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国家自然科学基金(50872031)

作品数:5 被引量:6H指数:2
相关作者:顾豪爽熊娟胡永明胡明哲吴雯更多>>
相关机构:湖北大学更多>>
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相关领域:一般工业技术理学电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇溅射
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇氮化铝
  • 1篇氮化铝薄膜
  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇电性能
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能带
  • 1篇电子能带结构
  • 1篇形貌
  • 1篇制备及性能
  • 1篇质量传感器
  • 1篇扫描电子显微...
  • 1篇生长习性
  • 1篇体声波
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电性
  • 1篇铁电性能

机构

  • 4篇湖北大学

作者

  • 4篇顾豪爽
  • 2篇胡永明
  • 2篇熊娟
  • 1篇黄忠兵
  • 1篇杜鹏飞
  • 1篇周迪
  • 1篇蔡亚璇
  • 1篇王钊
  • 1篇吴雯
  • 1篇胡宽
  • 1篇胡正龙
  • 1篇胡明哲
  • 1篇刘莎莉
  • 1篇杨琨

传媒

  • 2篇湖北大学学报...
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇Intern...

年份

  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2009
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
正交相铌酸钾(KNbO_3)电子能带结构以及介电和铁电性能的第一性原理研究
2011年
利用基于密度泛函(DFT)的第一性原理,计算正交相KNbO3的电子能带结构、复介电频谱图和自发极化,得到KNbO3电子能带结构、介电常数以及自发极化,同时得到Nb、O、K各原子之间的成键关系,以及它们在电子能带结构、介电常数和铁电性能中的不同作用,并从理论上分析其介电常数随频率变化以及铁电性能产生的原因.
杨琨顾豪爽黄忠兵蔡亚璇胡永明
关键词:第一性原理电子能带结构介电性能铁电性能
K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3纳米材料的表征及其水热生长习性研究
2010年
采用水热法在一定条件下合成K0.5Na0.5NbO3(KNN)纳米材料.利用XRF、XRD、SEM、Raman散射光谱和紫外/可见吸收光谱分别对材料的组分、物相、形貌、声子振动模式和光吸收等性质进行了表征.结果显示所合成的KNN材料为正交相钙钛矿结构,能隙约2.93 eV,其室温拉曼光谱与块体相比存在一定蓝移.此外,反应时间对产物形貌影响较大,阶梯状复杂形貌可能是一种聚集生长机制.
王钊胡永明刘莎莉周迪胡正龙顾豪爽
关键词:K0.5NA0.5NBO3纳米材料生长习性
Mo电极形貌对AlN薄膜择优取向生长的影响
2010年
采用射频磁控溅射方法在不同形貌的Mo电极上制备了(002)择优取向的AlN薄膜。采用XRD、FESEM表征了Mo电极及AlN薄膜的结构、表面形貌及择优取向。结果表明,Mo电极的形貌影响AlN薄膜的择优取向生长,在较高溅射气压下沉积的Mo电极晶粒细小、分布均匀,有助于AlN薄膜(002)择优取向生长。
熊娟顾豪爽胡宽
关键词:磁控溅射ALN薄膜
Influence of substrate metals on the crystal growth of AlN films被引量:4
2010年
AlN films were deposited by reactive radio frequency (RF) sputtering on various bottom electrodes,such as Al,Ti,Mo,Au/Ti,and Pt/Ti.The effects of substrate metals on the orientation of AlN thin films were investigated.The results of X-ray diffraction,atomic force microscopy,and field emission scanning electron microscopy show that the orientation of AlN films depends on the kinds of substrate metals evidently.The differences of AlN films deposited on various metal electrodes are attributed to the differences in lattice mismatch and thermal expansion coefficient between the AlN material and substrate metals.The AlN film deposited on the Pt/Ti electrode reveals highly the c-axis orientation with well-textured columnar structure.The positive role of the Pt/Ti electrode in achieving the high-quality AlN films and high-performance film bulk acoustic resonator (FBAR) may be attributed to the smaller lattice mismatch as well as the similarity of thermal expansion coefficient between the deposited AlN material and the Pt/Ti electrode substrate.
Juan Xiong Hao-shuang Gu Kuan Hu Ming-zhe Hu
关键词:氮化铝薄膜场发射扫描电子显微镜
基于倾斜AlN薄膜的体声波质量传感器的制备及性能分析被引量:2
2009年
提出通过改变溅射气压获得倾斜于C轴的AlN薄膜的制备方法,探讨了倾斜AlN薄膜的生长机理。以3对交替沉积的Ti—Mo金属层为布拉格声学反射层,采用MEMS工艺制备了基于倾斜AlN薄膜的、以剪切模式振动的体声波液体传感器,并对器件的S11参数进行测试分析,得到传感器的中心频率为0.78GHz,表明该器件在生物液相检测领域具有一定的应用前景。
熊娟顾豪爽吴雯杜鹏飞胡明哲
关键词:质量传感器磁控溅射
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