重庆市教育委员会科学技术研究项目(KJ070804)
- 作品数：6 被引量：13H指数：2
- 相关作者：杨晓红闫勇彦孙彩芹张召涛马勇更多>>
- 相关机构：重庆师范大学更多>>
- 发文基金：重庆市教育委员会科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信理学更多>>
- 热处理对WO_3薄膜光学性质的影响被引量：5
- 2008年
- 直流反应磁控溅射法制备了WO3薄膜,薄膜在723K纯N2气中被退火处理。热处理前WO3薄膜为无定形态,热处理后为多晶态。采用透射谱和单谐振子模型获得了薄膜的折射率和消光系数,得到退火前后谐振子能量分别为5.77和5.28eV,色散能为19.9和15.9eV。分析表明退火前后吸收边附近均表现出间接带隙的两段线性关系,间接带隙分别为3.14和2.96eV,声子能量为32和149meV,退火后带隙减小推测可能是由于退火薄膜晶化,氧填隙粒子导致的带尾态效应消失的结果。
- 杨晓红孙彩琴闫勇彦
- 关键词：退火光学常数
- 氧浓度对磁控溅射Ti/WO_3薄膜光学性能的影响被引量：2
- 2009年
- 在不同氧浓度下,采用直流反应磁控溅射技术在玻璃基片上制备了Ti掺杂的WO3薄膜并在450℃退火。用X射线衍射(XRD)、分光光度计、台阶仪等对薄膜的结构和光学性质进行表征,分析了不同氧浓度对气敏薄膜的透光率、微结构及光学带隙的影响。结果表明,氧浓度增大,沉积速率越慢,膜厚度减小,薄膜的平均晶粒尺寸增大,晶面间距增大;透射率曲线随着氧浓度的增加逐渐向短波方向移动,表明薄膜的光学带隙宽度随氧浓度的增大而变大。
- 孙彩芹杨晓红闫勇彦张召涛
- 关键词：直流磁控溅射氧浓度透射率
- 退火温度对WO_3薄膜结构及气敏性能的影响
- 2009年
- 采用直流磁控溅射法制备了WO3薄膜，并在350—550℃时对薄膜进行退火处理，研究了退火温度对薄膜结构及气敏性能的影响。结果表明：退火前及350℃退火后的薄膜为非晶态，450℃和550℃退火后的薄膜为WO3-x型晶态；随退火温度的提高，薄膜厚度增加，晶粒度增大。550℃退火后薄膜的厚度，较450℃退火后薄膜厚30nm，晶粒度相差8nm；450℃和550℃退火后的薄膜，在150℃时对体积分数为0．05％的NO2的灵敏度接近于22。
- 杨晓红马勇康庆
- 关键词：WO3薄膜退火晶体结构气敏性能
- 纳米WO_3材料的制备及掺杂改性进展被引量：5
- 2009年
- 纳米WO3是过渡金属化合物半导体,因其具有良好的电致变色、气致变色、光致变色、气敏特性而得到广泛地应用和研究。通过不同的掺杂方法、掺杂物和合理的掺杂量可实现材料改性。本文结合近年来国内外相关文献,综述了纳米WO3材料的研究现状和进展,重点概述了纳米WO3基超细粉体和薄膜的常见制备方法(沉淀法、微乳液法、溅射镀膜法和溶胶-凝胶法)并对不同制备方法的优缺点进行比较;介绍了不同掺杂对纳米WO3基材料的改性进展,尤其是掺杂对WO3材料电致变色、气敏特性以及催化性能方面的影响及应用进行了较为详细的综述,WO3适度的掺杂提供了更多的电子(或空穴),提高了电导率,对WO3的性能产生影响;最后对纳米WO3材料的发展前景进行了展望。
- 孙彩芹杨晓红闫勇彦
- 关键词：纳米WO3掺杂
- 掺杂ZnO薄膜发光特性的研究进展被引量：1
- 2010年
- ZnO薄膜是一种Ⅱ～Ⅵ族的宽禁带半导体材料,在发光二极管和激光二极管方面极有希望取代GaN材料,成为一种全新的候选材料。通过对薄膜的掺杂,可以获得有望取代现有的氧化铟锡材料的高电导率的透明导电膜,在平板显示器、太阳能电池等光电器件中具有巨大的应用前景。
- 张爱民
- 关键词：掺杂ZNO薄膜光致发光
- 磁控溅射Ti/WO_3薄膜的微结构及光学性能
- 2008年
- 采用直流反应磁控溅射技术在玻璃基片上制备不同氧分压的Ti掺杂的WO3薄膜。用X射线衍射(XRD)、分光光度计、台阶仪等对薄膜的结构、光学性质进行表征;分析不同的氧分压对气敏薄膜透光率和结构的影响。结果表明,氧分压增大,膜厚减小,薄膜的平均晶粒尺寸增大,晶面间距增大,光学带隙变小。并用包络线法和经验公式法计算出薄膜的光学常数,结果表明,折射率和消光系数随氧分压的增加而增大。
- 张召涛杨晓红马勇孙彩芹闫勇彦
- 关键词：磁控溅射微结构光学常数
