国家高技术研究发展计划(2202AA325030)
- 作品数：4 被引量：24H指数：3
- 相关作者：何知宇赵北君朱世富曾体贤卢大洲更多>>
- 相关机构：四川大学西华师范大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- CdSe晶体倍频光学参数及元件加工研究被引量：5
- 2009年
- 对红外非线性光学晶体CdSe的倍频光学参数及其元件加工进行了研究。根据非线性光学原理和折射率色散关系,从理论上计算出CdSe晶体的有效非线性系数和倍频元件相位匹配角与基频光波长(5.5～10.0μm)的调谐特性曲线,从实验上探索到一种通过解理试验和XRD定向测试,快速确定其光轴方向的晶体定向新方法。结果表明,CdSe晶体在Ⅱ类相位匹配条件下的有效非线性系数deff为d15sinθ,倍频转换效率与方位角无关;在Ⅰ类相位匹配条件下其有效非线性系数deff恒等于0,无倍频输出。根据理论计算结果,运用定向新方法,针对VUVG法生长出的外观无方向特征的CdSe晶体,经定向切割、研磨和抛光,初步加工出基频波长为9.6μm的CdSe晶体Ⅱ类相位匹配倍频元件,尺寸达9.5mm×9.5mm×18mm。
- 曾体贤赵北君朱世富何知宇陈宝军卢大洲
- 关键词：相位匹配
- CdSe晶片的红外透过率研究
- 将采用多级提纯、垂直无籽晶气相提拉法生长的CdSe晶锭切割,获得沿径向位置分布的0.8mm厚的系列晶片,利用日本SHIMAZU公司的Irpresting-21傅立叶变换红外光谱仪对该晶片组的红外透过率进行了测试。测试结果...
- 何知宇赵北君朱世富叶林森钟雨航王立苗杨慧光
- 关键词：CDSE
- 文献传递
- 气相生长硒化镉单晶体的生长速度研究
- 以晶体生长理论为基础,计算了气相提拉生长 CdSe 晶体时的生长速率．结果表明用提拉法气相生长 CdSe 晶体时,晶体的气相生长速率将会随着时间的延长以指数关系快速的趋近于提拉速度,以后不再变化．由此,在选定温场的前提下...
- 何知宇赵北君朱世富任锐温才叶林森钟雨航王立苗杨慧光
- 关键词：CDSE晶体生长
- 文献传递
- 红外非线性光学晶体CdSe生长与性能表征被引量：15
- 2009年
- 采用垂直无籽晶气相法(VUVG)生长出尺寸达φ26mm×45mm的CdSe单晶体,对CdSe晶体的稳态气相生长速率进行了深入讨论。采用气相升华法提纯后的CdSe多晶原料的X射线粉末衍射谱与PDF卡片值(65-3436)吻合,生长出的单晶体{100}和(110)面XRD衍射峰尖锐,无杂峰,且{100}面出现3级衍射峰。晶锭密度为5.74g/cm3,与理论计算值接近。退火处理后的晶片在1000～7000cm-1红外波段范围内透过率达到70%。采用VUVG法生长的CdSe单晶体,结晶性能好、结构致密、尺寸大和红外透过率高,可用于制备红外非线性光学器件。
- 曾体贤赵北君朱世富何知宇卢大洲陈宝军唐世红
- 关键词：气相生长性能表征
- 气相生长硒化镉单晶体的生长速度研究被引量：1
- 2007年
- 以晶体生长理论为基础，计算了气相提拉生长CdSe晶体时的生长速率。结果表明用提拉法气相生长CdSe晶体时，晶体的气相生长速率将会随着时间的延长以指数关系快速的趋近于提拉速度，以后不再变化。由此，在选定温场的前提下，对CdSe单晶体的气相生长速度进行了优化，确定了3mm／d的生长速度，得到了平界面生长的尺寸为Ф20mm×30mm，电阻率高达10^9Ω·cm，且未观察到深能级陷阱的优质CdSe大单晶体.
- 何知宇赵北君朱世富任锐温才叶林森钟雨航王立苗杨慧光
- 关键词：CDSE晶体生长
- CdSe晶片的红外透过率研究被引量：9
- 2007年
- 将经过多级提纯、垂直无籽晶气相输运法生长的CdSe晶锭切割,获得沿生长轴向分布的1.3mm厚晶片系列,采用日本SH IMAZU公司的IRpresting-21傅立叶变换红外光谱仪、ZC36型高阻仪及X射线能谱仪对该晶片组的红外透过率、电阻率、成份百分含量进行了测试,依据晶片对红外光的吸收机理,讨论了CdSe晶片在中红外区域透过率的理论值和影响其红外透过率的主要因素,研究了红外透过率与晶片性能的内在联系,为探测器级CdSe晶片的筛选提供了一种简便有效的方法。
- 何知宇赵北君朱世富叶林森钟雨航王立苗杨慧光曾体贤
- 关键词：探测器材料红外光谱
