国防科技技术预先研究基金(41312040402)
- 作品数：6 被引量：20H指数：3
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- 蓝宝石衬底上制备氮化硅薄膜的研究
- 2005年
- 采用射频磁控反应溅射法在蓝宝石和硅衬底上制备出Si3N4薄膜。利用XPS和FTIR分析了所制备薄膜的成分和结构,讨论了工艺参数对沉积速率的影响。结果表明,Si3N4薄膜的沉积速率随溅射气压的增大出现先增后减的趋势,衬底温度对沉积速率没有明显的影响。溅射气压的降低、衬底温度的提高将有利于获得高质量的Si3N4薄膜。
- 宋文燕刘正堂崔虎李强赵铁成
- 关键词：磁控反应溅射蓝宝石氮化硅薄膜沉积速率
- SiO_2薄膜对蓝宝石表面及高温强度的改善被引量：7
- 2006年
- 蓝宝石具有一系列优异的光学和力学性能,使其成为红外透过窗口与头罩中备受青睐的材料．然而随温度的升高蓝宝石沿c轴的抗压强度急剧降低,大大限制了蓝宝石的抗热震等许多性能．提高蓝宝石高温强度的研究已成为蓝宝石在高速、高温应用中一个亟待解决的重要课题．本文采用射频磁控反应溅射法在蓝宝石衬底上制备了SiO2涂层．利用三点弯曲法测试了镀膜及未镀膜蓝宝石试样的室温及高温抗弯强度,测量了镀膜前后蓝宝石试样的表面形貌及粗糙度,采用压痕裂纹法分析了镀膜前后蓝宝石的表面残余应力．结果表明,镀SiO2薄膜可以改善蓝宝石的表面形貌,降低表面粗糙度,同时改变蓝宝石的表面应力．在800℃,镀膜蓝宝石的抗弯强度是未镀膜蓝宝石的1．5倍．
- 冯丽萍刘正堂
- 关键词：蓝宝石SIO2薄膜表面形貌高温强度
- 蓝宝石和硅衬底上氮化硅薄膜的制备和性能研究被引量：1
- 2006年
- 采用射频磁控反应溅射法,以高纯Si为靶材,高纯N2气为反应气体,在蓝宝石和硅衬底上制备了氮化硅薄膜。并对Si3N4薄膜的沉积速率、成分、结构及红外光学性能等进行了研究。实验结果表明,沉积薄膜中Si和N的比接近3∶4,形成了Si3N4化合物,呈非晶态结构。制备的Si3N4薄膜的硬度明显高于蓝宝石衬底的硬度,且与蓝宝石衬底结合牢固,可提供良好的保护性能。
- 宋文燕崔虎苏勋家刘正堂
- 关键词：磁控反应溅射蓝宝石氮化硅薄膜
- 蓝宝石衬底上SiO_2薄膜的制备与光学性能被引量：4
- 2004年
- 以硅单晶为靶材 ,高纯的Ar和O2 气分别为溅射气体和反应气体 ,采用射频磁控反应溅射法 ,在蓝宝石衬底上制备了SiO2 薄膜 ,溅射的工艺参数范围是 :射频功率为 5 0～ 1 0 0W ,样品托背面温度为 2 5～ 40 0℃ ,沉积速率为 4～ 6nm/min。对影响薄膜质量的工艺参数进行了分析 ,探索出使蓝宝石镀膜后的红外透过率有最大幅度提高的最佳工艺条件。结果表明 ,所制备的SiO2 薄膜与蓝宝石衬底结合牢固 ;在 3～ 5 μm波段对蓝宝石衬底有明显的增透作用。与其它镀膜技术相比 ,射频磁控反应溅射法可以在较低的温度下制备出SiO2 薄膜。
- 冯丽萍刘正堂孙金池崔虎
- 关键词：二氧化硅薄膜蓝宝石磁控反应溅射
- 提高蓝宝石高温强度和透过率的研究被引量：8
- 2007年
- 在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上利用射频磁控反应溅射法制备出SiO2/Si3N4双层增透膜系,并对镀膜后的蓝宝石进行了高温强度测试及其透过率的研究.研究表明:镀膜后蓝宝石的高温强度和透过率均有明显提高;800℃时,镀膜蓝宝石的高温强度比未镀膜提高了41.0%;在3-5μm波段范围内,室温下镀膜后透过率比镀膜前提高8.0%;SiO2/Si3N4膜系具有较高的热稳定性,且与蓝宝石衬底附着良好.
- 李强刘正堂冯丽萍宋文燕张兴刚闫锋
- 关键词：磁控溅射蓝宝石高温强度透过率
- 提高蓝宝石高温强度和红外透过率的镀膜法研究被引量：3
- 2006年
- 采用射频磁控反应溅射法,以高纯Si为靶材,高纯O2和N2气为反应气体,在蓝宝石衬底上制备了氧化硅和氮化硅薄膜。讨论了N2气流量、射频功率、溅射气压和靶基距等工艺参数对Si3N4薄膜沉积速率的影响规律。结果表明:随N2气流量的增加,沉积速率先降低,最后趋于稳定;随射频功率增加,沉积速率增加;随溅射气压和靶基距增加,沉积速率先增后减。同时,高温强度试验和FTIR测试结果表明:在800℃时,镀膜后蓝宝石的弯曲强度比镀膜前提高了50.2%;平均透过率净增加8%以上,达到了很好的增透保护效果。
- 宋文燕崔虎刘正堂冯丽萍
- 关键词：蓝宝石氮化硅高温强度透过率镀膜
