国家教育部博士点基金(20111303120002)
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
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- 铁磁形状记忆合金Mn_(50)Ni_(36)Sn_9Co_5中的动力学阻止和去阻止
- 2016年
- 用甩带快淬的方法制备了Mn50Ni36Sn9Co5合金.X射线衍射实验结果表明,Mn50Ni36Sn9Co5甩带合金在室温下为B2结构.磁性测量结果显示,当冷却场高于10 kOe时,Mn50Ni36Sn9Co5甩带合金的磁结构相变在50 K时会发生动力学阻止.通过计算10 K时冻结的奥氏体相的成分比例发现,在0～90 kOe范围内调节冷却场的大小,在低温被冻结的奥氏体相所占的比例可以在0％～50％范围内变化.此外,磁性测量结果还表明经过高场冷却冻结到低温的奥氏体相在给定温度下降低磁场或降低磁场后升温,这两个过程都能产生去阻止现象,但是两者都不能使其完全去阻止.
- 申建雷赵瑞斌翟晓霞焦艳菊李为国
- 关键词：铁磁形状记忆合金
- Ge纳米结构的形貌与铁磁性研究被引量：1
- 2013年
- 利用等离子体增强化学气相沉积技术制备了厚度不同的Ge薄膜,随着样品厚度的减小,样品表现出了室温铁磁性.厚度为12nm样品经过300C退火后,由于颗粒细化,颗粒之间的界面增加,界面缺陷增加,样品表现出最大的铁磁性(50emu/cm3).场冷却和零场冷却曲线测试表明居里温度约为350K.进行600C退火后,颗粒团聚,样品的铁磁性最小.当样品厚度进一步减小为6nm时,沉积态样品表现出铁磁性和顺磁性共存.对6nm厚的样品进行300C退火后,样品只具有铁磁性.进行600C退火后,样品却只具有顺磁性.12nm和6nm厚的Ge纳米结构薄膜随退火温度变化表现出不同的磁性规律,我们认为是由于样品的颗粒大小和颗粒分布不同造成的.样品越薄,Si基底与Ge薄膜之间的界面缺陷越明显,界面缺陷以及Ge颗粒之间的界面缺陷为样品提供了未配对电子,未配对电子的铁磁性耦合强度与样品颗粒的分布以及颗粒之间的结合有一定的关系.颗粒之间分散或颗粒之间的融合程度大都将会降低样品的铁磁性.
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- 关键词：铁磁性
