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温州市对外科技合作交流项目(H20080011)

作品数：1 被引量：3H指数：1
相关作者：刘成岳张鉴戚昊琛何晓雄更多>>
相关机构：合肥工业大学更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇深反应离子刻...
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇刻蚀
  • 1篇反应离子
  • 1篇反应离子刻蚀
  • 1篇ICP

机构

  • 1篇合肥工业大学

作者

  • 1篇何晓雄
  • 1篇戚昊琛
  • 1篇张鉴
  • 1篇刘成岳

传媒

  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于线算法的ICP深反应离子刻蚀模型被引量：3
2008年
电感耦合等离子体(ICP)刻蚀是目前集成电路与微机电系统制造的关键工艺之一。利用一种改进的复合交替深刻蚀(TMDE)模型对ICP深反应离子刻蚀(Deep-RIE)进行了工艺仿真建模。根据深反应离子刻蚀中Footing效应的实验特征,提出了针对这一现象的表面描述方程,并借助实验手段确定了该表面描述方程中的参数,从而为模型添加了一种简单有效的Footing效应模拟模块。最后对Deep-RIE和Footing效应刻蚀表面进行模拟,验证了模型的有效性和可用性。
张鉴何晓雄刘成岳戚昊琛
关键词：深反应离子刻蚀ICP
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