国家高技术研究发展计划(2003AA312010)
- 作品数：3 被引量：5H指数：2
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- 相关机构：中国科学院更多>>
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- 相关领域：电子电信更多>>
- 硅基键合InP-InGaAsP量子阱连续激光器的研制被引量：2
- 2007年
- 采用键合技术在Si基上制备了InP-InGaAsP量子阱激光器,实现了电注入室温连续工作.采用低温直接键合的方法,将Si衬底和InP-InGaAsP外延片键合在一起,并制成条宽6μm的脊波导边发射激光器.室温连续工作的1.55μm激光器阈值电流为48mA,对应的阈值电流密度和微分电阻分别为2.13kA/cm2和5.8Ω,在约220mA时输出光功率达15mW.
- 于丽娟赵洪泉杜云李敬黄永箴
- 关键词：直接键合
- 键合法制备硅基1.55μmInP-InGaAsP量子阱激光器被引量：1
- 2006年
- 在硅基上成功地制备出了1.55μmInPInGaAsP量子阱激光器.设计并生长了适合于键合的量子阱激光器结构材料,通过直接键合技术,将Si衬底与InPInGaAsP外延片键合到一起.剥离去掉InP衬底后,在5～6μm的薄膜上制备出20μm条形边发射激光器.室温下,阈值电流160mA(电流密度为2.7kA/cm2),功率可达10mW以上(在约350mA电流下),实现了1.55μm长波长边发射激光器与Si的集成.目前,该结果国际上还未见报道.
- 于丽娟赵洪泉杜云黄永箴
- 关键词：直接键合硅基量子阱激光器
- 界面热应力对InP/Si键合质量的影响被引量：2
- 2008年
- 通过实验和理论计算,分析了InP/Si键合过程中,界面热应力的分布情况、影响键合结果的关键应力因素及退火温度的允许范围。分析结果表明,由剪切应力和晶片弯矩决定的界面正应力是晶片中心区域大面积键合失败的主要原因,为保证良好的键合质量,InP/Si键合退火温度应该在300～350℃范围内选取。具体实验验证表明,该理论计算值与实验结果相一致。最后,在300℃退火条件下,很好地实现了2inInP/Si晶片键合,红外图像显示,界面几乎没有空洞和裂隙存在,有效键合面积超过90%。
- 刘志强王良臣于丽娟郭金霞伊晓燕王立彬陈宇马龙
- 关键词：键合退火温度
