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国家自然科学基金(60806011)

作品数:3 被引量:6H指数:2
相关作者:李文钧郑伟刘军孙玲玲王皇更多>>
相关机构:杭州电子科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 1篇低功耗
  • 1篇信号
  • 1篇压缩感知
  • 1篇语音
  • 1篇语音信号
  • 1篇正交匹配追踪
  • 1篇射频
  • 1篇射频器件
  • 1篇耐压
  • 1篇功耗
  • 1篇感知
  • 1篇版图
  • 1篇RESURF
  • 1篇SOI
  • 1篇SOI_LD...
  • 1篇TCAD
  • 1篇LDMOS
  • 1篇MOSFET

机构

  • 3篇杭州电子科技...

作者

  • 3篇李文钧
  • 2篇孙玲玲
  • 2篇刘军
  • 2篇郑伟
  • 1篇申屠旭丹
  • 1篇苗田乐
  • 1篇王皇

传媒

  • 2篇电子器件
  • 1篇电子科技

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2011
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
基于正交匹配追踪算法的语音信号重构研究被引量:2
2018年
压缩感知理论是近年来提出的一种新兴的基于信号稀疏性的采样理论。正交匹配追踪算法是其中一种典型的重构方法,文中针对语音信号重构中存在的不足,采用正交匹配追踪算法对语音信号进行信号重构,相比于传统的压缩感知的重构算法更加地适用于对含噪语音、重构语音质量会更高,去噪效果也会更明显。为语音信号CS性能的基础性的研究提供了参考。
陈益李文钧
关键词:压缩感知正交匹配追踪
基于RESURF理论的SOI LDMOS耐压模型研究(英文)被引量:2
2011年
对SOI LDMOS器件的击穿电压进行了研究,建立了适用于该器件的RESURF耐压模型,获得了表面电势和电场分布解析表达式,给出了SOI LDMOS器件漂移区的最优浓度,在此基础上将该模型嵌入半导体工艺模拟以及器件模拟软件(Sen-taurus TCAD)中,并对SOI LDMOS器件的表面电场分布、击穿特性和I-V特性进行了仿真,得到的仿真结果验证了模型可以精确的表征SOI LDMOS器件的耐压。
苗田乐李文钧王皇郑伟申屠旭丹刘军孙玲玲
关键词:SOILDMOSRESURFTCAD
基于90nm低功耗NMOS工艺射频器件的版图优化被引量:2
2011年
从器件版图结构的布局布线出发,提出了射频器件性能增强的的方法。寄生电容,寄生电阻会明显弱化大尺寸器件的射频性能,通过多个小尺寸单元管子的并联,形成大尺寸器件,从版图的布局布线出发,减小寄生电容,寄生电阻,优化器件结构,提升射频性能。在总栅宽一定时,通过变换单元器件的栅指数与器件的并联数,寻找最佳组合。通过优化,功率增益截至频率提升约300 GHz。
郑伟李文钧刘军孙玲玲
关键词:版图
共1页<1>
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