国家重点基础研究发展计划(2006CB202601)
- 作品数：36 被引量：93H指数：5
- 相关作者：卢景霄陈永生杨仕娥谷锦华郜小勇更多>>
- 相关机构：郑州大学河南工业大学新乡学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划河南省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 高气压下微晶硅薄膜的生长及微结构研究(英文)被引量：1
- 2007年
- 通过射频等离子体增强化学气相沉积,在高气压条件下制备了微晶硅薄膜,并用拉曼光谱仪(Ram an)、扫描电镜(SEM)研究了微晶硅薄膜的微观结构。发现沉积速率在5Torr左右出现极大值,薄膜的晶化率随着沉积气压的升高而降低,薄膜表面的晶粒或团簇随着沉积气压的下降而增大,薄膜的粗糙度随着沉积气压的升高而降低。
- 杨根张丽伟卢景霄谷锦华陈永生文书堂汪昌州王子健
- 关键词：等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜微观结构
- 分步法高速沉积微晶硅薄膜被引量：1
- 2012年
- 为提高微晶硅薄膜的纵向结晶性能,在甚高频等离子体增强化学气相沉积技术的基础上,采用过渡参数缓变和两步法相结合的方法在普通玻璃衬底上高速沉积薄膜。当功率密度为2.1 W/cm^2,硅烷浓度在6%和9.6%之间变化时,从薄膜方向和玻璃方向测算的Raman晶化率的差异维持在2%以内.硅烷浓度为9.6%时,薄膜沉积速率可达3.43 nm/s,从薄膜方向和玻璃方向测算的Raman晶化率分别为50%和48%,差异的相对值仅为4.O%.合理控制过渡阶段的参数变化,可使两个方向的Raman晶化率差值下降到一个百分点.表明采用新方法制备薄膜,不仅可以抑制非晶孵化层的形成,改善微晶硅薄膜的纵向结构,还为制备优质薄膜提供了较宽的参数变化空间.
- 高海波李瑞卢景霄王果李新利焦岳超
- 关键词：微晶硅薄膜
- PECVD生长掺磷纳晶硅薄膜的电导特性研究被引量：2
- 2008年
- 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质本征纳晶硅(nc-Si:H)薄膜和掺磷纳晶硅(nc-Si(P):H)薄膜。通过拉曼散射谱和XRD衍射谱分别研究了PH3浓度对nc-Si(P):H薄膜的晶化率(Xc)和晶格微观畸变(Ls)的影响,结果显示随着PH3浓度的增加,Xc和Ls均呈现了先增加后减小的相似趋势,暗示二者之间存在紧密的关联;利用四探针法测量了nc-Si(P):H薄膜的电导率(σ),结果表明,nc-Si(P):H薄膜的σ比nc-Si:H薄膜提高了约5个数量级,且随着PH3浓度的增大而单调增大。该变化可以从Xc、Ls的角度得到合理解释。
- 刘玉芬郜小勇刘绪伟赵剑涛卢景霄
- 关键词：晶化率电导率晶格畸变
- 掺磷微晶硅薄膜的微结构及光学性质的研究被引量：7
- 2008年
- 本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在普通玻璃上制备了本征和掺磷的氢化微晶硅(μc-Si∶H)薄膜。利用Raman散射谱,计算了表征其薄膜微结构的晶化率(Xc)和平均晶粒尺寸(d)。结果表明随着磷烷(PH3)浓度的增加,其Xc和d均呈现了先增加后减小的相似趋势;利用测得的透射谱和反射谱,并利用Tauc公式拟合了μc-Si∶H薄膜的光学带隙(Egopt)。研究表明,μc-Si∶H薄膜的Egopt与Xc具有相反的变化趋势。该结果可利用Kronig-Penney模型和表征函数F(x)作出合理解释。
- 刘玉芬郜小勇刘绪伟赵剑涛卢景霄
- 关键词：氢化微晶硅薄膜晶化率平均晶粒尺寸
- 应用于径向电池的硅纳米棒的定向生长
- 本文采用磁控溅射和热丝化学气相沉积（HWCVD）技术,通过控制生长基元在衬底上的掠角入射,利用影蔽效应,成功制备了定向生长的非晶和微晶硅纳米棒。系统分析了沉积气压、射频功率、衬底转速和氢稀释度对纳米棒结构和形貌的影响。扫...
- 马艳红刘丰珍朱美芳刘金龙
- 关键词：磁控溅射HWCVD
- 文献传递
- 氩稀释在PECVD高速沉积微晶硅薄膜中的作用
- 研究了氩稀释对微晶硅薄膜沉积速率和晶化率的影响,结果表明,少量的氩稀释可以提高薄膜生长速率。增加氩气的流量,有利于促进薄膜晶化,但薄膜的生长速率降低。为了进一步认识氩在等离子体过程中对基元产生和分解的作用,采用光发射谱（...
- 孙振中刘丰珍朱美芳刘金龙
- 关键词：硅薄膜
- 文献传递
- 退火对硼掺杂微晶硅薄膜性能的影响被引量：1
- 2011年
- 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了不同硼烷掺杂比例的微晶硅薄膜。随后在不同温度、不同气氛下,对沉积得到的p型微晶硅薄膜进行了退火处理。研究发现,对初始晶化率较高的薄膜,退火后其晶化率发生下降;初始晶化率较低的薄膜,退火后其晶化率则有所提高;并且,在高真空中退火更有利于薄膜的晶化。退火后,薄膜表面粗糙度的变化情况受其初始晶化率的影响;薄膜的暗电导率有大幅度的增加。其中,掺杂浓度较高的薄膜,在真空退火后其晶化率、表面粗糙度和电导都有显著的提高。
- 王果卢景霄李新利高海波焦岳超李瑞
- 关键词：退火PECVD晶化率表面粗糙度
- PECVD沉积微晶硅薄膜过程中氢原子对透明导电膜的影响(英文)
- 2007年
- 研究了等离子体放电过程中氢原子对单层SnO2和SnO2/ZnO双层透明导电膜的影响.发现当衬底温度超过150℃,H等离子体处理使SnO2薄膜的透光率显著降低.当在SnO2薄膜表面沉积一层ZnO时,既使ZnO膜的厚度为50nm,也可有效地抑制H原子对SnO2的还原效应,并在SnO2/ZnO双层膜上制备了转换效率为3.8%的微晶硅薄膜太阳电池.
- 陈永生汪建华卢景霄杨根郜小勇杨仕娥
- 关键词：透明导电氧化物
- 薄膜生长计算机模拟概论被引量：1
- 2008年
- 阐述了计算机模拟薄膜生长的重要意义,介绍了计算机模拟薄膜生长的主要步骤和方法,重点阐述了蒙特卡罗和分子动力学方法的基本原理、关键问题及研究与应用进展,展望了薄膜生长计算机模拟的发展趋势。
- 文黎巍郭巧能丁俊文书堂杨仕娥
- 关键词：计算机模拟蒙特卡罗分子动力学
- p型微晶硅薄膜的沉积及其在微晶硅薄膜太阳电池中的应用(英文)被引量：1
- 2008年
- 采用等离子体化学气相沉积(PECVD)方法制备了硼掺杂微晶硅薄膜和微晶硅薄膜太阳电池.研究了乙硼烷含量、p型膜厚度及沉积温度对硼掺杂薄膜生长特性和高沉积速率的电池性能的影响.通过对p型微晶硅薄膜沉积参数的优化,在本征层沉积速率为0.78nm/s的高沉积速率下,制备了效率为5.5%的单结微晶硅薄膜太阳电池.另外,对p型微晶硅薄膜的载流子疏输运机理进行了讨论.
- 陈永生杨仕娥汪建华卢景霄郜小勇谷锦华郑文赵尚丽
- 关键词：太阳电池
