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国家自然科学基金(69976041)

作品数：2 被引量：1H指数：1
相关作者：施毅周慧梅郑有炓刘杰张荣更多>>
相关机构：南京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇压电极化
  • 2篇异质结
  • 2篇极化效应
  • 1篇电容
  • 1篇电容电压
  • 1篇电压
  • 1篇压电
  • 1篇SUB
  • 1篇XGA
  • 1篇AL
  • 1篇X

机构

  • 2篇南京大学

作者

  • 2篇俞慧强
  • 2篇周玉刚
  • 2篇沈波
  • 2篇张荣
  • 2篇刘杰
  • 2篇郑有炓
  • 2篇周慧梅
  • 2篇施毅

传媒

  • 2篇发光学报

年份

  • 2篇2001
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
电容-电压法研究Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结压电极化效应(英文)被引量：1
2001年
制备了基于调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结的Pt/Al0 2 2 Ga0 78N/GaN肖特基二极管。由于Al0 2 2Ga0 78N势垒层中的极化场不同 ,不同Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度的二极管的电容 电压特性显著不同。根据对样品电容 电压特性的数值模拟 ,在Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度为 30nm和 4 5nm的样品中 ,异质界面的极化电荷面密度为 6 78× 1 0 12 cm-2 。在Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度为 75nm的样品中 ,极化电荷面密度降为 1 30×10 12 cm-2 。这种极化电荷面密度的降低是由于GaN上Al0 2 2 Ga0 78N势垒层由于厚度增加而产生应变的部分弛豫。本工作也提供了一种定量表征AlxGa1-xN/GaN异质结中极化电荷面密度的方法。
俞慧强沈波周玉刚张荣刘杰周慧梅施毅郑有炓Someya TArakawa Y
关键词：压电极化异质结
电容-电压法研究Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N/GaN异质结压电极化效应（英文）
2001年
制备了基于调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结的Pt/Al0 2 2 Ga0 78N/GaN肖特基二极管。由于Al0 2 2Ga0 78N势垒层中的极化场不同 ,不同Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度的二极管的电容 电压特性显著不同。根据对样品电容 电压特性的数值模拟 ,在Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度为 30nm和 4 5nm的样品中 ,异质界面的极化电荷面密度为 6 78× 1 0 12 cm-2 。在Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度为 75nm的样品中 ,极化电荷面密度降为 1 30×10 12 cm-2 。这种极化电荷面密度的降低是由于GaN上Al0 2 2 Ga0 78N势垒层由于厚度增加而产生应变的部分弛豫。本工作也提供了一种定量表征AlxGa1-xN/GaN异质结中极化电荷面密度的方法。
俞慧强沈波周玉刚张荣刘杰周慧梅施毅郑有炓Someya TArakawa Y
关键词：压电极化异质结
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共1页<1>
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