太良蒋亚东
- 关键词：场发射磁场化学镀
- Mg掺杂ZnO纳米棒阵列的场发射性能研究被引量：2
- 2014年
- 采用水热法在硝酸锌(Zn(NO3)2·6H2O)与硝酸镁(Mg(NO3)2·6H2O)的生长液中制备了Mg掺杂的Mg/ZnO(MZO)纳米棒,其中生长液中Mg2+的物质的量浓度c(Mg2+)分别为0.05 mol/L、0.10 mol/L、0.25 mol/L和0.50 mol/L.利用场发射电子显微镜(FESEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、X射线衍射仪(XRD)、光致发光谱(PL)测试及场发射测试对所制备的MZO纳米棒的表面形貌、成分、晶体结构、光学性能及场发射性能进行了研究.结果表明:随着生长液中c(Mg2+)的增加,MZO纳米棒的直径逐渐减小、缺陷逐渐增加;且掺入的Mg含量与c(Mg2+)并不成正比关系;当生长液中的c(Mg2+)为0.10 mol/L时,所制备的MZO纳米棒的场发射性能最好,其开启场强为2.85 V/μm.
- 叶芸刘玉会张典陈丽雯郭太良蒋亚东
- 关键词：水热法场发射
- ZnO纳米棒/CNTs复合阴极的制备及其场发射性能的研究
- 2015年
- 采用水热法和喷涂法制备ZnO纳米棒/CNTs复合材料,并测试其场发射性能。首先采用水热法在ITO电极基面生长ZnO纳米棒阵列,随后通过喷涂技术在ZnO纳米棒阵列表面沉积碳纳米管(CNTs)。使用扫描电子显微镜和X-射线衍射分别表征样品的结构和形貌特征。结果表明,经喷涂沉积的CNT薄膜均匀地包裹在ZnO纳米棒尖端。对该复合材料采用二极结构测试其场发射性能,通过测试结果发现,ZnO纳米棒/CNTs复合材料可明显改善ZnO纳米棒阵列及CNT薄膜的场发射性能,该复合材料具有低开启电场强度(约0.96V/μm),高场增强因子(9881)。因此,ZnO纳米棒/CNTs复合材料是最有前景的场发射阴极材料之一。
- 孙磊吴朝兴张典刘玉会杨开宇郭太良
- 关键词：氧化锌场发射
