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国家高技术研究发展计划(2002AA313040)

作品数：6 被引量：25H指数：4
相关作者：张永刚李爱珍郝国强顾溢朱诚更多>>
相关机构：中国科学院更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 3篇分子束
  • 3篇分子束外延
  • 2篇探测器
  • 2篇锑化物
  • 2篇INGAAS...
  • 1篇带间跃迁
  • 1篇电子学
  • 1篇短波红外
  • 1篇多量子阱
  • 1篇多量子阱材料
  • 1篇性能分析
  • 1篇跃迁
  • 1篇锑化物激光器
  • 1篇偏压
  • 1篇气态源分子束...
  • 1篇温度特性
  • 1篇量子阱材料
  • 1篇量子阱激光器

机构

  • 6篇中国科学院

作者

  • 6篇张永刚
  • 4篇李爱珍
  • 2篇唐田
  • 2篇刘盛
  • 2篇朱诚
  • 2篇郑燕兰
  • 2篇顾溢
  • 2篇郝国强
  • 1篇刘天东

传媒

  • 2篇红外与毫米波...
  • 2篇功能材料与器...
  • 1篇材料导报
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
气态源分子束外延生长扩展波长InGaAs探测器性能分析(英文)被引量：4
2006年
从理论与实验两方面对截止波长为1.7μm(x=0.53),1.9μm(x=0.6)和2.2μm(x=0.7)p in InxGa1-xAs探测器性能进行了研究.对探测器暗电流的研究结果表明,扩展波长In0.6Ga0.4As,In0.7Ga0.3As探测器在反向偏置低压区,欧姆电流占据主导地位;在反向偏置高压区,缺陷隧穿电流占主导地位;且扩展波长In0.6Ga0.4As,In0.7Ga0.3As探测器的暗电流比In0.53Ga0.47As探测器增加较大.对探测器R0A随温度及i层载流子浓度变化关系的研究结果表明,在热电制冷温度下探测器性能可得到较大提高,i层的轻掺杂可使探测器的R0A得到改善.
郝国强张永刚顾溢李爱珍朱诚
关键词：光电子学光电探测器温度特性
短波红外InGaAs/InP光伏探测器系列的研制被引量：13
2006年
采用气态源分子束外延方法及应用有源区同质结构及较薄的组分渐变InxGa1-xAs缓冲层,研制了波长扩展的InGaAs/InP光伏探测器系列,其室温下的截止波长分别约为1.9μm,2.2μm.和2.5μm.对此探测器系列在较宽温度范围内的性能进行了细致表征,结果表明在室温下其R0A乘积分别为765,10.3和12.7Ωcm2,比室温降低100K时其暗电流和R0A可改善约3个量级.瞬态特性测量表明此探测器系列适合高速工作,实测响应速度已达数十ps量级.
张永刚顾溢朱诚郝国强李爱珍刘天东
关键词：光伏探测器短波红外INGAAS气态源分子束外延
GaSb/InGaAsSb量子阱的带间跃迁设计被引量：3
2008年
采用一维方势阱模型对GaSb/InxGa1-xAs0.02Sb0.98m量子阱激光器结构的子带跃迁波长与阱宽间的关系进行了计算,并采用能量平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度。结果表明GaSb/InGaAsSb是制作2-3μm中红外波段量子阱激光器的良好材料体系,在结构设计和材料生长中采用合适的材料组分及阱宽并对应变总量进行控制是十分重要的。
刘盛张永刚
关键词：量子阱结构半导体激光器带间跃迁
InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的子带跃迁设计被引量：5
2004年
　采用有效质量框架下一维有限单势阱的Kronig Pency模型对InxGa1-xAsySb1-y/Al0.25Ga0.75As0.02Sb0.98量子阱激光器结构的子带跃迁波长及其和阱宽间的关系进行了设计,并采用能量平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度。结果表明InGaAsSb/AlGaAsSb是制作23μm中红外波段量子阱激光器的良好材料体系,然而在结构设计和材料生长中采用合适的材料组分及阱宽并对应变总量进行控制是十分重要的。
唐田张永刚郑燕兰李爱珍
关键词：激光器锑化物
锑化物激光器的研究进展被引量：2
2007年
锑化物激光器在2～5μm波段具有广阔的应用前景。综述了锑化物激光器的研究进展,重点论述了材料生长、结构设计、器件工艺、封装技术以及新的器件结构,讨论了其中存在的主要技术问题,并指出了锑化物激光器不断向长波长方向扩展的趋势。
刘盛张永刚
关键词：分子束外延锑化物激光器
InGaAsSb多量子阱材料的光致发光特性研究被引量：4
2005年
研究了InGaAsSb多量子阱材料光致发光特性。通过实验数据分析和理论计算,发现对于分子束外延(MBE)法生长的InGaAsSb多量子阱材料,生长时的衬底温度决定着材料的质量,合适的衬底温度可以明显的增加其发射的光致发光强度;组分相同时,在一定范围内,随着阱厚的增加,其发射的光致发光波长也随着增加,但是随着阱厚增大,波长增加趋于平缓。
唐田张永刚郑燕兰李爱珍
关键词：INGAASSB分子束外延多量子阱光致发光
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