河北省自然科学基金(502029)
- 作品数：7 被引量：27H指数：3
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- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- 铜CMP中SiO_2抛光液的凝胶及其消除实验被引量：3
- 2003年
- SiO2在不同的pH值抛光液中容易产生凝胶现象而使抛光液失效。通过控制实验时抛光液的pH值及加入适量的添加剂而使SiO2抛光液的凝胶问题得到解决。结果表明,当SiO2抛光液pH≤8时,产生凝胶;当SiO2抛光液pH≥9时,在抛光液中加入适量的活性剂和螯合剂,消除了SiO2凝胶现象,得到较好的抛光结果。
- 王新刘玉岭康志龙
- 关键词：抛光液凝胶SIO2
- CMP过程中纳米级颗粒在芯片表面吸附状态控制被引量：3
- 2005年
- 化学机械全局平面化过程中各种颗粒的污染十分严重。随着时间增长,吸附状态由物理吸附转变为化学吸附最终形成键合。文章提出了一种优先吸附模型,是表面活性剂分子优先吸附在硅片表面,降低能量达到稳定不但可以有效控制颗粒在硅片表面的吸附状态,对已经吸附的颗粒可以起到解吸的作用。实验证明用表面活性剂对硅片进行处理,可以有效控制颗粒的吸附状态,对CMP清洗有重要作用。
- 李薇薇刘玉岭周建伟王娟
- 关键词：化学机械全局平面化键合表面活性剂
- ULSI铜互连线CMP抛光液的研制被引量：11
- 2002年
- 介绍了一种碱性抛光液 ,选用有机碱做介质 ,Si O2 水溶胶做磨料 ,依据强络合的反应机理 ,克服了 Si O2 水溶胶做磨料对铜去除速率低及在溶液中凝胶的难点 .实验结果表明 :该抛光液适用于 Cu化学机械抛光过程第一阶段的抛光 ,并达到了高抛光速率及铜 /钽 /介质层间的高选择性的效果 .
- 王新刘玉岭
- 关键词：ULSI铜互连线化学机械抛光抛光液
- 集成电路多层铜布线阻挡层CMP技术与材料被引量：2
- 2006年
- 以化学机械全局平面化(CMP)动力学过程和机理为基础,在抛光浆料中采用粒径为1 5～20nm的硅溶胶作为CMP磨料,保证了高的抛光速率(200nm/min),同时可有效降低表面粗糙度,减少损伤层的厚度。
- 李薇薇檀柏梅周建伟刘玉岭
- 关键词：超大规模集成电路阻挡层钽化学机械抛光
- Cu-CMP抛光液中有机碱的化学作用实验分析被引量：1
- 2002年
- 分析了带有羟基和双胺基的有机碱在Cu-CMP过程中的化学作用.为得到抛光液的最佳配比,在给定的实验条件下对铜进行抛光实验,得到了铜的抛光速率随有机碱浓度的化学作用曲线,并得到了有机碱在抛光液中的最佳浓度.实验结果表明:随着抛光液中有机碱浓度的增加,抛光过程中的化学作用（络合反应）增强,铜的抛光速率随之增大,当有机碱增加到一定浓度时,抛光速率达到最高值,并相应得到了最佳的抛光表面.
- 王新康志龙刘玉岭
- 关键词：抛光液有机碱
