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浙江省重点科技计划(2004C11007)

作品数:1 被引量:5H指数:1
相关作者:姚学玲曾正中陈景亮更多>>
相关机构:西北核技术研究所西安交通大学更多>>
发文基金:浙江省重点科技计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇低气压
  • 1篇抖动
  • 1篇沿面闪络
  • 1篇闪络
  • 1篇时延
  • 1篇时延抖动
  • 1篇陶瓷
  • 1篇钛酸
  • 1篇钛酸钡
  • 1篇钛酸钡陶瓷
  • 1篇伪火花开关
  • 1篇开关
  • 1篇放电开关

机构

  • 1篇西安交通大学
  • 1篇西北核技术研...

作者

  • 1篇陈景亮
  • 1篇曾正中
  • 1篇姚学玲

传媒

  • 1篇高电压技术

年份

  • 1篇2008
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
低气压放电开关沿面闪络触发器的性能研究被引量:5
2008年
脉冲功率技术和脉冲电流试验技术对放电开关提出了越来越高的要求,如较长的使用寿命、宽的工作范围、较小的触发时延及抖动等。为了满足这些需求,设计了伪火花开关的氧化锌半导体和高介钛酸钡陶瓷介质沿面闪络的触发装置,通过对表面放电触发器的实验发现:高介钛酸钡陶瓷沿面闪络触发器显示出强而快的电荷释放能力,在伪火花开关工作的气压范围内,触发器能够在20~30ns内释放20~30μC的电荷量,释放的电子数达到1.25×1014~1.875×1014,触发电流的上升陡度可达120~320GA/s。上述两种介质材料制作的PSS,气压7Pa时,自击穿电压28kV,最小工作电压分别为360、130V,放电延时分别为380~106ns和80~35ns,时延抖动分别为85~23ns和22~6ns。研究结果表明:高介钛酸钡陶瓷沿面闪络触发器显示出比氧化锌半导体强而快的电荷释放能力,由其制作的伪火花开关具有极低的放电时延和时延抖动。
姚学玲陈景亮曾正中
关键词:伪火花开关沿面闪络钛酸钡陶瓷时延抖动
共1页<1>
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