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国家自然科学基金(50472058)

作品数:7 被引量:9H指数:2
相关作者:邱东江施红军吴惠桢王俊丁扣宝更多>>
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文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 7篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇微结构
  • 4篇光学
  • 4篇磁特性
  • 3篇ZNO薄膜
  • 2篇电学
  • 2篇电学特性
  • 2篇退火
  • 2篇立方相
  • 2篇光学特性
  • 2篇ZN
  • 2篇衬底
  • 2篇衬底温度
  • 2篇磁学
  • 2篇磁学特性
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体共振
  • 1篇离子
  • 1篇媒介
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光

机构

  • 8篇浙江大学

作者

  • 7篇邱东江
  • 4篇施红军
  • 3篇吴惠桢
  • 3篇刘谱成
  • 2篇丁扣宝
  • 2篇王俊
  • 1篇翁圣
  • 1篇樊瑞新
  • 1篇蒋银土
  • 1篇范文志
  • 1篇罗孟波
  • 1篇余萍
  • 1篇郏寅
  • 1篇顾智企

传媒

  • 3篇功能材料
  • 2篇物理学报
  • 1篇Chines...
  • 1篇浙江大学学报...
  • 1篇第六届中国功...
  • 1篇第六届中国功...

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2008
  • 5篇2007
  • 1篇2006
7 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
以表面等离子体为媒介的ZnO薄膜发光增强特性研究被引量:1
2011年
采用两步法制备Si基Ag/ZnO双层结构薄膜,研究了Ag覆盖层的厚度和生长温度T对ZnO近带边发光强度的影响.对于厚度为100nm的ZnO薄膜,发现Ag覆盖层的最佳厚度仅为8nm,此时双层薄膜相对于单层ZnO薄膜的发光增强因子η达到最大值8.1;同时还发现,在最佳Ag层厚度下,生长温度T≥300℃时生长Ag所获Ag/ZnO双层薄膜的ZnO发光强度比生长温度T≤200℃时生长的双层薄膜样品大一倍以上,η≈18.结合对双层薄膜表面形貌的测量,发现高生长温度下得到的双层薄膜样品的高η值可归因于高表面粗糙度导致高的外量子效率.
邱东江范文志翁圣吴惠桢王俊
关键词:表面等离子体共振
石英衬底上生长的立方相Zn1-xMnxO薄膜及其光学、磁学特性
采用电子束反应蒸发法,(MnO)(ZnO)(y ≥0.3)陶瓷靶作为蒸发源,高 Ar 含量的 Ar/O混合气为反应气体,在石英玻璃衬底上生长得到 Mn 含量超过 50%(原子分数)的 ZnMnO 薄膜.场发射扫描电子显微...
邱东江罗盂波丁扣宝施红军
文献传递
衬底温度对电子束反应蒸发生长的ZnxCo1-xO薄膜性能的影响
采用电子束反应蒸发法生长 ZnCO 薄膜.通过 X 射线衍射、场发射扫描电子显微镜、光致荧光光谱(PL)、室温 M-H 曲线等测量研究衬底温度对 Zn CoO 薄膜微结构及光学、磁学特性的影响.结果表明,250~350℃...
刘谱成邱东江施红军蒋银土顾智企吴惠桢
关键词:微结构光学特性磁特性
文献传递
Growth temperature dependent evolutions of microstructural,optical and magnetic properties of Zn_(0.75)Co_(0.25)O films
2008年
Zn0.75 Co0.25 O films are fabricated via reactive electron beam evaporation.The influence of growth temperature on the microstructural,optical and magnetic properties of Zn0.75 Co0.25 O films is investigated by using x-ray diffraction,selected area electron diffraction,field emission scanning electron microscope,high resolution transmitting electron microscope,photoluminescence(PL),field dependent and temperature dependent DC magnetization,and x-ray photoelectron spectroscopy(XPS).It is shown that Zn 0.75 Co 0.25 O films grown at low temperatures(250-350 C) are of single-phase wurtzite structure.Films synthesized at 300 or 350 C reveal room temperature(RT) ferromagnetism(FM),while superparamagnetism for 250 C fabricated films is found above 56 K.PL and XPS investigations show favour towards the perspective that the O-vacancy induced spin-split impurity band mechanism is responsible for the formation of RT FM of Zn0.75 Co0.25 O film,while the superparamagnetism of 250 C fabricated film is attributed to the small size effect of nanoparticles in Zn0.75 Co0.25 O film.
邱东江冯春木冯爱明吴惠桢
关键词:光致发光
Al掺杂ZnO薄膜的微结构及电学特性被引量:6
2006年
用(ZnO)1-x(Al2O3)x(x=w(Al2O3)=0、0.01、0.02、0.05)陶瓷靶材为原料,通过电子束反应蒸发生长了非故意掺杂及Al掺杂的ZnO薄膜.采用X射线衍射、Raman散射及霍尔效应技术研究了薄膜的晶体微结构及电学特性.结果表明,由(ZnO)1-x(Al2O3)x(x≤0.02)的靶材生长得到的Al掺杂ZnO薄膜仍具有高度c-轴取向的纤锌矿晶体结构,但随着薄膜中Al掺入量的增加,其c-轴取向性有所退化;Raman光谱测量表明,Al掺杂ZnO薄膜的本征内应力随着Al掺入量的增加而增大,(ZnO)0.98(Al2O3)0.02薄膜中Al和Zn的原子个数比为6∶94,此时薄膜的内应力已接近饱和;Al掺杂ZnO薄膜的电阻率随着Al掺入量的增加呈现先减小后增大的特征,(ZnO)0.98(Al2O3)0.02薄膜具有最小的电阻率(7.85×10-4Ω.cm),这归因于该类薄膜同时具有高电子浓度(1.32×1021cm-3)和较高的电子迁移率(6.02 cm2/(V.s)).
余萍邱东江樊瑞新施红军吴惠桢
关键词:ZNO薄膜AL掺杂微结构电学特性
石英衬底上生长的立方相Zn1-xMnxO薄膜及其光学、磁学特性
2007年
采用电子束反应蒸发法,(MnO)y(ZnO)1-y(y≥0.3)陶瓷靶作为蒸发源,高心含量的Ar/O2混合气为反应气体,在石英玻璃衬底上生长得到Mn含量超过50%(原子分数)的Zn1-xMnxO薄膜。场发射扫描电子显微镜和X射线衍射测量显示x〉O.5的Zn1-xMnxO薄膜呈单一晶相的立方相、岩盐矿结构。这与采用abinifio方法计算得到的结果一致(作为简化,计算时未考虑Mn的自旋的影响),即对于x≥0.5的Zn1-xMnxO材料体系,其取类MnO的立方岩盐矿结构比取类ZnO的六方相纤锌矿结构更稳定。对石英玻璃基Zn1-xMnxO薄膜的紫外.可见透射光谱测量表明,随着Mn含量从0增大到0.68,Zn1-xMnxO薄膜的光学带隙从3.35eV增大到5.02eV.磁性测量结果表明,所制备立方Zn0.32Mn0.68O薄膜在室温下没有表现出宏观磁性.
邱东江罗孟波丁扣宝施红军
衬底温度对电子束反应蒸发生长的ZnxCo1-xO薄膜性能的影响
2007年
采用电子束反应蒸发法生长ZnxCo1-xO薄膜。通过X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、光致荧光光谱(PL)、室温M-H曲线等测量研究衬底温度对Zn0∞C00-250薄膜微结构及光学、磁学特性的影响。结果表明,250~350℃温度范围内生长的Zn0.75Co0.25O薄膜具有单一的纤锌矿结构,但当温度超过400℃时产生CoO杂相偏析。在300或350℃衬底温度下生长Zn0.75Co0.25O薄膜具有室温铁磁性,PL测量结果表明Zn0.75Co0.25O薄膜的室温铁磁性很可能起源于氧空位缺陷诱导的自旋劈裂杂质带机制.而250℃生长Zn0.75Co0.25O薄膜在室温下呈现超顺磁性,超顺磁性的产生是Zn0.75Co0.25O晶粒的小尺寸效应所导致。
刘谱成邱东江施红军蒋银土顾智企吴惠桢
关键词:微结构光学特性磁特性
退火对Mn和N共掺杂的Zn_(0.88)Mn_(0.12)O:N薄膜特性的影响被引量:2
2008年
以NH3为掺N源,采用电子束反应蒸发技术生长了Mn和N共掺杂的Zn1-xMnxO:N薄膜,生长温度为300℃,然后在O2气氛中400℃退火0.5h.X射线衍射测量表明,Zn0.88Mn0.12O(Mn掺杂)薄膜或Zn0.88Mn0.12O:N(Mn和N共掺杂)薄膜仍具有单一晶相纤锌矿结构,未检测到杂质相.与不掺N的Zn0.88Mn0.12O薄膜相比,Zn0.88Mn0.12O:N薄膜的(002)晶面衍射峰向小角度方向偏移且半高宽变宽.Hall效应测量结果显示,Zn0.88Mn0.12O:N薄膜由退火前的n型导电转变为退火后的p型导电.室温磁特性测量结果表明,虽然原生Zn0.88Mn0.12O:N薄膜呈铁磁性,但其饱和磁化强度Ms折算到每个Mn2+仅为约0.20μB,且稳定性不理想,在大气中放置30d后Ms降低到原来的3%左右.退火处理不仅使Zn0.88Mn0.12O:N薄膜的室温Ms增大到每个Mn2+约为0.70μB,且在大气中放置30d后其Ms几乎不变.分析了Zn0.88Mn0.12O:N薄膜的铁磁性起源及退火导致其铁磁性增强并稳定的机理.
邱东江王俊丁扣宝施红军郏寅
关键词:ZNO薄膜电学特性磁特性
Ar气氛中退火对Zn_(0.66)Co_(0.34)O薄膜性能的影响
2007年
采用电子束反应蒸发生长Zn0.66Co0.34O薄膜,生长温度仅为250℃,尔后在Ar气氛中500℃退火1h。场发射扫描电镜测量显示薄膜由粒径约10~20nm的晶粒所构成。X射线衍射测量表明薄膜在退火前后均呈类ZnO的六方纤锌矿结构。振动样品磁场计测量室温下薄膜的M-H曲线,结果显示退火前薄膜呈超顺磁性,退火后则为铁磁、超顺磁混合态,这表明退火提供了足够能量使得薄膜中一部分磁性Zn0.66Co0.34O小晶粒融合成大晶粒,新晶粒的尺寸超过了Zn0.66Co0.34O材料的超顺磁临界半径而表现出铁磁性,但由于另有部分晶粒仍表现为超顺磁性,故薄膜呈铁磁性与超顺磁性的混合态。
刘谱成邱东江
关键词:退火微结构磁特性
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