国家重点基础研究发展计划(2010CB635115)
- 作品数：7 被引量：18H指数：3
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- 碳硅共掺杂p型AlN的光电性能研究
- 2013年
- 在SiC衬底上生长了碳硅共掺杂p型AlN晶体,通过X射线衍射、X射线光电子能谱(XPS)、光致发光(PL)光谱、霍尔测试对碳硅共掺杂p型AlN晶体的结构、光学及电学性能进行了综合研究。通过XPS测试分析(尤其是对样品中Si 2p和C 1s的XPS谱分析)发现,样品中C替代N成为受主,而Si替代Al成为施主。样品的PL谱主要包括两个特征发射峰,分别来自于C、Si在AlN中形成的复合物V N-C N和C N-Si Al。
- 武红磊郑瑞生李萌萌闫征郑伟
- 关键词：光致发光掺杂半导体材料ALN
- 氮化铝体单晶生长技术研究进展(英文)被引量：5
- 2010年
- 评述氮化铝体单晶生长技术中常用的金属铝直接氮化法、溶解生长法、氢化物气相外延法和物理气相传输法.指出氢化物气相外延法和物理气相传输法是前景看好的生长氮化铝体单晶方法.介绍本课题组对物理气相传输法的一些改进.认为生长大尺寸氮化铝单晶体的研究将集中在精确控制生长条件、选择合适的坩埚材料、优化制备工艺和制备优质氮化铝籽晶等方面.
- 郑瑞生武红磊
- 关键词：半导体材料晶体生长氮化铝单晶体宽禁带半导体物理气相沉积
- 升华法生长氮化铝晶体的热场分析被引量：2
- 2013年
- 本文使用有限元法模拟氮化铝晶体生长系统的温度场,分析了坩埚的位置、感应线圈的匝间距以及原料与晶体之间的距离对温度场分布的影响。结果表明:坩埚位置主要影响系统中最高温度的位置及温度梯度的大小;原料与结晶体之间的距离仅对温度梯度有影响;感应线圈的匝间距则影响加热效率的高低。通过合理优化以上三个条件,可以获得适宜于高品质氮化铝晶体快速制备的理想热场。
- 武红磊郑瑞生李萌萌闫征郑伟徐百胜
- 关键词：升华温度场有限元
- 碳硅共掺氮化铝的p型掺杂效率研究被引量：1
- 2011年
- 采用碳受主和硅施主共掺杂的方法制备低电阻率p型氮化铝晶体.通过第一性原理计算预测碳硅共掺氮化铝的p型掺杂效率及碳硅合适掺杂比.计算结果表明,在氮化铝中由碳硅共掺形成的Cn-Si络合物(n=1,2,3,4)可以稳定存在,特别是在C2-Si络合物中碳受主电离能仅有0.19 eV,比单个碳受主低0.28 eV.利用碳硅共掺方法,在实验上制备出空穴浓度为1.4×1014cm-3、迁移率为52 cm2/(V.s)的p型氮化铝晶体.
- 武红磊郑瑞生孟姝黄俊毅
- 关键词：半导体材料掺杂第一性原理计算氮化铝电阻率
- 碳硅共掺杂AlN晶体的电子结构分析被引量：2
- 2013年
- 采用基于密度泛函理论的全势线性缀加平面波法,研究了C∶Si共掺杂纤锌矿AlN晶体的32原子超胞体系,得到了该体系的能带结构、电子态密度等性质,在此基础上分析了C∶Si共掺杂实现AlN晶体p型掺杂的机理。在AlN晶体的掺杂体系中,当C、Si的浓度相等时,会形成C-Si复合物,但施主和受主杂质相互补偿致使自由载流子浓度较低;当提高C的掺杂浓度时,会形成C2-Si,C3-Si等复合物,这些复合物的生成能够提高受主杂质的固溶度,降低受主激活能,有效提高空穴浓度。分析表明:C∶Si共掺杂有利于获得p型AlN晶体。
- 闫征武红磊郑瑞生
- 关键词：ALN第一性原理共掺杂电子结构
- 温度场分布对氮化铝晶体生长习性的影响被引量：4
- 2012年
- 研究升华法制备氮化铝晶体过程中,生长区域温度场分布对晶体生长习性的影响.结果表明,当升华区与结晶区之间的温差较大时,氮化铝晶体的生长方向为c轴方向,显露面为c面;反之,温差较小时,氮化铝晶体的生长方向为与c轴垂直的a轴方向,显露面为m面.同时,生长区域温度场分布还影响晶体的生长尺寸和质量.在自行设计的双区电阻加热晶体生长装置中,通过精确控制升华区与结晶区之间的温度场,实现厘米级m面非极性氮化铝单晶体的制备,并对样品进行测试分析.
- 武红磊郑瑞生闫征李萌萌郑伟
- 关键词：半导体材料氮化铝温度场晶体生长
- Study of MgXZn1-XO Alloys （0<x<0.15） by x-ray Absorption Spectroscopy
- High-resolution K-edge x-ray absorption data are presented for Mg,Zn and O of Mg1-xZnxO films.A detailed analy...
- Wei ZhengZhe Chuan FengChang Fan-HsiuJyh-Fu LeeRui Sheng ZhengDong-Sing WuuChee Wee Liu
- 文献传递
- 升华法制备m面非极性AlN单晶体的研究被引量：5
- 2012年
- AlN晶体在c轴方向具有很强的自发和压电极化效应,影响了其器件的性能。生长高质量的非极性面AlN晶体材料是解决该问题的有效途径。本研究结合AlN晶体沿c轴择优生长的特点,使用自行设计的双区电阻加热生长装置,升华制备出尺寸为厘米级m面非极性AlN单晶体,并利用X射线衍射和能谱对样品进行测试分析。实验结果表明AlN单晶体的方向为(100),铝和氮原子比例为50.3%和49.7%,接近理想比例1∶1。最后,对m面非极性AlN单晶体的形成机理进行探讨。
- 武红磊郑瑞生李萌萌闫征
- 关键词：升华
