国家重点基础研究发展计划(2011CBA00605)
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 相关作者：尹海洲刘洪刚许静王盛凯张亚楼更多>>
- 相关机构：中国科学院微电子研究所桂林电子科技大学中国科学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划中国科学院“百人计划”国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 使用非对称内表面氧化层的MOS管性能优化被引量：1
- 2014年
- 提出了一种用来提高短沟道MOS管性能的非对称内表面氧化层结构。该结构是在MOS管的源端附近生长一层厚的内表面氧化层，以抑制载流子迁移率的降低，同时，在MOS管的漏端附近生长一层薄的内表面氧化层，以抑制器件的短沟道效应。使用TCAD软件进行仿真和分析，结果显示，与对称内表面氧化层结构相比，非对称内表面氧化层结构具有更好的导通一关断特性。对器件进行优化，当源端较厚的内表面氧化层占总氧化层的比例为15％左右时，器件的性能得到最大幅度的提高。在相同的关断电流下，与对称内表面氧化层器件相比，非对称内表面氧化层器件的导通电流提高5%～15%。
- 于伟泽尹海洲骆志炯朱慧珑梁擎擎许静
- 关键词：半导体器件短沟道效应
- InP表面氮化对Al_2O_3/InP金属氧化物半导体电容界面特性及漏电特性的影响被引量：1
- 2016年
- 采用原子层沉积系统中自带的等离子体发生器产生N_2等离子体直接处理InP表面,系统地研究了氮化对Al_2O_3/InP金属氧化物半导体(MOS)电容界面特性及栅漏电特性的影响。实验结果表明,氮化能有效降低界面缺陷密度和边界缺陷密度,抑制InP表面自然氧化物的形成,改善界面质量,提高Al_2O_3/InP MOS电容的电学性能。氮化之后,在Al_2O_3/InP界面会形成一个约为0.8 nm厚的界面层,积累区频散由7.8%降低至3.5%,滞回由130减小至60 mV,界面缺陷密度由5×10^(12)降低至2×10^(12)cm^(-2)·eV^(-1),边界缺陷密度由9×10^(11)降低至5.85×10^(11)V^(-1)cm^(-2),栅漏电流由9×10^(-5)降低至2.5×10^(-7)A/cm^2,这些数据充分证明了采用N_2等离子体直接处理InP表面来钝化Al_2O_3/InP界面的方法是有效的。
- 曹明民林子曾王盛凯李琦肖功利高喜刘洪刚李海鸥
- 关键词：滞回频散漏电流
- 高迁移率In0.6Ga0.4As沟道MOSHEMT与MOSFET器件特性的研究被引量：1
- 2012年
- 从模拟和实验两个方面对高迁移率In_(0.6)Ga_(0.4)As沟道金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOSHEMT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件开展研究工作.研宄发现InAlAs势垒层对Ino_(0.6)Ga_(0.4)AsMOSHEMT的特性具有重要影响.与Ino_(0.6)Ga_(0.4)As MOSFET相比,Ino_(0.6)Ga_(0.4)As MOSHEMT表现出优异的电学特性.实验结果表明,In_(0.6)Ga_(0.4)As MOSHEMT的有效沟道迁移率达到2812 cm^2/V.s^(-1),是In_(0.6)Ga_(0.4)As MOSFET的3.2倍.0.02 mm栅长的MOSHEMT器件较相同栅长的MOSFET器件具有更高的驱动电流、更大的跨导峰值、更大的开关比、更高的击穿电压和更小的亚阈值摆幅.
- 常虎东孙兵卢力赵威王盛凯王文新刘洪刚
- 关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管INGAASAL2O3
- 硅基不同晶面上的空穴迁移率研究被引量：1
- 2013年
- 近年来,金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的特征尺寸减小并进入纳米尺度,为了改善器件的短沟道效应,器件由原来的平面结构改为立体结构。而在立体结构器件中,沟道由不同于传统Si(100)晶面的Si晶面所组成。因此,为了了解不同Si晶面上器件反型层空穴迁移率的变化情况,在不同晶面Si衬底上分别制作了pMOSFET,并研究了器件的空穴迁移率。采用Split C-V方法测试了Si(100),(110),(111)和(112)晶面上器件的空穴迁移率。结果表明,Si(110)晶面上的空穴迁移率最大,Si(112)晶面上<111>沟道方向空穴迁移率比(110)晶面上空穴迁移率小,而略大于(100)和(111)晶面上的空穴迁移率,(100)晶面上的空穴迁移率最小。
- 张亚楼蒋葳刘云飞许静尹海洲
- 关键词：空穴迁移率晶面
