国家高技术研究发展计划(2006AA04Z322)
- 作品数：4 被引量：23H指数：2
- 相关作者：何涛李积英丁玉成刘红忠卢秉恒更多>>
- 相关机构：兰州交通大学西安交通大学山东大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划山东省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信交通运输工程自动化与计算机技术更多>>
- 纳米压印光刻模具制作技术研究进展及其发展趋势被引量：17
- 2009年
- 模具是纳米压印光刻(Nanoimprint lithography,NIL)与传统光学光刻工艺最大的区别所在,模具作为压印特征的初始载体直接决定着压印图型的质量,要实现高质量的压印复型,必须要有高质量的压印模具。不同于传统光学光刻使用的掩模(4X),纳米压印光刻使用的是1X模版,它在模具制作、检查和修复技术面临更大挑战。当前,模具的制作已经成为NIL最大的技术瓶颈,而且随着纳米压印光刻研究的日益深入以及应用领域的不断扩大,NIL模具的制造将变的越来越重要并面临着更加严峻的挑战。因此,模具的制造已经成为当前纳米压印光刻一个最重要的研究热点,纳米压印光刻发展的历史也是压印模具不断发展创新的历史。综述了当前国内外各种纳米压印光刻模具制作技术研究进展,并指出三维模具、大面积模具和高分辨率模具的制作、模具缺陷的检查和修复是当前及其将来最迫切的需求、最主要的研究热点和挑战。
- 兰红波丁玉成刘红忠卢秉恒
- 关键词：纳米压印光刻
- 基于全电子设计方案的区域计算机联锁系统被引量：5
- 2009年
- 介绍了基于全电子设计方案的区域性计算机联锁控制系统的技术方案和系统构成。详细阐述了系统中主控站和被控站设备的组成、功能和特点,给出了系统详细的结构框图。系统对于降低工程造价、充分发挥计算机性能、提高运输组织效率具有重要作用。
- 谢利民李积英何涛
- 关键词：铁路信号区域计算机联锁
- 退火气氛对铝诱导a-Si薄膜结晶过程的影响被引量：1
- 2008年
- 以玻璃为衬底,室温条件下采用直流磁控溅射技术制备了Glass/Al/a-Si样品.在H2,N2和空气3种不同气氛中进行了退火处理.分别采用XRD,Raman光谱和SEM研究了退火气氛对a-Si薄膜铝诱导晶化(AIC)过程的影响.XRD实验结果表明:a-Si薄膜在H2气氛中400℃下经过90min的退火处理就能得到结晶较好的poly-Si薄膜.Raman光谱实验结果表明:在500℃下退火处理,相同时间内H2气氛中a-Si结晶程度最好,空气气氛中结晶程度最差.这是因为高温H2退火过程中,高活性H原子能将弱的Si—Si键破坏,并与之反应形成强Si—Si键,使得薄膜结构更加稳定有序,同时能加速薄膜中氧的外扩散,促使薄膜晶化.
- 王成龙范多旺孙硕张福甲
- 关键词：退火晶化AIC
- 微处理器技术在移频电码化装置中的应用研究
- 2009年
- 介绍了一种以微处理器技术为核心,实现铁路信号移频发送设备智能化的方案,用来替代由分离元件构成的移频发送设备的接口电路,从方案设计思想、设备的硬件组成框图和软件设计流程等方面进行了详细的论述。该方案采用了以ATMEI公司的ATmaga128芯片为核心的微处理器技术,由于晶振的高稳定性和单片机的高可靠性及智能化,提高了原有设备的性能。
- 李积英何涛
- 关键词：铁路信号移频微处理器
