国家高技术研究发展计划(2003AA312020)
- 作品数：3 被引量：5H指数：1
- 相关作者：任晓敏黄辉黄永清王琦高俊华更多>>
- 相关机构：北京邮电大学中国科学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- HCl/HF/CrO_3溶液对InGaAs/InGaAsP的选择性湿法刻蚀——应用于楔形结构的制备被引量：1
- 2005年
- 利用动态掩膜湿法腐蚀技术,研究了HCl/HF/CrO3溶液对与InP衬底晶格匹配的InxGa1-xAs1-yPy(y=0,0.2,0.4,0.6)材料的腐蚀特性.对于HCl(36wt%)/HF(40wt%)/CrO3(10wt%)的体积比为x∶0.5∶1的溶液,随着x由0增加到1.25,相应的腐蚀液对In0.53Ga0.47As/In0.72Ga0.28As0.6P0.4的选择性由42.4降到1.4;通过调节腐蚀液的选择性,在In0.72Ga0.28As0.6P0.4外延层上制备出了倾角从1.35°到35.9°的各种楔形结构;当x为0.025和1.25时,相应的In0.72Ga0.28As0.6P0.4腐蚀表面的均方根粗糙度分别为1.1nm和1.6nm.还研究了溶液的组分与InxGa1-xAs1-yPy(y=0,0.2,0.4)的腐蚀速率间的关系,并对腐蚀机理进行了分析.
- 黄辉王兴妍任晓敏王琦黄永清高俊华马晓宇
- 关键词：刻蚀INGAASPINGAAS
- 新型的波长选择波导光电探测器的研究被引量：4
- 2005年
- 提出了一种新型的具有波长选择性的波导型(WG)光电探测器(PDs)与即谐振波腔选频斜镜耦合包芯波导(RICEWG)。对其工作原理进行了详细的理论分析和数值模拟,提出了优化设计方案,讨论了实现方法。结果表明,这种结构具有使量子效率与响应带宽和光谱响应线宽同时解耦的优点;可以获得<1nm的光谱响应线宽同时保持>80%的量子效率,并且可以分别优化光谱响应线宽和量子效率。
- 武鹏黄辉黄永清任晓敏
- 关键词：波导线宽光电探测器光谱响应量子效率波长选择
- 基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合
- 2005年
- 提出一种新的基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合技术.在360℃的退火温度下,获得了1.2MPa的键合强度.基于这种低温键合技术,可将外延生长在InP衬底上的In0.53Ga0.47As/InP多量子阱(MQW)键合并转移到GaAs衬底上.X射线衍射表明量子阱的结构未受键合过程的影响.光致发光谱分析表明键合后量子阱的晶体质量略有改善.电流电压特性的测试表明n-InP/n-InP的键合界面具有良好的导电特性;在n-InP/n-GaAs的键合界面存在着电荷势垒,这主要是由于键合界面存在GaAs氧化物薄层所致.
- 黄辉王兴妍王琦陈斌黄永清任晓敏孙增辉钟源高俊华马骁宇陈弘达陈良惠
- 关键词：晶片键合GAASINP硫化物
