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国家自然科学基金(60772030)

作品数:2 被引量:0H指数:0
相关作者:宓彬伟王跃林张颖李金鹏焦继伟更多>>
相关机构:中国科学院中国科学院研究生院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇电荷
  • 1篇电荷转移
  • 1篇电路
  • 1篇电路设计
  • 1篇读出电路
  • 1篇读出电路设计
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子机械
  • 1篇微电子机械系...
  • 1篇相关双采样
  • 1篇惯性器件
  • 1篇PORE
  • 1篇SCR
  • 1篇WIDTH
  • 1篇采样
  • 1篇ETCHIN...
  • 1篇PASSIV...
  • 1篇PHOTOE...

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 1篇焦继伟
  • 1篇李金鹏
  • 1篇张颖
  • 1篇王跃林
  • 1篇宓彬伟

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇Chines...

年份

  • 2篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
用于MEMS惯性器件的低噪声读出电路设计
2009年
给出了一种用于MEMS惯性器件的低噪声读出电路设计,针对MEMS惯性器件大多采用电容量输出等特点,设计了一个低噪声运算放大器,利用该运放,设计了一种基于开关电容的电荷转移电路来将电容量转换为电压量,以便后续电路处理。采用了相关双采样(CDS)技术,较大地减少了电路和MEMS惯性器件的1/f噪声、热噪声,抑制了零漂。采用HHNEC 0.35μmCMOS工艺制造,面积为1 mm×2 mm,与MEMS器件封装在一起,并进行了实际测试,结果表明,该读出电路基本满足要求,并具有较低的噪声。
李金鹏焦继伟宓彬伟张颖王跃林
关键词:低噪声微电子机械系统相关双采样电荷转移惯性器件
Fast pore etching on high resistivity n-type silicon via photoelectrochemistry
2009年
In this paper, five factors, namely the HF (hydrofluoric acid) concentration, field strength, illumination intensity as well as the oxidizing-power and conductivity of electrolytes were found to strongly affect the fast pore etching. The oxidizing power of aqueous HF electrolyte of different concentrations was especially measured and analysed. A positive correlation between optimal bias and HF concentration was generally observed and the relationship was semiquantitatively interpreted. Pore density notably increased with enhanced HF-concentration or bias even on patterned substrates where 2D (two-dimensional) nuclei were densely pre-textured. The etch rate can reach 400μm/h and the aspect ratio of pores can be readily driven up to 250.
包晓清葛道晗张圣李金鹏周萍焦继伟王跃林
共1页<1>
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