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国家自然科学基金(50872078)

作品数：12 被引量：18H指数：2
相关作者：刘鹏王亚娟丁兰芳付志粉曹蕾更多>>
相关机构：陕西师范大学安徽理工大学陕西理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域：一般工业技术理学电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 12篇中文期刊文章

领域

  • 5篇一般工业技术
  • 4篇理学
  • 3篇电气工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 7篇陶瓷
  • 6篇介电
  • 5篇介电常数
  • 4篇电性能
  • 4篇巨介电常数
  • 3篇介电性
  • 3篇介电性能
  • 3篇CACU3T...
  • 2篇压电
  • 2篇压敏
  • 2篇压敏电压
  • 2篇射线衍射
  • 2篇球磨法
  • 2篇复合陶瓷
  • 2篇高能球磨
  • 2篇高能球磨法
  • 2篇X射线衍射
  • 2篇12
  • 1篇性能研究
  • 1篇压电陶瓷

机构

  • 11篇陕西师范大学
  • 2篇安徽理工大学
  • 1篇西安邮电学院
  • 1篇陕西理工大学
  • 1篇西安工业大学

作者

  • 11篇刘鹏
  • 3篇付志粉
  • 3篇王亚娟
  • 3篇丁兰芳
  • 2篇李媛
  • 2篇马建立
  • 2篇曹蕾
  • 2篇刘成
  • 2篇门高丽
  • 2篇陈宏
  • 2篇闫妍
  • 2篇杨锋莉
  • 1篇周剑平
  • 1篇杨敬娜
  • 1篇潘宏利
  • 1篇张若昕
  • 1篇吴俊林
  • 1篇刘卫国
  • 1篇苏丽娜
  • 1篇吴怡

传媒

  • 6篇陕西师范大学...
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇物理学报
  • 1篇科技导报
  • 1篇材料导报
  • 1篇压电与声光
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2012
  • 3篇2011
  • 4篇2010
  • 4篇2009
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Ca对(Pb_(1-x)Ca_x)_(1.05)(Nb_(0.95)Ti_(0.05))_2O_6陶瓷性能的影响被引量：2
2010年
采用传统电子陶瓷工艺制备了(Pb1-xCax)1.05(Nb0.95Ti0.05)2O6(x=0、0.045、0.055、0.065)高温压电陶瓷,研究了Ca和Ti对陶瓷的显微组织、相结构、介电及压电性能的影响,得到了Ca取代量与(Pb1-xCax)1.05(Nb0.95Ti0.05)2O6陶瓷性能间的关系。X-射线衍射(XRD)分析表明,Ca和Ti的双位取代均形成正交铁电相,而相同方法制备纯的PbNb2O6,只能得到菱方非铁电相钨青铜结构,随着Ca的摩尔分数增加,晶胞体积减小。介电温谱测试表明该改性材料具有高居里温度(TC>530℃)。当x(Ca)=0.055时,得到压电常数d33=86pC/N、平面机电耦合系数kp=0.32、机械品质因数Qm=31.9、TC=536℃的陶瓷样品,材料可在高温(500℃)环境下使用。
门高丽张若昕刘鹏陈宏丁兰芳杨敬娜
关键词：压电陶瓷居里温度
手性化合物S811的强热释效应及反铁电特性
2011年
用热释电流谱、介电温谱、电滞回线谱、差示扫描量热仪(DSC)、热台偏光显微镜(PLM)对手性化合物S811的电学性能及相变行为进行了研究。热释电流谱、介电温谱显示S811在相变附近具有强热释电电流,其最大热释电系数达到384nC/(cm2.K),介电常数在相变过程也发生了突变。电滞回线谱显示,在冷却过程依次出现了反铁电体-铁电体转变的双电滞回线和单电滞回线,揭示了S811作为热释电探测材料的应用潜力,拓展了其应用范围。
牛小玲刘卫国刘鹏
关键词：介电常数
Al掺杂对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电性能的影响被引量：2
2009年
采用标准电子陶瓷工艺,制备了CaCu3Ti4-xAlxO12-x/2(CCTAO,x=0,0.06,0.10,0.20)陶瓷样品,研究Al对CCTAO材料的微观结构和介电性能的影响.结果表明,Al的添加可促进CaCu3Ti4O12(CCTO)晶界处小晶粒生长,拟制大晶粒长大,增强晶界的绝缘性,使低频介电弛豫行为明显减弱,降低了CCTAO陶瓷样品低频范围的介电损耗.x=0.2时在40 Hz^1 kHz频率范围内,tanδ均小于0.05,最小值仅为0.033.对该样品偏压下的介电性能的研究发现,Al3+取代Ti4+可实现P型掺杂,改变基体的半导状态,拟制表面作用,从而使样品低频范围受偏压影响明显减弱.
李媛付志粉曹蕾王亚娟刘鹏
关键词：巨介电常数介电弛豫
CeO_2掺杂对Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3-MgO结构及介电性能的影响被引量：1
2010年
在Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)与质量分数为56%MgO混合的基础上,进行了CeO2掺杂的系统研究.结果表明,随着CeO2掺入量的增加,Ba0.6Sr0.4TiO3-MgO(BSTM)陶瓷晶粒尺寸减小.X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)、扫描电镜(electron microscope,SEM)和能谱分析(energydispersion X-ray,EDX)表明,复合陶瓷由Ba0.6Sr0.4TiO3和MgO两相组成,没有杂相出现.随着CeO2含量增加,复合陶瓷样品的居里温度点向低温方向偏移,介电常数、介电损耗、介电可调度也相应发生变化,样品的K值呈现出先增加到最大值,随后逐渐减小的趋势.CeO2含量为0.2%的样品具有较好的介电性能.
潘宏利王景亮刘鹏
关键词：复合陶瓷移相器钛酸锶钡
高能球磨法低温合成Mg_4Nb_2O_9纳米粉体被引量：1
2009年
以MgO和Nb2O5为原料,用高能球磨法制备Mg4Nb2O9前驱体,前驱体经900℃热处理合成Mg4Nb2O9纳米粉体.采用X射线衍射和扫描电镜(Scanning Electron Microscopy,SEM)研究了粉体随合成温度、球磨时间、保温时间的微结构变化和物相转变过程.结果表明,MgO-Nb2O5混合物经60 h高能球磨在900℃保温3 h合成出粒径为50~80 nm的Mg4Nb2O9纳米粉体.高能球磨法制备的粉体在1 200℃可烧结成致密的具有优异性能的Mg4Nb2O9陶瓷.
付志粉马建立丁兰芳吴怡刘鹏
关键词：高能球磨纳米粉体X射线衍射
高能球磨法制备Mg_4Nb_2O_9微波介质陶瓷及其表征被引量：2
2009年
采用高能球磨法制备粉体,粉体球磨60h后在900℃保温3h预烧合成Mg4Nb2O9纯相,研究了由高能球磨所得粉体制备的Mg4Nb2O9陶瓷的相结构、显微组织和微波介电性能随烧结温度的变化关系。X射线衍射检测Mg4Nb2O9陶瓷在1150～1200℃烧结过程中有微量的MgNb2O6和Mg5Nb4O15杂相产生,烧结温度高于1200℃时,样品为Mg4Nb2O9纯相;样品收缩率和密度随烧结温度的增大而增加,在1200℃趋于饱和,分别为13.6和4.22g/cm3(相对密度96.42%);样品的气孔含量随烧结温度增大降低,晶粒尺寸随烧结温度增大而增大,介电常数和品质因数随烧结温度的增大而增加;1200℃烧结的样品具有高的致密度、清晰的显微组织,平均晶粒尺寸为3.5μm,微波介电性能εr=12.6,Q·f=133164GHz,τf=-56.69×10-6/℃。实验结果表明,高能球磨有效促进球磨后粉体在900℃低温合成Mg4Nb2O9纯相;并降低Mg4Nb2O9陶瓷的烧结温度到1200℃,改善了陶瓷的谐振频率温度系数,有望成为新一代中温烧结微波介质材料。
付志粉刘鹏马建立李媛
关键词：高能球磨法微波介质陶瓷
CaCu_3Ti_4O_(12)-xMg_2TiO_4陶瓷的介电性能
2011年
采用传统陶瓷烧结方法,制备了CaCu3Ti4O12（CCTO）-xMg2TiO4（x=0,0.2,0.4,0.6）陶瓷样品.利用X射线衍射仪和扫描电镜,分别确定了样品的物性和形貌,并用阻抗分析仪测定了不同频率和温度下材料的介电常数和介电损耗,进而研究Mg2TiO4对CCTO材料微观结构和介电性能的影响.结果表明：添加Mg2TiO4可促进CCTO晶界处小晶粒生长,抑制大晶粒生长,增强晶界的绝缘性,使低频介电弛豫行为明显减弱,降低CCTO陶瓷样品低频范围的介电损耗.当x=0.2时,在50~150 Hz频率范围内,tanδ均在0.05附近.该实验结果为优化CCTO材料性能、推进其在电容器方面的应用提供了实验依据.
杨锋莉吴俊林闫妍刘鹏
关键词：巨介电常数
CaCu_3Ti_4O_(12)-MgTiO_3陶瓷的介电性能与I-V非线性特征被引量：4
2011年
采用固相反应法制备了一系列CaCu3Ti4O12-xMgTiO3(x=0,0.25,0.5,1.0)复相陶瓷,研究了MgTiO3掺杂对CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷相结构、显微组织、介电性能和I-V非线性特征的影响.研究发现:MgTiO3掺杂不仅使CCTO低频介电损耗降低,压敏电压提高,而且使I-V非线性系数显著增大.电学性能的改善与由MgTiO3掺杂后导致晶粒尺寸均匀化,晶界厚度减薄且绝缘性提高有关.其中,CaCu3Ti4O12-0.5MgTiO3陶瓷具有良好的综合电学性能:εr=53958,tanδ=0.06(1kHz),压敏电压Eb=295V/mm且非线性系数α=66.3.
曹蕾刘鹏周剑平王亚娟苏丽娜刘成
关键词：巨介电常数压敏电压
0.6Mg_4Nb_2O_9-0.4SrTiO_3复相陶瓷中温烧结和微波介电性能
2010年
采用传统固相反应法制备了0.6Mg4Nb2O9-0.4SrTiO3复合陶瓷。研究了LiF掺杂对其烧结特性、显微组织和微波介电性能的影响。实验结果表明:通过添加一定量的LiF,可将Mg4Nb2O9/SrTiO3陶瓷的致密化烧结温度降至1100℃;其中掺杂1.5wt%LiF、1100℃下烧结5h的0.6Mg4Nb2O9-0.4SrTiO3陶瓷微波介电性能为:ε=20.6,Q·f=4057GHz;样品的微波介电性能与杂相Sr(Ti1-xNbx)O3+δ和残留液相有关。
刘成王英马志军姚国光伊兰邵丽娟马玉景王照辉刘鹏
关键词：复合陶瓷X射线衍射介电性能
Rare earth doped CaCu_3Ti_4O_(12) electronic ceramics for high frequency applications被引量：2
2010年
Ca1-xRxCu3Ti4O12(R=La,Y,Gd;x=0,0.1,0.2,0.3) electronic ceramics were fabricated by conventional solid-state reaction method.The microstructure and dielectric properties as well as impedance behavior were carefully investigated.XRD results showed that the secondary phases with the general formula R2Ti2O7 existed at grain boundaries of rare earth doped ceramics,which inhibited abnormal grain growth.The dielectric constant decreased from 4×105 in pure CaCu3Ti4O12(CCTO) ceramics to 2×103 with rare earth doping.However,all samples showed high dielectric constant in broad frequency range(<10 MHz).The cutoff frequency(f0) was remarkably shifted to higher frequency from 13 MHz(pure CCTO ceramics) to 80 MHz(Gd-doped CCTO ceramics).Meanwhile,the dielectric loss tangent rapidly decreased approximately 10 times.These improvements of dielectric properties by rare earth doping are very useful in wide frequency chip capacitor and LTCC devices.
慕春红张怀武刘颖力宋远强刘鹏
关键词：CACU3TI4O12
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