天津市自然科学基金(0438014211)
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
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- 相关机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金河北省教育厅科学技术研究计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 碱性抛光液对硬盘基板抛光中表面状况的影响被引量：2
- 2008年
- 阐述了化学机械抛光(CMP)技术在硬盘基板加工中发挥的重要作用,介绍了SiO2碱性抛光液的化学机械抛光机理以及抛光液在化学机械抛光中发挥的重要作用。使用河北工业大学研制的SiO2碱性抛光液对硬盘基板表面抛光,分析研究了抛光液中的浓度、表面活性剂以及去除量对抛光后硬盘基板表面状况的影响机理。总结了硬盘基板表面粗糙度随抛光液中的浓度、表面活性剂及去除量的变化规律以及抛光液的这些参数如何影响到硬盘基板的表面状况。在总结和分析这些规律的基础上,对抛光结果进行了检测。经检测得出,改善抛光后的硬盘基板表面质量(Ra=0.3926nm,Rrms=0.4953nm)取得了显著效果。
- 唐文栋刘玉岭宁培桓田军
- 关键词：硬盘基板化学机械抛光抛光液粗糙度波纹度
- 碱性条件下硬盘NiP基板抛光速率正交试验分析被引量：1
- 2010年
- 利用单面抛光机和SiO2碱性抛光液进行了以硬盘NiP基板CMP去除速率为考核指标的工艺试验。针对抛光速率是受各个工艺因素共同影响这一特性,应用正交试验方法分析了CMP中5个重要工艺参数(抛光压力、抛光液流量、抛光盘转速、抛光液浓度,氧化剂质量分数)对硬盘NiP基板抛光去除速率的影响规律,并结合抛光机理对其进行了分析。试验分析表明,抛光压力为0.2 MPa,抛光液流量为500 mL/min,抛光盘转速为50 r/min,磨料质量分数为20%,氧化剂体积分数为0.3%时,可以得到较高的抛光速率,为740 nm/min。
- 项霞刘玉岭刘金玉穆会来
- 关键词：化学机械抛光碱性抛光液抛光速率正交试验
- 碱性条件下硬盘基板两步抛光法的实验研究被引量：1
- 2010年
- 在对硬盘基板CMP机理进行分析后,采用河北工业大学研制的计算机硬盘抛光专用碱性抛光液,选择氧化剂添加量、抛光压力两个重要参数分别进行实验,讨论它们在两步抛光方法中的重要作用。总结实验结果后,得出了上述两个参数在两步抛光方法中的影响规律,提出粗抛光中,应该采用较高氧化剂添加量和抛光压力以得到较高的去除速率和一定的表面质量;精抛光中,应该采用低氧化剂含量、低抛光压力以得到较完美的表面质量。用此方法抛光,较好地解决了当前硬盘基板加工中抛光速率与表面质量之间的矛盾。
- 孙业林刘玉岭刘效岩魏恒谢竹石
- 关键词：去除速率粗糙度氧化剂
