河北省自然科学基金(603138)
- 作品数：12 被引量：8H指数：2
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- 掺杂AgCl中光电子衰减特性研究
- 2009年
- 利用微波吸收介电谱检测技术,检测均匀掺杂[Fe(CN)6]4-盐的立方体AgCl微晶首次曝光后的自由和浅束缚光电子的衰减时间分辨谱。实验发现,随着掺杂浓度的增加,样品中自由光电子衰减时间逐渐从未掺杂时的116ns延长至1133ns。分析光电子衰减曲线还同时得到,随着掺杂浓度的增加,光电子的前期较慢衰减过程逐渐变快,后期较快衰减过程逐渐变慢,总体上衰减时间逐渐增加,且掺杂浓度变化对后期衰减影响较大。研究表明掺杂使得晶体中引入了能总体上延缓光电子衰减的浅电子陷阱,并且随掺杂浓度的增加,浅电子陷阱特征更加明显。
- 代秀红张荣香李晓苇董国义杨少鹏韩理
- 关键词：浅电子陷阱
- 掺有浅电子陷阱的AgCl微晶的光电子衰减谱的时间分辨特性被引量：1
- 2005年
- 利用微波吸收技术研究了K4Ru(CN)6浅电子陷阱掺杂剂对立方体AgCl微晶光生电子时间分辨特性的影响。结果表明,掺杂剂的掺杂量以及掺杂位置对乳剂的光生电子时间分辨特性都有影响。掺杂量为245×10-5mol·(molAg)-1,掺杂位置75%Ag时自由电子的衰减最慢,寿命最长。
- 杨少鹏傅广生董国义代秀红韩理
- 关键词：自由电子微波吸收立方体CN
- 掺杂Ir盐的立方体AgCl微晶中光电子的衰减特性
- 2005年
- 电子陷阱掺杂剂通过改变卤化银微晶的内部结构来影响光电子寿命和填隙银离子行为,从而能有效地改善卤化银感光性能。本文主要介绍采用微波吸收介电谱检测技术,检测在立方体AgCl微晶中30%Ag位置处掺杂(NH4)4IrCl6的光电子衰减时间分辨特性,结果表明:[IrCl6]4 原子团引入的掺杂中心起较深电子陷阱的作用。通过对室温条件下光电子衰减随掺杂浓度变化关系的分析得出:掺杂(NH4)4IrCl6浓度越小,光电子衰减时间越长,对潜影形成所起的作用越大,掺杂效果越好。
- 李晓苇田晓东代秀红董国义傅广生
- 关键词：卤化银掺杂电子陷阱
- 甲酸根离子掺杂的AgCl乳剂增感后的光电子特性研究
- 2008年
- 甲酸根离子作为一种"空穴-电子转换剂"掺杂在卤化银中可以提高潜影形成过程中光电子的利用率。将不同位置甲酸根离子掺杂的立方体AgCl乳剂又经相同条件的硫加金或感绿染料增感后,采用微波吸收介电谱检测技术对样品在脉冲激光作用下所产生的光电子衰减信号进行检测,通过分析光电子的衰减特性,发现甲酸根离子仍然能发挥其空穴陷阱效应,而且自由光电子的衰减时间和寿命与未增感的掺杂乳剂随掺杂位置的变化趋势一致。
- 周娴杨少鹏傅广生
- 关键词：增感
- 不同类型掺杂剂对AgCl微晶中光电子衰减特性影响
- 2013年
- 电子陷阱掺杂可明显改善晶体材料中光电子衰减特性,最终改善其物理性能。利用微波吸收介电谱检测技术,对30%Ag位置处掺杂不同浓度K4[Ru(CN)6]和(NH4)2IrCl6的立方体AgCl微晶中自由和浅束缚光电子衰减时间(FDT,SDT)分辨谱进行了检测。结果表明,对于掺杂K4[Ru(CN)6]的样品,随掺杂浓度增加,FDT逐渐从157ns延长至520ns;且不同浓度掺杂时的FDT均大于未掺杂时的FDT(150ns)。而对于掺杂(NH4)2IrCl6的情况,随掺杂浓度增加,FDT逐渐从126ns减小至45ns;且不同浓度掺杂时的FDT均小于未掺杂时的FDT(150ns)。分析得知,K4[Ru(CN)6]掺杂在AgCl中引入了能暂时俘获光电子的浅电子陷阱(SETs);而(NH4)2IrCl6掺杂在AgCl中引入了能长时间俘获光电子的深电子陷阱(DETs)。同时对光电子衰减动力学过程分析得知,陷阱的类型对光电子衰减寿命分区影响不同,SETs的引入使光电子衰减寿命曲线明显呈现两个指数衰减区,而DETs的引入使光电子衰减寿命曲线只呈现一个指数衰减区。
- 代秀红董国义李晓苇杨少鹏韩理傅广生
- 关键词：掺杂电子陷阱
- 甲酸根离子均匀掺杂的卤化银中的光电子特性
- 2008年
- 甲酸根离子(HCO2-)作为一种"空穴-电子转换剂"掺杂在卤化银中,可以提高潜影形成过程中光电子的利用率,俘获光生空穴,减少潜影形成过程中电子-空穴复合所造成的电子损失;同时还可以释放一个电子,提高感光效率。采用微波吸收介电谱检测技术,检测了不同浓度甲酸根离子均匀掺杂的立方体AgCl和AgBr乳剂在脉冲激光作用下所产生的光电子衰减信号。通过比较光电子的衰减时间和寿命,分析了甲酸根离子的空穴陷阱效应对立方体AgCl和AgBr乳剂中光电子衰减行为的影响,并得到了最佳均匀掺杂浓度(10-5mol/molAg)。
- 周娴杨少鹏傅广生
- 关键词：卤化银
- 浅电子陷阱掺杂对AgCl中光电子衰减特性的影响被引量：1
- 2011年
- 利用微波吸收介电谱检测技术,对均匀掺杂[Ru(CN)6]4-的立方体AgCl微晶中自由和浅束缚光电子时间分辨谱进行了检测。实验结果表明,样品曝光后,光生电子数量达到极大值所需时间随掺杂浓度增加逐渐变长;且随掺杂浓度的增加,自由光电子衰减时间逐渐从未掺杂时的157ns延长至1 071ns。在分析光电子衰减曲线时发现,掺杂影响光电子的前期和后期衰减过程,主要是后期过程;且随掺杂浓度增加,光电子的前期和后期衰减都逐渐变慢。通过对比掺杂[Fe(CN)6]4-的研究结果发现,掺杂[Ru(CN)6]4-引入了浅电子陷阱(SETs),其深度较[Fe(CN)6]4-的浅。
- 代秀红李新政董国义李晓苇杨少鹏韩理
- 掺杂的AgCl微晶在化学增感条件下的光电子衰减特性被引量：4
- 2006年
- 利用微波吸收介电谱技术研究了KaFe（CN）6浅电子陷阱掺杂剂和S＋Au增感剂对立方体AgCl微晶光生电子衰减时间分辨特性的影响。结果表明，掺杂浓度为10^-8～10^-7mol·mol^-1 Ag时，在增感之前，掺杂位置越接近表面时，光电子衰减过程会变慢，即衰减时间增加；S＋Au增感后的掺杂乳剂中光电子衰减变快，说明了增感中心起深电子陷阱作用，当掺杂位置接近表面90％Ag时，光电子衰减时间突然减小，说明表面掺杂中心和增感中心可能发生了某些反应。
- 李晓苇江晓利孟涛代秀红赵晓辉董国义韩理
- 关键词：氯化银浅电子陷阱掺杂
- 立方体溴化银颗粒光谱增感的电子转移超快动力学研究
- 2005年
- 本文利用皮秒时间分辨条纹相机技术检测了3种染料在立方颗粒溴化银上吸附后形成聚集体的荧光光谱,分析了3种染料在不同染料浓度下对染料聚集体到溴化银导带的超快电子转移过程的影响,进而分析其对增感效率的影响关系,并探讨了增感过程的微观机理.实验结果表明,荧光衰减的动力学曲线与一个双指数函数拟合得相当好,存在一快一慢两个衰减成分,快衰减成分占拟合较大比例,表明其源于与荧光衰减相竞争的从激发态染料聚集体到AgBr导带的电子转移.光致电子转移的速率及增感效率随着染料相对浓度的增加表现出一定的变化趋势,染料浓度增加,增感效率减小.
- 杨少鹏范国志曹宁李晓苇韩理傅广生
- 关键词：光谱增感电子转移速率条纹相机溴化银
- 卤化银微晶中浅电子陷阱的阈值效应
- 2004年
- 依据描述卤化银微晶中光生载流子的微观动力学过程的基本模型 ,分析了自由光电子衰减时间随浅电子陷阱深度和密度的变化情况 ,从而对浅电子陷阱的阈值效应进行了讨论 ,给出了确定卤化银乳剂中浅电子陷阱最佳掺杂条件的依据。
- 张荣香刘荣鹃耿爱丛韩理李晓苇杨少鹏傅广生
- 关键词：卤化银微晶光生载流子浅电子陷阱
