国家自然科学基金(10502024)
- 作品数：9 被引量：15H指数：2
- 相关作者：周耐根周浪卢敏洪涛罗岚更多>>
- 相关机构：南昌大学江西理工大学江西科技师范学院更多>>
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- Gd_(1-x)Al_yO_z:Eu_x梯度组合芯片的组织结构和发光性能被引量：2
- 2010年
- 将组合材料芯片技术用于Gd1-xAlyOz:Eux荧光材料的研究。通过离子束溅射沉积和两步热处理技术制备Gd1-xAlyOz:Eux梯度组合材料芯片。通过X射线衍射和扫描电镜二次电子像分析发现:根据钆铝配比的不同在组合材料芯片上形成了相应的钆铝酸盐晶相;Gd4Al2O9(GAM)和GdAlO3(GAP)作为Gd2O3-Al2O3中的稳定晶体相,其单相多晶薄膜较容易形成。紫外激发发光照相记录表明Gd1-xAlyOz:Eux可以发射明亮的红色荧光(Eu3+的5D0–7F2发射,主峰值615nm),且对于Eu3+掺杂,GAP是最好的钆铝酸盐基体相。材料芯片的照相筛选结果和发射光谱、吸收光谱的分析结果一致。
- 罗岚熊志华周耐根周浪
- 关键词：离子束溅射
- 生长温度和表面增原子对外延薄膜中失配位错形成的影响
- 2007年
- 用分子动力学方法模拟了三维外延铝薄膜晶体中温度和表面增原子对失配位错形成的影响,采用的原子间相互作用势是嵌入原子法(EAM)多体势。模拟再现了薄膜中位错形成过程,结果分析表明:较高的温度和表面增原子团存在对薄膜中失配位错形成都有促进或诱发作用;模拟中观察到两种不同的位错形核过程:一种是经历多余半原子面挤出过程而直接得到一个全位错,另一种是先形成由两个部分位错夹着一片层错的扩展位错,之后才得到全位错,这两个位错的伯格斯矢量都是与失配方向平行的刃型位错。
- 潘华清周耐根周浪
- 关键词：失配位错分子动力学
- 银纳米杆中原子能量分布特征的分子动力学研究被引量：1
- 2008年
- 采用分子动力学方法和嵌入原子法(EAM)多体势函数,模拟研究了银纳米杆能量分布特征在不同温度直到熔化过程中的变化。结果显示:纳米杆中原子的势能分布曲线呈现多个分立的峰;随着温度的变化,分布曲线各个峰的位置保持不变,但峰高和峰宽明显变化;纳米杆熔化后这种能量分布特征完全消失,只有一个宽化的峰。模拟结果分析表明:纳米杆中原子势能分布曲线中每个峰对应于一定的最近邻原子数,纳米杆中每个原子的势能所处峰位由其最近邻原子数决定,偏离峰值程度则由其次近邻原子数决定。
- 卢敏周耐根周浪
- 关键词：分子动力学
- 沉积原子入射对外延铝薄膜中失配位错形成的诱发作用
- 2008年
- 运用分子动力学方法模拟研究了沉积原子的不同落点对外延铝薄膜中失配位错的诱发作用。铝原子间相互作用势为嵌入原子法(EAM)多体势。模拟结果显示,在600 K下15个原子层厚失配度为-0.06的外延铝膜中,沉积原子入射在FCC位置和HCP位置上比入射在表面原子的正上方上更容易引起失配位错形成,沉积原子入射在表面两个相邻原子连线的中点上则不能形成位错;失配位错的形核方式为挤出一个小倒正四面体构型的原子团,但其挤出方式有二种:当入射在FCC位置和HCP位置时,均为挤出一个底面平行于薄膜表面的倒正四面体构型的原子团;当入射在表面相邻两个原子连线的中点上时,挤出一个底面与薄膜表面成一定角度的倒正四面体构型的原子团。
- 黄俊周耐根周浪
- 关键词：失配位错分子动力学铝
- MEAM势与Tersoff势比较研究——碳化硅熔化与凝固行为被引量：5
- 2012年
- 运用分子动力学方法对比模拟研究了碳化硅的体熔化、表面熔化和晶体生长过程.分别采用MEAM势和Tersoff势两种势函数描述碳化硅.结果表明:体熔化时,两种势函数描述的SiC的原子平均能量、Lindemann指数和结构有序参数与温度的变化关系相似,但MEAM势对应的体熔点(4250 K)比Tersoff势(4750 K)的要高.表面熔化时,两种势函数描述的SiC在相同的过热度下熔化速度相近;而在相同的温度条件下,MEAM作用的SiC表面熔化速度更快.这是由于MEAM势SiC的热力学熔点(3338 K)低于Tersoff势SiC的热力学熔点(3430 K)的缘故.两种势函数作用的SiC在晶体生长方面差异很大.MEAM势SiC的晶体生长速度与过冷度有关,过冷度约为400 K时晶体生长速度最快.但Tersoff势SiC晶体却在过冷度为0—1000 K的范围内均不能生长.综合考虑,MEAM势比Tersoff势能更好地描述碳化硅的熔化和凝固行为.
- 周耐根洪涛周浪
- 关键词：碳化硅势函数熔化晶体生长
- [111]晶向银纳米杆结构稳定性的分子动力学模拟被引量：1
- 2008年
- 采用分子动力学模拟方法,以超细[111]晶向银纳米杆为研究对象,基于Finnis-Sinclair型多体势,模拟研究了纳米杆在不同温度弛豫过程中的动态平衡变化过程,分析研究了弛豫后银纳米杆的稳态结构变化、平均势能的变化及其在不同时刻结构的演变过程。结果表明温度对[111]晶向银纳米杆结构稳定性将产生重大影响,[111]晶向银纳米杆存在一临界失稳温度,当温度小于临界失稳温度时,体系保持完好线状晶态,当温度大于临界失稳温度小于熔点时,体系坍塌熔化后发生重结晶,截面面积增大,长度明显缩短,随温度增加此特征更加显著,接近熔点时,体系形成由(111)和(100)面围成的多面体且势能最低;当温度大于熔点时,体系变成高度无序的球状团簇。
- 卢敏罗飞刘维清魏望和
- 关键词：纳米杆分子动力学弛豫
- 失配性质对二维失配铝膜结构及位错形成的影响被引量：1
- 2011年
- 采用三维分子动力学模拟方法,使用Ercolessi和Adams建立的嵌入原子法(EAM)多体势函数,模拟了二维失配铝膜晶体中失配位错的形成过程,研究了失配性质对二维失配铝膜结构及其形核机制的影响.结果显示:同等条件下,负失配度的临界厚度小于正失配度情况;负失配度较易出现失配位错;负失配度下位错的形成始于表层一个倒三角锥形的间隙原子团;正失配度下位错的形成始于表层原子的畸变区;结构稳定后,负失配度体系在表层挤出局部原子层;正失配度体系会出现塌陷.
- 张凤林周耐根周浪
- 关键词：位错分子动力学模拟铝薄膜晶体
- 温度对金属纳米线势能分布的影响被引量：5
- 2007年
- 采用三维分子动力学模拟方法,以面心立方金属银为研究对象,基于Finnis-Sinclair型嵌入原子法(EAM)多体势,模拟研究了纳米线势能分布特征在常温下及其在不同温度直到熔化过程中的变化,给出了常温及不同温度银纳米线势能分布比例和势能分布函数.结果表明:常温下,纳米线高势能原子比例随纳米线横截面尺寸的减小而增大,势能分布函数曲线各峰位几乎与纳米线横截面尺寸无关;纳米线熔化前的势能分布函数曲线具有多个波峰,随着温度增加,峰数减少且峰位右移;熔化后,多峰特征消失,只有一个宽化的峰.
- 卢敏周耐根周浪
- 关键词：银纳米线分子动力学温度
- 采用纳米晶柱阵列衬底抑制失配位错形成的分子动力学模拟研究被引量：1
- 2008年
- 运用分子动力学方法对纳米晶柱阵列衬底上铝簿膜的外延生长进行了模拟研究.所采用的原子间相互作用势为嵌入原子法(EAM)多体势.模拟结果表明:采用纳米晶柱阵列衬底可以在不形成失配位错的条件下释放其上生长的外延薄膜晶体中的失配应变,有效地抑制其中失配位错的形成,获得高质量的外延薄膜晶体;这种纳米晶柱阵列的几何设计应满足两个基本条件:1)晶柱的横截面尺寸应大于对应温度下的晶柱热失稳临界尺寸,以克服纳米结构的热失稳,模拟显示700K下铝的热失稳临界尺寸为1.9nm;2)晶柱的高度与间距之比应大于0.76,以保证晶柱间"沟底"部分生长的低质量的薄膜被完全遮蔽而停止生长,并且相邻晶柱上的外延层能够互相桥连形成无失配位错、高质量的薄膜晶体.
- 周耐根周浪
- 关键词：失配位错分子动力学铝
