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溴掺杂对PEDOT/PSS薄膜性能的影响及机理研究: 2011年; 为改善聚乙撑二氧噻吩∶聚(对苯乙烯磺酸)根阴离子(PEDOT/PSS)薄膜的光学及电学性能,采用共混-旋涂法在石英玻片上制备出溴掺杂的PEDOT/PSS透明导电膜,并就其掺杂导电机理进行了探讨.结果表明:经微量溴掺杂后的PEDOT/PSS薄膜,其透光性能与导电性能均得到提高;质量分数6%溴掺杂条件下,薄膜透光率为95.11%,电导率为77 S/cm,较未掺杂薄膜分别提高了2.5%和295%;经霍尔效应分析仪、傅立叶变换拉曼光谱、原子力显微镜分析可知,掺杂前后薄膜电学性能变化主要源于HBrO与Br2对PEDOT主链的氧化效应.; 李蛟刘俊成高从堦; 关键词：溴掺杂导电

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博士科研启动基金(4041410010)