江西省教育厅资助项目(GJJ08380)
- 作品数：2 被引量：5H指数：1
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- 发文基金：江西省教育厅资助项目江西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 平面工艺IGBT制作及导通压降的PIN模型计算被引量：1
- 2009年
- 以硅平面工艺生产设备为基础，设计制作了基于外延衬底的IGBT器件，器件的实测输出电流-电压特性良好，阈值电压在3．7～4．8V之间．将制作IGBT器件的结构和工艺参数代入PIN二极管模型计算其正向导通压降，并将计算结果与器件的实测参数进行了比较．结果表明：小电流区段符合较好；但大电流区段由于模型简化和测试系统寄生串联电阻的影响出现偏差，对于同一导通电流，计算值比实测值约小8％．
- 袁寿财刘亚媚
- 关键词：绝缘栅双极晶体管
- CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较被引量：4
- 2008年
- 为了克服传统功率MOS导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或CoolMOS,CoolMOS由一系列的P型和N型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p型和n型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p型和n型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS横向器件:Ron.A=C.V2B,对纵向器件:Ron.A=C.VB,与纵向DMOS导通电阻与击穿电压之间Ron.A=C.V2B.5的关系相比,CoolMOS的导通电阻降低了约两个数量级。
- 袁寿财刘亚媚
- 关键词：COOLMOS导通电阻击穿电压VDMOS
