您的位置: 专家智库 > >

国家自然科学基金(19835030)

作品数:23 被引量:168H指数:8
相关作者:马腾才詹如娟梅显秀张家良王友年更多>>
相关机构:大连理工大学中国科学技术大学复旦大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金教育部跨世纪优秀人才培养计划高等学校骨干教师资助计划更多>>
相关领域:理学电子电信核科学技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 23篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 20篇理学
  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇核科学技术

主题

  • 8篇等离子体
  • 7篇金刚石薄膜
  • 7篇类金刚石
  • 6篇类金刚石薄膜
  • 4篇强流脉冲
  • 4篇强流脉冲离子...
  • 3篇鞘层
  • 2篇等离子
  • 2篇等离子体密度
  • 2篇等离子体源
  • 2篇电子温度
  • 2篇动力学
  • 2篇直流辉光
  • 2篇直流辉光放电
  • 2篇金刚石膜
  • 2篇类金刚石膜
  • 2篇辉光
  • 2篇辉光放电
  • 2篇计算机
  • 2篇计算机模拟

机构

  • 15篇大连理工大学
  • 3篇中国科学技术...
  • 2篇复旦大学
  • 2篇三束材料改性...
  • 1篇西北核技术研...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院等...

作者

  • 16篇马腾才
  • 5篇梅显秀
  • 4篇詹如娟
  • 4篇张家良
  • 3篇王友年
  • 2篇张庆瑜
  • 2篇周海洋
  • 2篇刘莉莹
  • 2篇潘正瑛
  • 2篇汤家镛
  • 2篇朱晓东
  • 2篇邓新绿
  • 2篇徐军
  • 1篇董闯
  • 1篇徐卫平
  • 1篇戴忠玲
  • 1篇温小辉
  • 1篇黄卫东
  • 1篇温晓辉
  • 1篇沈克明

传媒

  • 8篇物理学报
  • 3篇大连理工大学...
  • 3篇真空科学与技...
  • 3篇Plasma...
  • 2篇光谱学与光谱...
  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇中国科学(A...
  • 1篇核聚变与等离...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇TFC’03...

年份

  • 4篇2004
  • 7篇2003
  • 4篇2002
  • 4篇2001
  • 5篇2000
23 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
等离子体化学气相沉积金刚石膜过程中光发射谱和朗谬尔探针原位诊断被引量:4
2001年
报道了利用光发射谱 (OES)和朗谬尔探针对热阴极直流放电等离子体化学气相沉积金刚石薄膜的等离子体条件进行原位研究的部分结果 ,研究了几种过程参数变化中等离子体状态 ,并与金刚石膜的沉积相联系。当CH4 浓度变化时 ,CH基团的发射强度和电子密度ne 的变化表现出相似趋势 ,均出现一极大值。而在高CH4 浓度 ,C2 的发射出现。在气压变化过程中 ,CH的发射强度和ne 均随气压的升高而下降 ,C2 的发射强度变化不大。用OES和朗谬尔探针测量的电子温度Te 所显示的结果是一致的。在这些过程中 ,电子碰撞应该是CH发射的主要机制 ,C2
朱晓东温晓辉周海洋詹如娟
关键词:电子温度电子密度金刚石薄膜等离子体化学气相沉积
Synthesis and Characteristics of Diamond-like Carbon Films Deposited on Quartz Substrate被引量:2
2004年
Diamond-like carbon (DLC) films are deposited on quartz substrate using pure CH4 in the surface wave plasma equipment. A direct current negative bias up to -90 V is applied to the substrate to investigate the bias effect on the film characteristics. Deposited films are characterized by Raman spectroscopy, infrared (IR) and ultraviolet-visible absorption techniques. There are two broad Raman peaks around 1340 cm-1 and 1600 cm-1 and the first one has a greater sp3 component with an increased bias. Infrared spectroscopy has three sp3 C-H modes at 2852 cm-1, 2926 cm-1 and 2962 cm-1, respectively and also shows an intensity increase with the negative bias. Optical band gap is calculated from the ultraviolet-visible absorption spectroscopy and the increased values with negative bias and deposition time are obtained. After a thermal anneal at about 500℃ for an hour to the film deposited under the bias of-90 V, we get an almost unchanged Raman spectrum and a peak intensity-reduced IR signal, which indicates a reduced H-content in the film. Meanwhile the optical band gap changed from 0.85 eV to 1.5 eV.
黄卫东丁鼎詹如娟
线型分子的电子能级之Λ分裂的新解释
2002年
认为电子态能级发生Λ分裂虽然是角动量引起的 ,但不是耦合而是运动牵连作用的结果 .从这一认识出发 ,利用欧拉方程和拉格朗日方程分别得到了包含Λ分裂的分子转动哈密顿函数和哈密顿算符 ,所得结果与Van .
张家良刘莉莹马腾才
关键词:欧拉方程量子力学电子能级
粒子流特性对脉冲激光烧蚀淀积类金刚石薄膜的影响被引量:6
2000年
采用两种不同脉宽 ( 30ns,5 0 0fs)的KrF准分子激光淀积类金刚石薄膜 ,通过等离子体发射光谱和离子探针的测量 ,研究了激光等离子体成分、平均离子能量和通量等随激光能量密度、淀积距离的变化 ,对两种脉宽的激光等离子体淀积的薄膜结构和性能进行了比较 。
姚东升刘晶儒俞昌旋王丽戈詹如娟
关键词:类金刚石膜
双放电腔微波-ECR等离子体源增强磁控溅射沉积技术被引量:20
2001年
因其设备简单、沉积速率高等特点 ,磁控溅射沉积技术被广泛地用于各种薄膜制备中 .但用反应磁控溅射制备化合物薄膜如氧化物、氮化物膜时 ,为了得到化学配比的膜层 ,薄膜生长表面的反应激活基团、离子等的密度必须足够大 .为此对原有的微波 -ECR等离子体源进行了改造 .研究了双放电腔微波 -ECR等离子体源增强磁控溅射的放电特性 ,并用该方法制备了氮化碳膜 .结果表明 :该方法是一种有效的制备化合物薄膜的技术 ;用该方法制备的氮化碳膜 。
徐军邓新绿张家良陆文棋马腾才
关键词:磁控溅射放电特性等离子体源
表面波等离子体沉积类金刚石膜结构的Raman光谱和XPS分析被引量:20
2003年
本文使用Raman光谱和X 射线光电子能谱 (XPS)的分析方法对表面波等离子体沉积的类金刚石(DLC)薄膜的结构进行了研究。采用 4峰的高斯解谱的方法对不同沉积时间的膜的Raman谱进行处理 ,并由此对膜中sp3键的百分含量PD 进行了定量计算 ;同时还采用 3峰的高斯解谱方法对不同沉积时间的膜的光电子能谱进行处理 ,也对膜中sp3键的百分含量进行了计算。两种方法均得到膜中sp3含量在 2 0 %~ 4 0 %之间 ,且随沉积时间的增加而增加。
黄卫东詹如娟
关键词:类金刚石膜XPS类金刚石RAMAN光谱
Waveguide-surfatron型表面波等离子体源的特性研究被引量:4
2001年
报道了所研制的Waveguide surfatron型表面波等离子体源的特性 ,理论计算表明 ,激发表面波模式为m≥l模 ,在放电室中电磁场均匀性与等离子体的密度有关。实验结果指出 ,采用Ar气放电 ,在气压为 10~ 10 0 0Pa ,微波功率 80 0~ 10 0 0W的范围内可形成大面 (体 )积 (直径为 16 0mm)等离子体 ,其电子温度为 1~ 4eV ,等离子体密度为 10 10 ~ 10 11cm-3 量级 ,实测的等离子体密度与理论计算值基本吻合。
詹如娟吴丛凤温小辉朱晓东周海洋
关键词:等离子体源等离子体密度
射频偏置ECR-PECVD等离子体参数测量被引量:8
2004年
利用双探针对ECR PECVD装置中基片在射频偏置下的等离子体参数进行了测量。同时测量了在射频偏置下微波功率、磁场电流、进气量等参数对ECR PECVD等离子体参数的影响。结果表明,在ECR PECVD等离子体装置中,基片射频偏置对电子温度有影响,而等离子体密度主要由微波功率所决定。
许沭华任兆杏沈克明
关键词:ECR-PECVD电子温度等离子体密度微波功率
基片温度对强流脉冲离子束烧蚀等离子体沉积类金刚石薄膜结构和性能的影响被引量:3
2003年
利用强流脉冲离子束 (High intensitypulsedionbeam HIPIB)烧蚀等离子体技术在Si(1 0 0 )基体上沉积类金刚石 (Dia mond likecarbon DLC)薄膜 ,基片温度的变化范围从 2 5℃ (室温 )到 40 0℃。利用Raman谱、X射线光电子谱 (XPS)、X射线衍射(XRD)和原子力显微镜 (AFM)研究基片温度对DLC薄膜的化学结合状态、表面粗糙度、薄膜显微硬度和薄膜内应力的影响。根据XPS和Raman谱分析得出 ,基片温度低于 30 0℃时 ,sp3C杂化键的含量大约在 40 %左右 ;从 30 0℃开始发生sp3C向sp2 C的石墨化转变。随着沉积薄膜时基片温度的提高 ,DLC薄膜中sp3C的含量降低 ,由 2 5℃时 42 .5 %降到 40 0℃时 8.1 % ,XRD和AFM分析得出 ,随着基片温度的增加 ,DLC薄膜的表面粗糙度增大 ,薄膜的纳米显微硬度降低 ,摩擦系数提高 ,内应力降低。基片温度为 1 0 0℃时沉积的DLC薄膜的综合性能最好 ,纳米显微硬度 2 2GPa ,表面粗糙度为 0 75nm ,摩擦系数为 0 .1 1 0。
梅显秀刘振民马腾才
关键词:类金刚石薄膜基片温度
衬底温度对强流脉冲离子束烧蚀沉积类金刚石薄膜化学结构的影响被引量:4
2003年
采用强流脉冲离子束 (High-intensity pulsed ion beam,HIPIB)烧蚀技术在 Si(1 0 0 )基体上沉积类金刚石 (Diamond-like carbon,DLC)薄膜 ,衬底温度的变化范围为 2 98~ 6 73K.利用 Raman光谱和 X射线光电子谱 (XPS)对 DLC薄膜的化学结合状态与衬底温度之间关系进行研究 .薄膜 XPS的 C1 s谱的解谱分析得出薄膜中含有 sp3 C(结合能为 2 85 .5 e V)和 sp2 C(结合能为 2 84 .7e V)成分 ,根据解谱结果评价薄膜中 sp3 C含量 .根据 XPS分析可知 ,衬底温度低于 4 73K时 ,sp3 C的含量大约为 4 0 %左右 ;随着沉积薄膜时衬底温度的提高 ,sp3 C的含量降低 ,由 2 98K时的 4 2 .5 %降到 6 73K时的 8.1 % ,从 5 73K开始发生 sp3 C向 sp2 C转变 .Raman光谱表明 ,随着衬底温度的提高 ,Raman谱中 G峰的峰位靠近石墨峰位 ,G峰的半峰宽降低 ,D峰与G峰的强度比 ID/IG 增大 ,说明薄膜中的 sp3 C的含量随衬底温度增加而减少 .
梅显秀马腾才
关键词:衬底温度类金刚石薄膜化学结构
共3页<123>
聚类工具0