国家自然科学基金(50372057)
- 作品数：12 被引量：49H指数：3
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- 相关机构：浙江大学武汉军械士官学校更多>>
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- 相关领域：一般工业技术理学电子电信电气工程更多>>
- 常压化学气相沉积方法在玻璃基板上制备TiSi2薄膜的研究
- 随着超大规模集成电路(ULSI)的快速发展,设备和器件尺寸越来越小,器件的寄生电阻对器件的不利影响越来越大,TiSi2由于具有高导、高温稳定性并与目前制造工艺相符的优点而广泛应用于ULSI中的金属氧化物半导体(MOS)、...
- 杜军杜丕一韩高荣翁文剑汪建勋
- 文献传递
- PECVD法制备a-Si_(1-x)C_x∶H薄膜的结构及光学性能研究被引量：3
- 2005年
- aSi1xCx∶H的禁带宽度能随着薄膜中碳和氢的含量的变化而发生改变。深入了解薄膜中的键合情况及其对薄膜光学带隙的影响尤为重要。本文采用PECVD法,以硅烷(SiH4)和甲烷(CH4)为反应气源,通过选用不同的沉积功率及不同的组成制备出aSi1xCx∶H薄膜,并采用红外光谱、喇曼光谱及紫外可见光谱等分析测试手段对薄膜中SiC键的形成及其对光学能隙的影响进行了研究分析。分析表明SiC键的形成几率及SiC键的形成能力随着C和Si的含量接近而显著增加,SiC键随着沉积功率的提高显著增加。研究得出,薄膜的光学能隙Eg受到aSi1xCx∶H薄膜中的键合情况及薄膜缺陷态的影响。Eg随着薄膜中SiC键含量的增加而变大,随着薄膜中的H含量的减少缺陷态的增加而减小。
- 张翼英杜丕一韩高荣翁文剑汪建勋
- 关键词：光学带隙
- 溶胶凝胶法制备Bi掺杂PST薄膜及结构研究
- ＜正＞铁电材料已经在许多领域得到了广泛的应用。其中,（Pb,Sr）TiO3（PST）体系以其低结晶温度、高介电常数和优异的介电常数可调性,有望在微波可调器件方面得到新的应用。与其它介电材料相似,在PST材料中掺杂,有望进...
- 赵永林杜丕一翁文剑韩高荣
- 文献传递
- 溶胶直接自蔓燃法制备NiZn铁氧体粉末研究被引量：16
- 2005年
- 以柠檬酸铁或硝酸铁、硝酸锌、硝酸镍和柠檬酸为原料,利用溶胶直接自蔓延燃烧反应成功制备了尖晶石结构的NiZn铁氧体粉末.研究结果表明,溶胶直接自蔓延燃烧法形成的NiZn铁氧体粉末的颗粒尺寸总体较小,在含柠檬酸铁体系中晶粒平均尺寸仅为16～23nm,当柠檬酸量与金属盐总量的摩尔比为2时,形成的NiZn铁氧体粉末晶粒尺寸达最大.溶胶直接自蔓延燃烧法得到的NiZn铁氧体粉末的饱和磁化强度相对较小,约为10.54emu/g,矫顽力较大,约为412.5Oe .
- 黄文艳杜丕一翁文剑韩高荣
- 关键词：NIZN铁氧体自蔓延燃烧
- sol-gel法原位复合PbTiO3/镍铅铁氧体复相粉体材料的制备研究
- 铁电-铁磁复合材料是一种具有磁电转换功能的新材料,它由两种单相材料——铁电相与铁磁相经一定方法复合而成的。铁电-铁磁复合材料的磁电转换功能是通过铁电相与铁磁相的乘积效应(即磁电效应)实现的。由于铁电-铁磁复合材料既有铁电...
- 董艳玲杜丕一翁文剑韩高荣沈鸽
- 关键词：PBTIO3NIFE2O4
- 文献传递
- 磁控溅射法制备具有同质缓冲层的PST薄膜被引量：1
- 2008年
- 采用射频磁控溅射法制备了以低功率溅射得到的PbxSr1-xTiO3(PST)薄膜为缓冲层(同质缓冲层)的PST双层薄膜。通过X-射线衍射、扫描电镜、阻抗分析仪和铁电分析仪对薄膜相结构、表面形貌、介电损耗和铁电性能进行了测试分析。结果表明,以低功率溅射得到的PST薄膜作为同质缓冲层的双层薄膜可减少薄膜的缺陷,从而有效降低介电损耗。
- 李敏睿杜丕一袁东升王问斯
- 关键词：铁电薄膜磁控溅射
- Mg掺杂PST薄膜的溶胶-凝胶法制备及晶相形成研究被引量：6
- 2005年
- 利用溶胶-凝胶法成功制备了Mg掺杂Pb0.4Sr0.6MgxTi1-xO3-x薄膜,利用x射线衍射仪对薄膜的物相和结构进行了分析,用扫描电子显微镜对薄膜的形貌和断面等进行了观察.研究结果表明,薄膜以立方钙钛矿为晶相,薄膜中晶相以团聚状颗粒存在,晶相含量受热处理条件和Mg的掺杂量所控制.Mg掺杂对Pb0.4Sr0.6MgxTi1-xO3-x薄膜晶相含量的影响与钙钛矿中的氧空位缺陷相关.在一定的掺杂范围内,由掺杂引起晶相的晶格畸变较小时,体系掺Mg平衡了晶体内本征氧空位引入的电荷不平衡,使晶相更为稳定,析晶能力提高,晶体形成量随掺杂浓度的提高而提高.当掺杂浓度达到一定量时,随着Mg掺杂浓度增加,一方面使形成晶体时杂质浓度增加造成参与形成晶相的组成含量下降,另一方面使进入钙钛矿结构的Mg增加,氧空位大量增加使畸变程度提高,形成的晶相不稳定,析晶能力下降,晶体含量随掺杂Mg浓度的增加而不增反降.在相同条件下制备的Pb0.4Sr0.6MgxTi1-xO3-x薄膜中Mg掺量约为x=0.01时,得到的钙钛矿相含量最高,本征氧缺陷所带入的正电荷和Mg引入时带入的负电荷间达到平衡.此外,Mg的掺入还影响到析晶与热处理过程之间的关系.在高Mg掺量范围,Mg含量越高,形成的晶相越不稳定,热处理时间越长,使热处理过程中分解的晶相量越多,随Mg掺量越高和热处理时间越长,薄膜中晶相含量越低.
- 杜丕一隋帅翁文剑韩高荣汪建勋
- 关键词：溶胶-凝胶法PST钙钛矿结构扫描电子显微镜
- 预极化对PST薄膜介电可调性的影响
- 2008年
- 采用溶胶凝胶工艺,在ITO透明导电玻璃基板上成功地制备了Zn掺杂的Pb0.4Sr0.6TiO3(PST)铁电薄膜。利用XRD测定了薄膜的相结构,精密阻抗分析仪研究了薄膜的介电性能。在不同外加直流电场下测试Zn掺杂PST薄膜的介电性能,研究薄膜的介电可调性大小与外加偏压施加顺序的关系。结果表明,该薄膜呈现单一的钙钛矿相结构。发现了在预先施加一个相对较高的预极化电场,薄膜在零电场下的介电常数得到了提高。预极化能更多地激发出介电薄膜中偶极子数目,增大了薄膜在零偏压处的介电常数,从而提高了薄膜的介电可调性,在不同的测试电压下可分别从提高3%到提高45%不等,测试电压越低,表现出来的这种提高就越大。
- 郑赞杜丕一赵冉翁文剑韩高荣
- Mg掺杂Pb_(0.3)Sr_(0.7)(Ti_(1-x)Mg_xO)_(3-x)陶瓷薄膜的制备及介电性能研究被引量：1
- 2008年
- 利用固相烧结法制备的Mg掺杂Pb_(0.3)Sr_(0.7)(Ti_(1-x)Mg_x)O_(3-x)(PST)陶瓷为靶材,采用射频磁控溅射法在ITO玻璃基板上成功制备了Mg掺杂PST薄膜。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和阻抗分析仪分别测定PST薄膜的物相结构、表面形貌及介电性能。结果显示,薄膜具有良好的钙钛矿结构,无明显的择优取向生成,薄膜表面均匀致密。Mg的掺杂改善了PST薄膜电容值的频率特性,使其更加稳定。薄膜电容值随着掺杂含量的增加而降低,在Mg掺杂量x=0.05左右时达到相对最低值,随后略有升高,介电损耗也有类似现象。薄膜可调性受Mg掺杂量的增加而不断下降,总体下降约3倍,但介电损耗总体下降约达5倍。材料的优值在Mg掺杂量x=0.05时反而有所升高。
- 陈敬峰杜丕一覃莹翁文剑韩高荣
- 关键词：射频磁控溅射介电性能
- 乙炔黑含量对超高介电常数钛酸钡/乙炔黑复相材料介电性能的影响研究
- ＜正＞功能复相材料是一类可以在保持原来成分的部分功能的基础上产生某些新性能的材料。由导电微粒分散剑电介质基体中所构成的复相材料体系,利用其介电性能随导电粒子含量的变化所产生的“渗流效应”,可改变这种复相材料导电性并大大提...
- 黄集权杜丕一翁文剑韩高荣
- 文献传递
