广东省粤港关键领域重点突破项目(2B2003A107)
- 作品数：10 被引量：36H指数：3
- 相关作者：冯玉春牛憨笨彭冬生施炜刘晓峰更多>>
- 相关机构：深圳大学中国科学院河北工业大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 蓝宝石表面处理对氮化镓光学性质的影响被引量：5
- 2008年
- 采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.利用GaN薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射率色散公式,计算得到GaN薄膜厚度,与椭偏光谱结果几乎一致;在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长的GaN薄膜表现出更优异的光学质量和结晶质量,其透射谱具有更高的透射率和更大的调制深度,而且其光致发光谱中的黄光带几乎可以忽略.
- 彭冬生冯玉春刘文刘毅牛憨笨
- 关键词：GAN薄膜光学性质表面处理MOCVD
- Monte Carlo模拟薄膜生长的研究被引量：3
- 2006年
- 阐述了MonteCarlo方法在薄膜生长中的应用和最新进展;简要论述了MonteCarlo算法的类型及各自的特点;结合MonteCarlo方法的特点,提出了模拟薄膜生长的模型以及处理方法。同时,归纳出MonteCarlo模拟薄膜生长需要解决的主要问题。
- 彭冬生冯玉春牛憨笨
- 关键词：MONTE薄膜生长
- 双缓冲层法在硅上外延生长GaN研究
- 2005年
- 利用金属有机物化学金相沉积MOCVD在Si(111)衬底上,以高温AlN和低温GaN为缓冲层生长的GaN薄膜,得到GaN(0 0 0 2 )和(10-12 )的双晶X射线衍射(DCXRD)半高宽(FWHM )分别为72 1和840s。采用高分辨率DCXRD ,扫描电子显微镜(SEM )分析。结果表明,以10 40℃生长的AlN缓冲层能防止Ga与Si反应形成无定形的Si Ga结构,是后续生长的“模板”。低温的GaN缓冲层可有效减低外延层的缺陷。DCXRD测得的FWHM为0 .2 1,GaN峰强达7K。
- 朱军山胡加辉徐岳生刘彩池冯玉春郭宝平
- 关键词：SI(111)GAN
- Si(111)外延GaN的表面形貌及形成机理研究
- 2005年
- 用高温A lN作缓冲层在Si(111)上外延生长出GaN薄膜。通过对薄膜表面扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)的分析,确定缓冲层对外延层形貌的影响,分析解释了表面形貌中凹坑的形成及缓冲层生长温度对凹坑的影响。结果表明:温度的高低通过影响缓冲层初始成核密度和成核尺寸来影响外延层表面形貌。
- 朱军山徐岳生刘彩池赵丽伟滕晓云
- 关键词：SI(111)GANMOCVD
- 预处理蓝宝石衬底上生长高质量GaN显示薄膜(英文)被引量：2
- 2008年
- 采用化学方法腐蚀部分c-面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用LP-MOCVD在此经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜。采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、光致发光光谱(PL)、透射光谱分析GaN薄膜的晶体质量和光学质量。分析结果表明,GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致,即透射率越大,半高宽越小,结晶质量越好;对蓝宝石衬底进行前处理可以大大改善GaN薄膜的晶体质量和光学质量,其(0002)面及(102)面XRD半高宽(FWHM)分别降低到208.80arcsec及320.76arcsec ,而且其光致发光谱中的黄光带几乎可以忽略。
- 彭冬生冯玉春牛憨笨刘晓峰
- 关键词：MOCVD表面处理GAN薄膜
- Si(111)衬底上GaN的MOCVD生长被引量：4
- 2005年
- 利用LP-MOCVD在S i(111)衬底上,以高温A lN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六方相GaN薄膜。采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和室温光致荧光光谱(RT-PL)进行分析。结果表明,有偏离化学计量比富Ga HT-GaN为过渡层生长的GaN薄膜质量和光致荧光特性均明显优于以LT-GaN为过渡层生长的GaN薄膜,得到GaN(0002)和(10ī2)的DCXRD峰,其半峰全宽(FWHM)分别为698 s和842 s,室温下的光致荧光光谱在361 nm处有一个很强的发光峰,其半峰全宽为44.3 m eV。
- 胡加辉朱军山冯玉春张建宝李忠辉郭宝平徐岳生
- 关键词：氮化镓SI(111)金属有机化学气相沉积
- 多量子阱中注入载流子的非均匀分布被引量：2
- 2006年
- 根据多量子阱中注入载流子的输运机制,计算了多量子阱中注入载流子的非均匀分布.引入不均匀度参量Asy来衡量载流子分布的不均匀程度,分析了各种敏感因素对载流子非均匀分布的影响.指出注入载流子分布的非均匀性,随量子阱数、注入电流、量子垒高度的增加而显著增加,随工作温度的升高而减小.
- 施炜黄黎蓉段子刚冯玉春
- 关键词：多量子阱
- 蓝宝石表面处理对氮化镓薄膜的影响被引量：3
- 2007年
- 采用化学方法腐蚀c-面蓝宝石衬底,以形成一定的图案;利用LP-MOCVD在经过不同腐蚀时间的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射仪、三维视频光学显微镜、扫描电子显微镜和原子力显微镜进行分析.结果表明,对蓝宝石衬底腐蚀50 min情况下,外延生长的GaN薄膜晶体质量最优,其(0002)面上的XRD半峰全宽为202 .68arcsec ,(10-12)面上的XRD半峰全宽为300 .24arcsec ;其均方根粗糙度(RMS)为0 .184 nm.
- 彭冬生冯玉春王文欣刘晓峰施炜牛憨笨
- 关键词：表面处理MOCVDGAN薄膜
- Ni/Au与p-GaN的比接触电阻率测量被引量：3
- 2006年
- 通过采用环形传输线方法(CILM),电流-电压(I-V)曲线、表面形貌等方法,研究不同的Ni/Au厚度比和空气气氛下合金退火温度对p型氮化镓欧姆接触特性造成的影响。根据Ni/Au与p型氮化镓欧姆接触的形成机制,采用合适的Ni/Au厚度比及退火温度,得到比接触电阻率(ρc)为1.09×10-5Ω.cm2的Ni/Au-p-GaN电极,并分析了Ni在退火过程中对形成良好的欧姆接触中所起到的作用。
- 卫静婷冯玉春李炳乾杨建文刘文王质武施炜杨清斗
- 关键词：比接触电阻率
- 一种外延生长高质量GaN薄膜的新方法被引量：15
- 2006年
- 采用化学方法腐蚀c-面蓝宝石衬底,以形成一定的图案;利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上以及常规c-面蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、三维视频光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)进行分析,结果表明,在经过表面处理形成一定图案的蓝宝石衬底上外延生长的GaN薄膜明显优于在常规蓝宝石衬底上外延生长的GaN薄膜,其(0002)面上的XRDFWHM为208.80弧秒,(1012)面上的为320.76弧秒.同时,此方法也克服了传统横向外延生长技术(LEO)工艺复杂和晶向倾斜高的缺点.
- 彭冬生冯玉春王文欣刘晓峰施炜牛憨笨
- 关键词：表面处理MOCVDGAN薄膜
