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基于SAG和QWI结合技术的电吸收调制器与可调谐DBR激光器的单片集成(英文): 2005年; 报道了基于选择区域生长和量子阱混杂结合技术的电吸收调制器与可调谐DBR激光器的单片集成.集成器件显示出了良好的静态特性:阈值电流为37 mA;100 mA激光器增益区偏置电流下,直流输出功率为3·5 mW;当使用单模光纤耦合(耦合效率15 %) ,调制器偏压在0 ^-2V之间时,静态消光比大于20dB;波长调谐范围为4·4nm,覆盖了6个100GHz间隔的WDM信道.; 张靖李宝霞赵玲娟王保军周帆朱洪亮边静王圩; 关键词：可调谐激光器电吸收调制器量子阱混杂

使用低能离子注入导致的量子阱混杂方法制作可集成的分布式Bragg反射激光器(英文): 2004年; 采用量子阱混杂的方法制作了可集成的分布式 Bragg反射激光器 .通过同时控制相位区和光栅区的注入电流 ,该激光器的波长可以准连续地调谐 4 .6 nm .在整个调谐范围内 ,除了少数几个模式跳变点以外 ,激光器的单模特性保持良好 ,边模抑制比均达到了 30 d; 张靖陆羽赵玲娟周帆王宝军王鲁峰王圩; 关键词：量子阱混杂波长调谐

宽带偏振不灵敏张应变InGaAs半导体放大器光开关(英文): 2004年; 研制了一种张应变准体 In Ga As半导体放大器光开关 .该结构具有显著的带填充效应 ,从而导致在 80 m A的注入电流下 ,器件的 3d B光带宽大于 85 nm(1 5 2 0～ 1 6 0 9nm ) .该带宽几乎同时全部覆盖了 C带 (1 5 2 5～ 1 5 6 5 nm )和L带 (1 5 70～ 1 6 1 0 nm ) .最为重要的是 ,在 3d B光带范围内 ,光开关的偏振灵敏度小于 0 .7d B;光纤到光纤无损工作电流在 70～ 90 m A之间 ;消光比大于 5 0 d B.通过降低了载流子寿命 ,开关速度有所提高 .在未来密集波分复用通信系统中。; 王书荣刘志宏王圩朱洪亮张瑞英丁颖赵玲娟周帆王鲁峰; 关键词：宽带偏振不灵敏消光比

大带宽半导体光学放大器的理论分析: 2002年; 提出一种新型的半导体光学放大器结构 ,并从增益谱和能带结构等角度分析其特征 ,得出其大带宽内偏振不灵敏的原因和规律 .通过剖析该结构中有源区各部分的作用 ,得出大的张应变的引入主要是用于提高 TM模的材料增益 ,获得偏振不灵敏和大的 TE模带宽 ,减小制备难度 .厚的无应变层的引入主要是为了改善有源层晶体质量 ,获得大的偏振不灵敏模式增益 .; 张瑞英董杰张靖冯志伟王圩; 关键词：半导体光学放大器偏振不灵敏 3DB带宽 SOA 增益谱

电吸收调制器和DFB激光器一种改进的双有源层堆积集成方法(英文)被引量：2: 2004年; 提出了一种改进型的双有源层堆积方法制作单片集成电吸收调制的 DFB激光器 ,报道了器件的制作过程和主要性能 ,初步结果为 :阈值电流 38m A ,激光器在 10 0 m A下出光功率 4 .5 m W左右 ,调制器消光比约 9d B(从+0 .5 V到 - 3.0 V) .对比此前国外报道的具有常规双量子阱堆层结构的器件结果 (出光功率仅 1.5 m W) ,我们制作的器件的出光功率有了明显的提高 .; 胡小华李宝霞朱洪亮王宝军赵玲娟王鲁峰王圩; 关键词：多量子阱电吸收调制器分布反馈激光器单片集成

窄条宽化学气相沉积选区生长InP系材料波长调制的研究被引量：1: 2002年; 采用窄条宽选区生长化学气相沉积(NSAG-MOCVD)技术在掩膜宽度0～40μm范围内,获得波长漂移达177.5nm的高质量的InGaAsP材料,经推导,获得各个生长区域的组份、应变和In,Ga的气相浓度增加因子的比值随掩膜条宽的变化关系,并且认为该比值在阈值掩膜宽度范围内,与Ⅲ族分压比相关,大于阈值掩膜宽度范围内,与Ⅲ族源无关。此外,对材料富In现象作了合理解释。; 张瑞英董杰周帆李国华边静冯志伟王圩; 关键词：化学气相沉积 INGAASP 波长调制

窄条宽MOCVD选区生长InP系材料的速率增强因子: 2002年; 报道了窄条宽选区生长有机金属化学气相沉积 (NSAG- MOCVD)成功生长的 In P系材料 ,并提出在 NSAG-MOCVD生长研究中 ,引入填充因子的必要性 ,给出速率增强因子随填充因子变化的经验公式 ,计算得出速率增强因子随填充因子的变化关系 .与实验结果作了比较 ,发现 In P的速率增强因子主要取决于掩膜宽度 ,In Ga As P的速率增强因子不仅与掩膜宽度有关 ,同时也依赖于生长厚度。; 张瑞英董杰周帆冯志伟边静王圩; 关键词：MOCVD

高增益偏振不灵敏InGaAs/InP体材料半导体光放大器被引量：1: 2004年; 采用三元InGaAs体材料为有源区,通过直接在InGaAs体材料中引入020%张应变来加强TM模的增益,研制了一种适合于作波长变换器的偏振不灵敏半导体光放大器(SOA)。在低压金属有机化学气相外延(LPMOVPE)的过程中,只需调节三甲基Ga的源流量便可获得所要求的张应变量。制作的半导体光放大器在200mA的注入电流下,获得了50nm宽的3dB光带宽和小于05dB的增益抖动;重要的是,半导体光放大器能在较大的电流和波长范围里实现小于11dB的偏振灵敏度。对于155μm波长的信号光,在200mA的偏置下,其偏振灵敏度小于1dB,同时获得了大于14dB光纤到光纤的增益,3dBm的饱和输出功率和大于30dB的芯片增益。用作波长变换器,可获得较高的波长变换效率。进一步提高半导体光放大器与光纤的耦合效率,可得到性能更佳的半导体光放大器。; 王书荣王圩朱洪亮张瑞英赵玲娟周帆田慧良; 关键词：光电子学半导体光放大器偏振不灵敏信号增益饱和输出功率

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国家重点基础研究发展计划(G20000683-1)