国家自然科学基金(20771086)
- 作品数：26 被引量：60H指数：5
- 相关作者：田一光张乔王飞赵文光周永强更多>>
- 相关机构：温州大学三联学院安徽三联学院更多>>
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- 相关领域：理学电子电信机械工程化学工程更多>>
- CaLa_4Si_3O_(13):Eu^(3+)红色荧光粉制备条件优化及助熔剂作用研究被引量：3
- 2012年
- 采用高温固相法制备了CaLa4Si3O13:Eu3+红色荧光粉,研究了助熔剂总量、Li和B物质的量之比、烧成温度对发光性能的影响。以Eu3+的5 D0-7 F2发射强度为指标得出的最佳制备条件为:硼锂双助熔剂B和Li物质的量之比为1:1,总量为0.4 mol.mol-1,950℃预烧150 min,1150℃,240 min烧成。硼组分进入晶格置换硅,使晶胞参数a,c和晶胞体积V均逐渐减小,提高电/磁偶极跃迁强度比和总发光强度。助熔剂总量达到0.24 mol.mol-1后,进入基质的硼趋于饱和。硼组分起到助熔剂和基质组分置换双重作用。
- 巩仕星田一光张乔王飞王孟有陈立伟
- 关键词：荧光粉硅酸盐助熔剂
- 硼组分在BaAl_2Si_2O_8∶Eu^(2+)发光材料中的作用被引量：5
- 2011年
- 采用高温固相法在弱还原气氛下制备Ba0.955Al2-xBxSi2O8∶Eu2+(x=0~0.5)系列荧光粉,研究B3+置换Al3+对晶体结构和光谱特性的影响。B3+以类质同相替代BaAl2Si2O8晶格中的Al3+形成部分连续固溶体,随着B3+置换量的增加,晶胞参数a,b,c和晶胞体积V呈线性递减,晶面夹角β呈线性递增。荧光激发光谱位于225~400 nm的宽带谱可拟合成4个峰,表观峰值位于337 nm,半峰全宽为96 nm。荧光发射光谱位于370~600 nm,可由423 nm和457 nm两峰拟合而成,表观峰值位于437 nm,两拟合峰峰位均随着B3+置换量的增加呈线性蓝移。
- 王飞田一光张乔赵文光
- 关键词：硅酸盐
- 白光LED用Sr_(0.955)Al_2Si_(2-x)Ti_xO_8∶Eu^(2+)荧光粉的晶体结构和光谱特性被引量：6
- 2014年
- 由高温固相反应制得Sr0.955Al2Si2-xTixO8∶Eu2+(x=0~1.0)系列试样,研究了Ti4+置换Si4+对其晶体结构和光谱特性的影响。Ti4+以类质同相替代Si4+进入基质晶格中,形成了连续固溶体,其晶胞参数a,b,c,β和晶胞体积V随Ti4+置换量呈线性递增。Ti4+置换Si4+对晶胞参数c的影响显著,b其次,a最小。荧光激发谱为宽带,位于230~400nm,由267nm、305nm、350nm和375nm4个峰拟合成,表观峰值位于351nm;随着Ti4+置换量的增加,半高宽(FWHM)从105nm减小到93nm。发射光谱位于380~600nm,表观峰值位于407nm,可由406nm和441nm两峰拟合而成并且随Ti4+置换量增加线性红移,Ti4+进入晶格对长波长发射中心影响较少;Ti4+置换量为1.0时,表观发射峰位从407nm红移至417nm;利用试样荧光光谱和VanUitert经验公式,得出SrAl2Si2O8∶Eu2+中Sr2+的配位数为9。随着Ti4+置换量Si4+进入基质晶格,造成Eu-O距离变小,使得Eu2+所处的晶体场强度增强,发光中心Eu2+的5d能级分裂增大,造成Eu2+最低发射能级重心下移,两拟合谱峰峰位均呈线性红移。
- 王飞田一光张乔
- 关键词：荧光粉晶体结构光谱特性EU^2+
- 白光LED用荧光粉SrAl_2Si_2O_8∶Eu^(2+)合成条件优化研究被引量：2
- 2017年
- Sr_(0.975)Al_2Si_2O_8∶Eu_(0.025)^(2+)系列荧光粉利用高温固相法合成,系统研究了预烧温度、预烧时间、烧成温度和助溶剂硼酸的量对荧光体晶体结构和发光性能的影响;研究结果表明,各试样均为单斜晶系SrAl_2Si_2O_8,荧光体的X射线衍射强度、荧光体的晶粒尺寸及荧光体的发射强度,均随着预烧温度、预烧时间、烧成温度和助溶剂硼酸量的增加,呈先增加后减小的变化趋势。当预烧温度为1000℃,预烧时间为150 min,烧成温度为1250℃,助溶剂硼酸的量为6wt%,制得的荧光体Sr_(0.975)Al_2Si_2O_8∶Eu_(0.025)^(2+)的发光强度最强,优化了合成条件。
- 王飞田一光田一光
- 关键词：LED
- Ba_(0.955)Al_2Si_(2-x)Ti_xO_8∶Eu^(2+)荧光粉晶体结构和光谱特性被引量：2
- 2014年
- 由高温固相反应制得Ba0.955Al2Si2-xTixO8∶Eu2+(x=0~1.0)系列试样,通过XRD和荧光光谱测试,研究各试样的晶体结构和光谱特性。XRD分析结果表明,当Ti4+置换Si4+的量逐渐增至1.0时,各试样均为单斜晶系,空间群为C2/m(12),其晶胞参数a,b,c,β和晶胞体积V呈线性递增,其中晶胞参数c变化幅度最大,a最小,试样的晶粒尺寸略微减小。荧光光谱分析结果表明,试样的荧光激发谱为宽带,位于230~400 nm,可264 nm、303 nm、341nm和367 nm四个峰拟合成,表观峰值位于340 nm;试样的发射光谱为370~600 nm一宽带不对称峰,峰值为434nm,可拟合成419 nm和453 nm两峰,两拟合峰峰位随Ti4+置换量增加线性红移;利用试样荧光光谱和Van Uitert经验公式,得出Ba Al2Si2O8∶Eu2+中Ba2+的配位数为9。
- 王飞田一光张乔
- 关键词：荧光粉晶体结构光谱特性
- Ge^(4+)对CaAl_2Si_2O_8∶Eu^(2+)晶体结构和光谱特性的影响被引量：3
- 2013年
- 采用高温固相法在弱还原气氛下制备了Ca0.955Al2Si2-xGexO8∶Eu2+(x=0～1.0)系列荧光粉,研究了Ge4+置换Si4+对其晶体结构和光谱特性的影响。Ge4+以类质同相替代CaAl2Si2O8晶格中的Si4+形成连续固溶体,晶胞参数a,b,c,γ和晶胞体积V随Ge4+置换量呈线性递增;而晶面夹角α和β随Ge4+置换量的增加呈线性递减。荧光激发谱为宽带,位于230 nm～420 nm,可拟合成四个峰,表观峰值位于351 nm;随着Ge4+置换量的增加,半高宽从114 nm减小到96 nm。发射光谱位于375 nm～600 nm,可由422 nm和458 nm两峰拟合而成,表观峰值位于426 nm;随着Ge4+置换量Si4+进入基质晶格,造成Eu-O距离变小,发光中心Eu2+所处晶体场增强,5d轨道能级分裂变大,最低发射能级下移,两拟合峰均线性红移。
- 王飞田一光张乔
- 关键词：钙长石
- Sr0.955Al2-xBxSi2O8∶0.025Eu2+荧光粉的制备、晶体结构及发光性能（英文）被引量：1
- 2019年
- 通过高温固相反应在弱还原气氛下制备了Sr0.955Al2-xBxSi2O8∶0.025Eu^2+(x=0~0.9)一系列荧光粉,研究了B(Ⅲ)取代基质晶格中的Al(Ⅲ)对荧光粉晶体结构和Eu^2+发光性能的影响。B(Ⅲ)以类质同相取代基质晶格中Al(Ⅲ),形成了连续固溶体。随着B(Ⅲ)取代量的增加,荧光粉的晶胞参数(a、b、c)和晶胞体积(V)呈线性递减,而晶胞参数(β)呈线性递增。荧光粉的激发光谱为位于225~400nm的宽峰,表观峰值位于350nm,激发峰的半高宽(FWHM)随着B(Ⅲ)取代量的增加,从90nm减小到102nm。发射光谱位于370~600nm的宽峰,可拟合为409和447nm两个峰,表观峰值位于409nm。随着B(Ⅲ)取代量的增加,2个拟合峰位均出现蓝移且2个峰强度比呈线性递减。根据试样荧光光谱,通过VanUitert经验公式计算得出SrAl2Si2O8∶Eu^2+中Sr^2+的配位数为9。随着B(Ⅲ)取代Al(Ⅲ)进入基质晶格,造成发光中心Eu与配体O距离增加,使得Eu^2+所处的晶体场强度减小,发光中心Eu^2+的5d能级分裂减小,造成Eu^2+最低发射能级重心上移,2个拟合谱峰峰位均呈线性蓝移。
- 王飞田一光田一光
- 关键词：荧光粉晶体结构光谱特性
- 单一基质白光荧光粉Ca_(0.955-x)Al_2Si_2O_8∶0.045Eu^(2+),xMn^(2+)的晶胞参数变化和光谱特性被引量：1
- 2019年
- 利用高温固相反应制备了Ca_(0.955-x)Al_2Si_2O_8∶0.045Eu^(2+),xMn^(2+)(x=0,0.05,0.10,0.15,0.20,0.25,0.30,0.325,0.35,0.375,0.40,0.425)一系列试样,系统研究了Mn^(2+)取代基质中Ca^(2+)进入晶格中对其晶胞参数和光谱特性影响。Mn^(2+)以类质同相替代Ca^(2+)进入晶体晶格中,形成了连续固溶体,试样均为三斜晶系,P空间群。随着Mn^(2+)掺杂量增加,晶胞参数(a,b,c,γ)和晶胞体积V均呈线性递减,且a轴减幅最大,b轴最小,晶面夹角(α,β)呈线性递增。在357 nm激发下,获得的Ca_(0.955-x)Al_2Si_2O_8∶0.045Eu^(2+),xMn^(2+)发射光谱均有Eu^(2+)的4f→5d跃迁产生的433 nm和Mn^(2+)的~4T_1(~4G)→~6A_1(~6S)跃迁产生的567 nm两个宽带谱组成。在荧光粉Ca_(0.955-x)Al_2Si_2O_8∶0.045Eu^(2+),xMn^(2+)中,Eu^(2+)与Mn^(2+)间存在能量传递,Eu^(2+)→Mn^(2+)间能量传递的临界距离R_(Eu-Mn)=0.947 1 nm,Eu^(2+)→Mn^(2+)能量传递过程为电四极-电四极的多极矩相互作用。通过改变Mn^(2+)掺杂量,在紫外芯片的有效激发下,荧光粉的发射光颜色可从蓝光区(0.158 2,0.086 0)逐渐移至近白光区(0.295 3,0.298 9),可获得一种紫外激发适用于白光LED的单一组分白色荧光粉。
- 王飞田一光田一光
- 关键词：晶胞参数光谱特性
- Ga^(3+)对Eu^(2+)掺杂钡长石结构和发光特性的影响被引量：1
- 2010年
- 在弱还原气氛下采用高温固相法制备Ba0.955A l2-xGaxS i2O8:Eu2+(x=0~1.0)系列荧光粉,研究Ga3+置换A l3+对晶体结构和光谱特性的影响。Ga3+与A l3+以类质同相替代进入BaA l2S i2O8晶格形成连续固溶体,晶胞参数a,b,c,β和晶胞体积V均随Ga3+置换量呈线性增加。宽带激发光谱,覆盖范围为230~400 nm,可拟合成4个峰,表观峰值位于330 nm,基本不随Ga3+置换量变化;随着Ga3+置换量的增加,半高宽从93 nm减小至83 nm。发射光谱位于375~560 nm,可由422和456 nm两峰拟合而成,表观峰值位于434 nm,两拟合峰峰位均随Ga3+置换量呈线性红移,且拟合峰强度比呈线性递减。
- 王飞田一光张乔赵文光
- 关键词：发光钡长石
- 白光LED用Ca_(0.955)Al_2Si_(2-x)Ti_xO_8:Eu^(2+)荧光粉的晶体结构和光谱特性研究
- 2013年
- 通过高温固相法在弱还原气氛下合成Ca0.955Al2Si2-xTixO8∶Eu2+(x=0～1.0)系列试样荧光粉,系统研究了Ti4+置换Si4+对其晶体结构和光谱特性的影响。Ti4+以类质同相替代CaAl2Si2O8晶格中的Si4+形成连续固溶体,随着Ti4+置换量的增加,晶胞参数a,b,c,γ和晶胞体积V都呈线性递增,晶面夹角α和β均呈线性递减。Ti4+置换Si4+对晶胞参数c的影响最显著,b其次,a最小。荧光激发谱为宽带,位于225～400 nm,可由280,322,353和382 nm 4个峰拟合而成,表观峰值位于351 nm;随着Ti4+置换量的增加,半高宽从115 nm减小到91 nm。发射光谱位于375～600 nm,表观峰值位于426 nm,可由428和458 nm两峰拟合而成并且随Ti4+置换量增加线性红移,Ti4+进入晶格对较长波长发射中心影响较大;Ti4+置换量为1.0 mol时,表观发射峰位从426 nm线性红移至430 nm,半高宽由66 nm增加至80 nm。随着Ti4+置换量Si4+进入基质晶格,造成Eu-O距离变小,使得Eu2+所处的晶体场强度增强,发光中心Eu2+的5d能级分裂增大,造成Eu2+最低发射能级重心下移,两拟合谱峰峰位均呈线性红移。
- 王飞田一光张乔
- 关键词：钙长石
