广东省科技计划工业攻关项目(2006B14001001)
- 作品数：11 被引量：21H指数：2
- 相关作者：龚晓钟汤皎宁吴振兴田鹏彭雨辰更多>>
- 相关机构：深圳大学深圳市药品检验所光大环保科技发展(北京)有限公司更多>>
- 发文基金：广东省科技计划工业攻关项目国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术化学工程电子电信更多>>
- 增强调制掺杂Si_(80)Ge_(20)基热电材料功率因子的研究被引量：2
- 2013年
- 采用成熟工艺制备了N型、P型调制掺杂型Si80Ge20基固溶体合金及等化学计量比的均匀掺杂型Si80Ge20基固溶体合金,重点研究了两类固溶体合金的热电性能。结果表明:温度为773 K时,N型系列、P型系列,调制掺杂型固溶体合金较均匀掺杂型的功率因子分别提高了13.6%和49.2%,热电优值ZT分别提高了7.9%和12.9%。
- 龚晓钟吴振兴刘正楷王涵彭雨辰汤皎宁
- 关键词：热电材料功率因子热电性能调制掺杂
- 非水体系电沉积稀土填充半导体热电材料Bi2Sb3Lax及其电性能研究
- 2008年
- 在尿素-NaBr-KBr-甲酰胺体系中用工艺设备简单、成本低的电沉积方法制备Bi2Sb3Lax合金薄膜。通过EDS对电沉积薄膜的组成进行了研究,结果表明:采用控电位沉积模式,可实现铋、锑、镧三元共沉积,生成Bi2Sb3Lax合金薄膜。通过调节沉积液中各物质的配比控制Bi2Sb3Lax合金薄膜的稀土La填充量,稀土元素La的最大填充量为4.61%(原子分数)。电沉积时间和电流密度对合金薄膜形态有影响,SEM观察沉积薄膜在电流密度为2000 A.m-2,电沉积时间为90s时表面分布均匀。沉积膜涂覆聚乙烯醇膜后进行XRD分析,图谱显示所得到的沉积物是由菱形BiSb和六方结构的单质La组成。探索了La的填充量对Bi2Sb3Lax合金薄膜电性能的影响。
- 龚晓钟汤皎宁李均钦梁文涛
- 关键词：电沉积稀土元素热电材料非水体系电性能
- AAO模板制备条件的研究被引量：2
- 2011年
- 为了得到高度有序的多孔阳极氧化铝(anodic aluminum oxide,AAO)模板,本文分别研究氧化电压、氧化温度、电解液种类、电解液浓度等影响因素对阳极氧化铝模板形成的影响,利用扫描电镜(SEM)观察不同条件下氧化铝膜的微观结构,从而得出了阳极氧化铝模板的最佳制备工艺范围:温度0～20℃,氧化电压35～50V(依所需孔径而言),电解液种类草酸,电解液浓度:0.3mol.dm-3。
- 王晓慧李玉山黄嘉成刘海滨黄民慧龚晓钟
- 关键词：阳极氧化多孔氧化铝纳米结构材料
- 用电沉积法制备稀土填充热电材料Bi2Sb3Rex
- 2010年
- 分别以脉冲电沉积法和直流电沉积法制备了稀土填充热电材料Bi2Sb3Rex(Re=Ce,Nd)。结果表明,采用脉冲电沉积法,在通断脉宽为Ton=10ms(电流1A),Toff=40ms(电流0A),电流密度2000A.m-2,电沉积时间180s的条件下制得的电沉积膜Bi2Sb3Ce2,表面均匀、光滑、致密;在通断脉宽为Ton=0.4ms(电流1A),Toff=2.4ms(电流0A),电流密度2800A.m-2,电沉积时间120s,占空比为0.142的条件下制得的电沉积膜Bi2Sb3Nd0.1,表面均匀、光滑、致密。
- 田鹏曾艳芳叶洞君龚晓钟
- 热电材料SiGe合金的制备被引量：10
- 2012年
- 以硅粉、锗粉为原料,利用高能球磨法,通过改变球磨参数制备硅锗合金。并采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)以及差示扫描量热分析仪(DSC)对实验产物进行表征。结果表明,利用行星式高能球磨仪使配比为Si0.9Ge0.1硅锗粉末达到合金化的最佳球磨参数是:转速为500 r/min,球磨时间为20 h,球料比为20∶1,这一参数能制备出配比为Si0.8Ge0.2的硅锗合金。在该条件下制备出的合金熔点为1388℃。
- 龚晓钟吴振兴彭雨辰朱晓旋张倩瑶范媛汤皎宁
- 关键词：高能球磨法
- N型和P型Si_(80)Ge_(20)合金制备及热电性能被引量：2
- 2013年
- 对N型Si80Ge20(P4)x及P型Si80Ge20Bx固溶体合金的化学计量比进行了研究,采用已总结出的最佳工艺条件,制备了一系列N型、P型固溶体合金,并比较了各系列样品的热电性能。结果表明,x=1.5的N型Si80Ge20(P4)x固溶体合金具备良好的热电性能,与未掺杂Si80Ge20固溶体合金相比,最高热电优值ZT为0.651,提高了3.34倍。x=1.5的P型Si80Ge20Bx固溶体合金也具备较佳的热电性能,最高热电优值(ZT)值为0.538。
- 毛斐吴振兴汤皎宁王涵刘正楷龚晓钟
- 关键词：热电材料粉末冶金热电性能
- 稀土填充热电材料CoSb_3 Sm_x和CoSb_3 Pr_x的制备及表征被引量：1
- 2010年
- 在低温熔融盐体系中,采用电沉积方法室温条件下制备Sm和Pr填充方钴矿化合物.研究不同稀土填充的方钴矿CoSb3热电材料的最佳制备工艺条件.通过扫描电子显微镜观察CoSb3Smx和CoSb3Prx的表面形貌,用特征X射线谱能确定其化学成分,用X射线衍射分析其晶型结构.优化工艺条件使稀土元素达到最大填充量.研究结果表明,合金薄膜的组成为Sm0.32CoSb3和Pr0.30CoSb3.三元合金薄膜由体心立方结构的CoSb3和六方晶形的稀土单质Sm组成.
- 龚晓钟田鹏周智钟启鸣汤皎宁
- 关键词：热电材料脉冲电沉积
- 稀土填充热电材料Bi_2Sb_3Ce_x,Bi_2Sb_3Nd_x的制备及电性能研究被引量：2
- 2010年
- 在尿素-NaBr-KBr-甲酰胺体系中用脉冲电沉积的方法制备Bi2Sb3Cex及Bi2Sb3Ndx合金薄膜。通过X射线能谱(EDS)及X射线衍射(XRD)分别确定其化学成分、分析其晶型结构。在最佳工艺条件下,稀土元素达到最大填充量,合金薄膜的组成为Bi2Sb3Ce2及Bi2Sb3Nd0.1。合金薄膜是由斜方六面体BiSb和四面立方结构的单质Ce、Nd组成。探索了不同稀土填充的Bi-Sb半导体热电材料的电学性能。
- 龚晓钟曾艳芳叶洞君田鹏罗智宇汤皎宁
- 关键词：热电材料
- 高度有序多孔阳极氧化铝制备工艺的研究被引量：3
- 2010年
- 影响多孔阳极氧化铝(porous anodica lumina,PAA)形貌及结构等的因素有很多,如抛光铝片的表面粗糙度、电解液温度、氧化电压、氧化时间、搅拌速率等。本文采用二次阳极氧化法,以草酸为电解液,研究了高度有序AAO模板制备过程的主要工艺条件,并采用扫描电子显微镜对模板的形貌进行表征。结果表明,在电解液温度为12℃,氧化电压为40V能够得到高度有序的、孔径为80nm左右的多孔阳极氧化铝膜。
- 吴振兴潘良王晓慧龚晓钟
- 关键词：阳极氧化多孔氧化铝纳米材料
- 电沉积制备稀土填充热电材料CoSb_3Sm_x工艺条件探索
- 2009年
- 在室温条件下于非水体系中用电沉积的方法制备Sm填充方钴矿化合物。研究制备稀土填充的方钴矿CoSb3热电材料的最佳工艺条件。在最佳工艺条件下稀土元素达到最大填充量,合金薄膜的组成为Sm0.32CoSb3。
- 田鹏陈桂强周智龚晓钟
- 关键词：脉冲电沉积稀土元素热电材料非水体系
