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中国工程物理研究院科学技术发展基金(20060434)

作品数：3 被引量：6H指数：2
相关作者：苏伟李寅鑫刘娟更多>>
相关机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇光导
  • 2篇光导开关
  • 2篇GAAS光导...
  • 1篇使用寿命
  • 1篇碳化硅
  • 1篇温度
  • 1篇耐压
  • 1篇耐压特性
  • 1篇击穿
  • 1篇光电
  • 1篇光电导开关
  • 1篇暗态

机构

  • 3篇中国工程物理...

作者

  • 3篇李寅鑫
  • 3篇苏伟
  • 2篇刘娟

传媒

  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇信息与电子工...
  • 1篇传感器与微系...

年份

  • 2篇2009
  • 1篇2008
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
光电导开关面临的问题及发展趋势被引量：1
2009年
光电导开关具有传统高功率脉冲器件不具备的优良性能,在产生高功率脉冲领域有很大发展潜力。使用光导开关能直接从直流电源产生电磁脉冲。根据各种应用对光导开关性能指标的不同要求,将其归纳为大功率脉冲应用与超短电磁脉冲应用两类。阐述了光电导开关在理论、实用化方面遇到的问题以及目前学术界、业界对其解决的方法。对各种解决方法做出评价并展望光导开关未来发展趋势。
李寅鑫苏伟
关键词：光电导开关使用寿命碳化硅
GaAs光导开关暗态击穿原因分析被引量：2
2008年
光导开关（PCSS）在暗态耐压测试中耐压值低于理论值。根据GaAs材料特性，分析了暗态下光导开关的击穿机理。指出碰撞电离与电流控制负微分迁移率交应是导致开关击穿的直接原因。使用Silvaco半导体仿真软件对模型进行了模拟计算，结果表明温度显著影响电场、载流子浓度分布，引起碰撞电离等将就加剧，造成器件耐压值偏低。仿真结果与实验值基本相近，室温下耐压水平为33-40kV/cm。光导开关击穿特性与温度密切相关，改善光导开关散热条件可提高开关耐压水平。
李寅鑫苏伟刘娟
关键词：光导开关击穿温度
异面结构GaAs光导开关耐压特性研究被引量：3
2009年
光导开关用于产生高功率脉冲,提高光导开关的耐压能力可有效提高器件的输出功率。用SILVACO软件对共面和异面电极结构的GaAs光导开关进行了仿真分析,比较了两者的击穿电压,指出异面开关耐压性能优于共面开关。对设计制作的3mm间隙宽度的GaAs光导开关进行了耐压特性试验,并结合模拟结果进行分析。模拟结果和试验结果表明:和共面电极结构相比,异面结构的光导开关具有更高的耐压能力,击穿电场可达7.67 kV/mm。
李寅鑫苏伟刘娟
关键词：光导开关耐压特性
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