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国家自然科学基金(61290302)

作品数:4 被引量:5H指数:1
相关作者:丁瑞军陈建新何力黄爱波郝立超更多>>
相关机构:中国科学院中国科学院大学工业和信息化部更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 4篇红外
  • 2篇电路
  • 2篇读出电路
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇长波
  • 2篇长波红外
  • 1篇英文
  • 1篇中红外
  • 1篇入级
  • 1篇自加热
  • 1篇自加热效应
  • 1篇碲镉汞
  • 1篇记忆功能
  • 1篇焦平面
  • 1篇共享
  • 1篇共享型
  • 1篇红外焦平面
  • 1篇BDI
  • 1篇INAS

机构

  • 4篇中国科学院
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇上海科技大学
  • 1篇工业和信息化...

作者

  • 3篇丁瑞军
  • 2篇何力
  • 2篇李辉
  • 2篇陈建新
  • 2篇陈洪雷
  • 2篇郝立超
  • 2篇黄爱波
  • 1篇傅祥良
  • 1篇沈川
  • 1篇叶振华
  • 1篇胡晓宁
  • 1篇林春
  • 1篇徐志成
  • 1篇余成章
  • 1篇陈路
  • 1篇王伟强

传媒

  • 2篇红外与激光工...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇中国科学:物...

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2015
  • 2篇2014
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
InAs基中红外带间级联激光器中的自加热效应(英文)
2019年
制备并测试了 II 型中红外带间级联激光器制备的器件在脉冲和连续工作模式下最高工作温度分别为275K和226K.80K下器件激射波长为3.8μm左右阈值电流密度约17A/cm2.对器件在连续工作模式下的自加热效应进行了分析并利用有限元方法模拟了器件连续工作时的温度分布图.分析和模拟结果均表明自加热效应是限制器件连续工作温度的重要因素.提高散热性能将是进一步提升器件工作温度的有效手段.
余成章徐志成徐志成陈建新
关键词:中红外分子束外延
具有记忆功能背景抑制结构的共享型读出电路被引量:1
2015年
甚长波红外(VLWIR)波段富含大气湿度、CO_2含量及云层结构和温度轮廓等大量信息,是大气遥感的重要组成部分。为了满足现阶段甚长波红外探测器对读出电路高注入效率、大动态范围、稳定的探测器偏压、长积分时间等需求,设计了一种具有记忆功能背景抑制结构的共享型读出电路。该电路采用2×2四个相邻的探测器像元共用一个读出电路单元的共享缓冲直接注入级(SBDI)结构,增大了单元电路的面积,在单元内实现了具有记忆功能背景抑制结构的设计,其总积分电容达到8.8 p F,有效延长了积分时间和红外焦平面的信噪比(SNR),并改善了动态范围和对比度。基于HHNEC CZ6H 0.35μm 1P4M标准CMOS工艺,完成了电路的流片制造。仿真及测试结果表明:在50 K温度下电路功能正常,其动态范围大于90 d B,线性度优于99.9%,积分时间可达74μs,达到了设计要求。该读出电路适用于甚长波红外探测器。
郝立超陈洪雷李辉陈义强赖灿雄黄爱波丁瑞军
关键词:读出电路
面向HgCdTe红外焦平面探测器应用的分子束外延材料研究进展被引量:3
2014年
报道了针对第三代碲镉汞红外焦平面的应用需求进行的碲镉汞分子束外延研究进展.面向大规模HgCdTe红外焦平面探测器的应用,开展了大面积替代衬底上的分子束外延技术研究,报道了在大面积替代衬底上的碲镉汞分子束外延材料的晶体质量、表面形貌和组份均匀性的改善方法和研究结果.512×512及以上规模的中波、短波碲镉汞面阵器件制备验证表明Si基碲镉汞材料满足应用需求.围绕甚长波红外焦平面探测器及雪崩红外焦平面探测器的研制需要,开展了低缺陷的ZnCdTe基碲镉汞分子束外延研究.外延获得的HgCdTe外延材料均匀性得到明显提高.经过外延条件的优化,厚度为10μm的HgCdTe/ZnCdTe(组分x=0.22)分子束外延材料位错密度最好结果为3×104 cm-2,双晶半峰宽小于25弧秒.
陈路傅祥良王伟强沈川胡晓宁叶振华林春丁瑞军陈建新何力
关键词:红外焦平面碲镉汞分子束外延
BDI型甚长波IRFPA读出电路研究与设计被引量:1
2014年
针对甚长波红外(VLWIR)探测器动态结阻抗过低、暗电流较大,且工作在高背景环境下等特点,设计了一种具有记忆功能背景抑制的32×32甚长波红外焦平面(IRFPA)读出电路。该电路采用基于高增益负反馈运放的缓冲直接注入级(BDI)结构作为输入级,大幅降低了输入阻抗,提高了注入效率,并使探测器处于稳定偏压状态。同时,该电路采用具有记忆功能的背景抑制电路,有效提高了积分时间和红外焦平面的信噪比(SNR),改善了动态范围和对比度。基于HHNECCZ6H0.35μm1P4M标准CMOS工艺,完成了电路的流片制造。实测结果表明:50K低温下电路功能正常,输出范围大于2V,读出速率达到2.5MHz,RMS噪声小于0.3mV,线性度优于99%,功耗小于100mW。
郝立超陈洪雷李辉黄爱波丁瑞军
关键词:读出电路
共1页<1>
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