江苏省普通高校研究生科研创新计划项目(CX09B096Z)
- 作品数：3 被引量：12H指数：3
- 相关作者：张益军常本康赵静张俊举崔东旭更多>>
- 相关机构：南京理工大学西安应用光学研究所微光夜视技术国防科技重点实验室更多>>
- 发文基金：江苏省普通高校研究生科研创新计划项目国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 透射式蓝延伸GaAs光电阴极光学结构对比被引量：3
- 2012年
- 用金属有机物化学气相沉积法外延制备了一个透射式蓝延伸GaAs光电阴极,积分灵敏度达到1980μA/lm,同时与美国ITT公司的一条蓝延伸阴极光谱响应曲线对比,分别对两者进行了光学结构拟合.结果表明,国内阴极在Ga_(1-x)Al_xAs层厚度、A1组分、电子扩散长度和后界面复合速率上与国外存在差距,这导致国内阴极的蓝延伸性能不及国外.国内蓝延伸阴极的表面电子逸出几率、发射层厚度与国外阴极拟合结果一致,这使得两者长波响应性能差别远小于短波部分的差别.另外响应波段全谱的吸收率小于国外阴极,导致国内透射式蓝延伸GaAs光电阴极光谱响应、积分灵敏度尚不及国外.
- 赵静常本康张益军张俊举石峰程宏昌崔东旭
- 关键词：GAAS光电阴极光电发射光学结构
- 高性能透射式GaAs光电阴极量子效率拟合与结构研究被引量：7
- 2011年
- 为了探索高性能透射式GaAs光电阴极的特征结构,对光电阴极量子效率公式进行了光谱反射率与短波截止限的修正,并利用修正后的公式对ITT透射式GaAs光电阴极量子效率(≈43%)曲线进行了拟合,得到拟合相对误差小于5%时的结构参数为:窗口层Ga1-xAlxAs的厚度介于0.3—0.5μm,Al组分x值为0.7,发射层GaAs的厚度介于1.1—1.4μm.另外,根据拟合结果讨论了均匀掺杂透射式GaAs光电阴极的优化结构参数,如果光电阴极具有0.4μm厚的Ga1-xAlxAs(x=0.7)窗口层和1.1—1.5μm厚的GaAs发射层,则积分灵敏度可以达到2350μA/lm以上.
- 赵静张益军常本康熊雅娟张俊举石峰程宏昌崔东旭
- 关键词：透射式GAAS光电阴极量子效率积分灵敏度光学性能
- GaAs真空电子源衰减模型研究被引量：4
- 2011年
- 利用X射线光电子能谱(XPS)仪对激活后的GaAs真空电子源进行了随时间衰减变化的XPS分析,分析发现了电子源阴极表面各元素百分含量随时间的变化,揭示了杂质气体吸附造成的偶极矩方向的改变是电子源灵敏度显著下降的主要原因.基于上述结论,通过分析真空系统中杂质气体的吸附过程,推导并得到了GaAs电子源衰减模型.该模型从理论上揭示了GaAs电子源的指数衰减规律以及寿命与真空度的反比关系,与实验现象完全一致.
- 邹继军张益军杨智常本康
- 关键词：电子源X射线光电子能谱真空度
