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国际科技合作与交流专项项目(08520741400)

作品数:5 被引量:15H指数:2
相关作者:孟凡英汪建强张松程雪梅韩涛更多>>
相关机构:上海交通大学更多>>
发文基金:国际科技合作与交流专项项目上海市卫生系统百名跨世纪优秀学科带头人培养计划教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
相关领域:电气工程更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电气工程

主题

  • 4篇电池
  • 4篇太阳电池
  • 2篇异质结
  • 1篇电特性
  • 1篇电学
  • 1篇钝化
  • 1篇选择性
  • 1篇选择性发射极
  • 1篇氧化硅
  • 1篇氧化物薄膜
  • 1篇异质结太阳电...
  • 1篇银纳米颗粒
  • 1篇双层膜
  • 1篇态密度
  • 1篇体硅
  • 1篇透过率
  • 1篇透明导电
  • 1篇透明导电氧化...
  • 1篇透明导电氧化...
  • 1篇纳米

机构

  • 5篇上海交通大学

作者

  • 5篇汪建强
  • 5篇孟凡英
  • 3篇张松
  • 2篇程雪梅
  • 1篇韩涛
  • 1篇叶庆好
  • 1篇胡宇
  • 1篇黄建华
  • 1篇李翔
  • 1篇李晨

传媒

  • 3篇上海交通大学...
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2009
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
低成本选择性发射区太阳电池的制备和特性被引量:2
2011年
运用Matlab软件,在电池能量损耗最小前提下,对选择性发射极(Slective Emitter,SE)电池的栅线间距和宽度进行了模拟计算.在理论计算指导下,在国产化设备的太阳电池生产线上,采用印刷技术实现选择性磷源涂覆和扩散,并制成电池,通过电化学测试、伏安曲线、量子效率(Quantum Efficiency,QE)等检测分析,初步发现,印刷涂覆的SE太阳电池输出特性优于常规工艺制备的电池,转化效率提高约1%.
张松孟凡英汪建强刘峰李翔黄建华
关键词:高效太阳电池选择性发射极
非晶硅/晶体硅(a-Si/c-Si)异质结被引量:1
2011年
通过对非晶硅/晶体硅(a-Si/c-Si)异质结能带不连续、发射结掺杂以及界面态密度进行分析,研究它们对a-Si/c-Si异质结的界面特性,以及a-Si(N+)/c-Si(P)结构电池性能的影响.研究发现,能带不连续以及a-Si发射结高掺杂有利于实现界面复合机制由以悬挂键复合主导的复合机制向由少数载流子复合占主导的SRH(Shockly-Read-Hall)复合机制转变,有效降低界面复合速率.AFORS-HET软件模拟显示:在c-Si(P)衬底掺杂浓度为1.6×1016cm-3时,a-Si(N+)发射结掺杂浓度大于1.5×1020cm-3是获得高电池效率的必要条件;与短路电流密度相比,开路电压受a-Si/c-Si界面态密度影响更明显.
汪建强高华张剑张松李晨叶庆好孟凡英
关键词:界面态密度
银纳米颗粒减反射特性的理论研究被引量:4
2011年
为增强晶体硅太阳电池的光利用效率,提高光电转换效率,研究了金属银纳米颗粒的光学散射性质.基于银纳米粒子表面等离子激元效应和MIE散射理论,采用Matlab数值计算,理论分析了不同银纳米颗粒尺寸和银粒子分布密度对太阳光谱各波长的散射特性.获得了实现高的光透过率所需最佳银纳米颗粒半径范围,研究发现随着银纳米颗粒半径增加,偶极峰红移、高极峰逐渐出现.定量地给出了最佳颗粒分布密度随银粒子半径的变化规律,建立了计算减反射膜透射率的理论方法,找到了银纳米颗粒光学透过率的简单函数表达式,能为实验研究提供理论指导.
韩涛孟凡英张松汪建强程雪梅
关键词:银纳米颗粒透过率MIE理论太阳电池
p型晶体硅异质结太阳电池光电特性模拟研究被引量:8
2012年
利用AFORS-HET软件模拟以p型晶体硅为衬底的异质结太阳电池的特性。太阳电池的基本结构为:TCO/n-a-Si∶H/i-a-Si∶H/p-c-Si/Ag,通过改变电池材料的特征参量,分析电池输出特性随相关参量变化的规律。结果表明,与ITO相比,以ZnO为透明导电极的电池在短波光和可见光波段光谱响应更强,短路电流密度和电池效率更高。此外,在所建立的电池模型中,限定掺杂型非晶硅层的厚度为10nm,改变本征非晶硅层厚度,模拟研究找到了电池的短路电流、开路电压、填充因子及光电转换效率随本征层厚度变化的规律和最优值,通过模拟研究发现有背场的双面电池比无背场电池的开路电压增加4.8%,最高转换效率达21.25%。
程雪梅孟凡英汪建强李祥黄建华
关键词:异质结太阳电池
SiO2薄膜对太阳电池电学性能的影响被引量:1
2009年
研究了SiO2薄膜对晶体硅片的钝化作用及其对太阳电池电学性能的影响.基于PC1D软件,对SiO2/SiNx双层膜结构的硅太阳电池进行模拟,分析了硅片前表面复合速率和体寿命对电学特性的影响.模拟结果表明,当前表面复合速率大于104cm/s时,电池输出特性线性衰降;当体寿命小于30μs时,电池的开路电压和短路电流随体寿命的增加而线性增加.对比研究了SiO2、SiNx和SiO2/SiNx3种薄膜对晶体硅片的钝化效果.结果表明,SiO2/SiNx钝化的硅片在退火处理后有效少子寿命提高,具有这种双层膜的太阳电池短路电流、开路电压、光电转换效率和量子效率都有明显改善.
胡宇孟凡英汪建强李翔黄建华
关键词:二氧化硅钝化双层膜太阳电池
共1页<1>
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