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国家自然科学基金(59832060)

作品数:46 被引量:158H指数:8
相关作者:干福熹阮昊侯立松刘波李进延更多>>
相关机构:中国科学院上海光学精密机械研究所上海大学中国科学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国博士后科学基金更多>>
相关领域:理学化学工程自动化与计算机技术电子电信更多>>

文献类型

  • 46篇中文期刊文章

领域

  • 24篇理学
  • 17篇化学工程
  • 13篇自动化与计算...
  • 3篇电子电信
  • 2篇机械工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇生物学
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 16篇光学
  • 14篇光存储
  • 7篇溅射
  • 7篇光学常数
  • 6篇X
  • 5篇光学性
  • 5篇光学性质
  • 5篇超分辨
  • 4篇短波长
  • 4篇信息存储
  • 4篇相变光盘
  • 4篇光谱
  • 4篇光致
  • 4篇波长
  • 4篇SB
  • 3篇折射率
  • 3篇XRD
  • 3篇
  • 3篇GE2SB2...
  • 3篇磁控

机构

  • 43篇中国科学院上...
  • 3篇上海大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇复旦大学
  • 1篇长沙交通学院
  • 1篇宁波大学
  • 1篇西安交通大学

作者

  • 37篇干福熹
  • 20篇阮昊
  • 11篇侯立松
  • 10篇刘波
  • 7篇李进延
  • 6篇魏劲松
  • 5篇顾四朋
  • 5篇张约品
  • 5篇李青会
  • 5篇顾冬红
  • 4篇沈德芳
  • 4篇谢泉
  • 3篇王光斌
  • 3篇王阳
  • 3篇李晶
  • 2篇施宏仁
  • 2篇陈静
  • 2篇王现英
  • 2篇陈仲裕
  • 1篇陈良尧

传媒

  • 15篇光学学报
  • 7篇中国激光
  • 4篇无机材料学报
  • 3篇物理
  • 2篇科学通报
  • 2篇物理学进展
  • 2篇光子学报
  • 2篇功能材料
  • 2篇激光与红外
  • 2篇Scienc...
  • 1篇Journa...
  • 1篇测试技术学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇光学仪器
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2004
  • 8篇2003
  • 21篇2002
  • 12篇2001
  • 3篇2000
  • 1篇1999
46 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
偶氮染料掺杂高分子薄膜的荧光光谱特性被引量:13
2001年
利用旋涂法制备了新的偶氮染料掺杂薄膜 ,在室温下测试了该薄膜的吸收光谱、稳态荧光光谱和时间分辨荧光光谱 ,研究了荧光衰减动力学过程 ,得到了反式和顺式异构体的激发单线态 (S1)的荧光寿命。
王光斌干福熹王建岗杨莉松徐至展杨合情
关键词:动力学过程光致异构荧光衰减旋涂法
超分辨技术在光盘中的应用研究被引量:9
2002年
超分辨技术是一种无需用减小波长或增大数值孔径的方法减小记录点尺寸而能读出超过衍射极限信号从而有效增加存储密度的一种方法 .超分辨可以通过调整光学系统或者调整光盘的结构来实现 .在超分辨光盘中 ,超分辨是基于掩膜的光学性质随入射激光强度的非线性变化而实现的 .在磁光盘中第一次引入超分辨技术后 ,超分辨技术的应用有了很大发展 ,在目前是提高光盘存储密度的有效方法 ,在各类光盘中都有良好的应用 .近场超分辨技术的出现使相变光盘的超高密度记录和读出成为可能 .
李进延干福熹
关键词:超分辨相变光盘存储密度磁光盘信息存储
氧杂质及热处理过程对Ge-Sb-Te薄膜的光学性质和晶体结构的影响
2003年
研究了氧掺杂Ge Sb Te磁控溅射相变薄膜在 4 0 0~ 80 0nm区域的光学常数 (n ,k) ,发现不同氧成分薄膜的光学性质有较大差别 ,经过热处理后薄膜的光学性质也发生了较大变化。由热处理前后薄膜的X射线衍射 (XRD)发现 ,经过退火处理后薄膜发生了从非晶态到晶态的相变。
顾四朋侯立松刘波陈静
关键词:薄膜物理学光学常数X射线衍射
AgInSbTe薄膜的短波长记录性能分析被引量:1
2002年
采用自制的装置研究了Ag5In5Sb47Te3 3 薄膜的静态记录性能与记录激光的功率和脉冲宽度的关系 ,并对其记录畴形貌特点进行了直接观察。结果表明只有记录激光的功率和脉冲宽度在一定范围之内才能起到信息记录的作用 ,所得的记录畴形貌十分清晰 ,基本为非晶态Ag5In5Sb47Te3 3 ;小于该范围的激光能量不能使材料结构发生较大的变化 ,所得的记录畴形貌模糊 ,反射率对比度低于 2 % ;大于该范围所得的记录畴由烧蚀区和其周围的非晶态Ag5In5Sb47Te3 3 组成。另外 ,得到了记录激光功率为 12mW、脉冲宽度为 90ns的Ag5In5Sb47Te3 3 薄膜的短波长最佳记录条件 ,其记录畴的反射率对比度为 2 2 % ,直径为 380nm~ 4 0 0nm。
魏劲松阮昊陈仲裕干福熹
关键词:短波长信息存储可擦写光盘
溴代酞菁铜衍生物薄膜的折射率和吸收特性被引量:3
2002年
通过旋涂法在单晶硅片上制备了一系列含有不同数目溴取代基的酞菁铜衍生物 :一溴代四烷氧基酞菁铜(MBTAPcCu) ,二溴代四烷氧基酞菁铜 (DBTAPcCu) ,四溴代四烷氧基酞菁铜 (TBTAPcCu)和无溴代四烷氧基酞菁铜 (NBTAPcCu)薄膜 ,利用同步旋转起偏检偏器 (RAP)型的宽谱扫描全自动椭圆偏振光谱仪测定了上述薄膜的椭偏光谱 ,获得了该系列薄膜的复折射率、复介电常数和吸收系数 ,研究了溴取代基对酞菁铜衍生物薄膜光学性质的影响。
吴谊群顾冬红干福熹
关键词:偏振光谱折射率光学性质
对有机材料用于高密度光盘数据存储的几点看法被引量:26
1999年
讨论了将有机材料用于高密度光盘数据存储的可能性 ,并对其物理、化学稳定性。
干福熹
关键词:数据存储HD-DVD
激光致晶态Ag_(11)In_(12)Te_(26)Sb_(51)相变介质光学常数的研究被引量:4
2002年
研究了结晶度对Ag11In12 Te2 6Sb51相变薄膜光学常数的影响。用初始化仪使相变薄膜晶化 ,改变晶化参量得到不同的结晶度 ,当转速固定时 ,随激光功率的增加 ,折射率基本随之减小 ,消光系数先是增大 ,而后减小 ;当激光功率固定时 ,随转速的增大 ,折射率也随之增大 ,消光系数也是先增大后减小。非晶态与晶态间的变换、薄膜微结构的变化 (包括晶型的转变和原子间键合状态的变化 )以及薄膜内残余应力是影响Ag11In12 Te2 6Sb51相变薄膜复数折射率的主要原因。测量了单层膜的透过率和CD RW相变光盘中Ag11In12 Te2
刘波阮昊干福熹
关键词:晶态光学常数结晶度
激光致晶态Ge_2Sb_2Te_5相变介质的光学常数被引量:1
2002年
利用椭偏仪和光谱仪研究了结晶程度对 Ge2 Sb2 Te5相变薄膜光学常数的影响 .当初始化仪转速固定时 ,随激光功率的增加 ,折射率基本随之减小 ,消光系数逐渐增大 ,透过率逐渐减小 ;当激光功率固定时 ,随转速的增大 ,折射率也随之增大 ,消光系数随之减小 ,透过率逐渐增加 .非晶态与晶态间的变换、薄膜微结构的变化 (包括原子间键合状态的变化 )以及薄膜内残余应力是影响 Ge2 Sb2 Te5相变薄膜复数折射率的主要原因 .测量了 CD- RW(可擦重写光盘 )中 Ge2 Sb2
刘波阮昊干福熹
关键词:光学常数折射率消光系数光存储介质
相变光存储研究的新进展被引量:17
2002年
光存储朝着高密度、大容量、高数据传输速率、多功能方向发展。可擦重写相变光存储介质和技术吸引着越来越多研究者的兴趣。本文主要综述了相变光存储原理。
顾四朋侯立松
关键词:相变材料高密度存储技术存储介质信息存储
Ge-Sb-Te-O相变薄膜的光学性质研究被引量:2
2001年
研究了单层 Ge- Sb- Te- O射频溅射薄膜在 40 0 nm~ 80 0 nm区域的光学常数 ( N,K)和反射、透射光谱 ,发现适当的氧掺杂能增加退火前后反射率对比度 ,因此 ,可以通过氧掺杂改良 Ge- Sb-
顾四朋侯立松曾贤成赵启涛
关键词:光存储
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