浙江省自然科学基金(Y1110549)
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
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- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- Al/ZnO:Al薄膜结构的荧光增强效应被引量：1
- 2013年
- 利用物理气相沉积设备制备了Al/ZnO∶Al薄膜样品,研究了该薄膜结构的发光特性。结果表明,在ZnO∶Al薄膜表面镀一层Al岛薄膜可以增强其带边荧光,同时在475 nm附近产生蓝光峰。通过在Al岛薄膜和ZnO∶Al薄膜之间引入一层5 nm的Ta2O5绝缘层可以使ZnO∶Al薄膜的带边荧光和蓝光显著增强,并随着Ta2O5绝缘层厚度的增大而减弱。通过对Al/ZnO∶Al样品进行退火处理可以使带边荧光和蓝光峰分别增强9倍和83倍。基于局域表面等离子体共振理论,计算了Al/ZnO∶Al纳米结构的光学散射和吸收截面曲线。实验结果与理论计算相一致。
- 徐天宁卢忠隋成华吴惠桢
- 关键词：ZNO荧光增强
- 五边形截面的Ag纳米线局域表面等离子体共振模式被引量：1
- 2015年
- 五边形截面的单晶Ag纳米线对ZnO量子点荧光具有增强的现象.为解释这一现象,利用时域有限差分法对五边形截面的Ag纳米线的局域表面等离子体共振模式进行了理论模拟.结果表明,五边形截面的Ag纳米线在紫外区域存在两个消光峰,分别由Ag纳米线的横向偶极共振(340nm)和四极共振(375nm)引起;这两个消光峰与ZnO量子点荧光增强峰相一致,而且随着Ag纳米线的半径增大而红移;消光峰对应的共振模式取决于Ag纳米线的截面形状;根据Ag纳米线电场增强倍数与激发光波长变化关系曲线可知,最大增强电场位于五边形截面的顶点处,而边线处电场增强较小.理论模拟的结果较好地解释了Ag纳米线/ZnO量子点体系的荧光增强现象,也为Ag纳米线在提高半导体材料发光效率、生物探测等方面的应用提供有益的参考.
- 徐天宁李翔贾文旺隋成华吴惠桢
- 关键词：AG纳米线时域有限差分法
- Ag/ZnO纳米结构的荧光增强效应被引量：2
- 2014年
- 利用化学合成方法制备了Ag纳米线和ZnO量子点。对这两种纳米结构的表面形貌、晶体结构和光学性质分别进行了研究。结果表明:Ag纳米线和ZnO量子点均为单晶结构,平均直径分别为160 nm和5 nm左右。将Ag纳米线混入ZnO量子点可以使其紫外荧光显著增强,其中位于345 nm和383 nm的荧光分别增强30倍和12倍。这与Ag纳米线和ZnO量子点混合体系的局域表面等离子体共振耦合吸收峰位相一致,说明该体系存在两种共振耦合模式。该研究结果为将来开发ZnO基纳米发光器件提供了一条新的途径。
- 徐天宁李佳李翔隋成华吴惠桢
- 关键词：AG纳米线
