国家自然科学基金(69876037)
- 作品数：4 被引量：13H指数：2
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- 相关机构：中国科学院北京师范大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 半绝缘 GaAs的表面光伏谱研究被引量：3
- 2000年
- 利用表面光伏法(SPV)研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)的缺陷态.通过加直流光偏置测量了室温下带边以下的光伏响应,发现带隙内缺陷态的光伏响应主要是由于表面复合而在样品表面形成载流子浓度梯度引起的,通过实验表明SPV是一种对SI-GaAs晶片表面质量进行检测的非常灵敏的无损检测方法.
- 陈宜保江德生王若桢郑红军孙宝权
- 关键词：无损检测砷化镓半导体
- 玻璃中CdSeS量子点的结构和光学性质被引量：10
- 2001年
- 用两步退火法在掺 Cd Se S的玻璃中制备了高密度的量子点 ,均匀性较好 .量子点尺寸随第二步退火时间加长而增大 ,但组份基本不变 .研究了量子点光学性质与退火时间的依赖关系 ,证明光致发光谱中的低能峰与量子点表面缺陷态有关 .量子点尺寸越小 ,比表面积越大 。
- 江德生李国华韩和相贾锐孙宝权王若桢孙萍
- 关键词：量子点光学性质
- GaInNAs/GaAs量子阱的光致发光谱和光调制反射谱
- 2002年
- 研究了 Ga In NAs/Ga As多量子阱在不同温度和激发功率下的光致发光 (PL )谱以及光调制反射 (PR)谱 .发现 PL谱主发光峰的能量位置随温度的变化不满足 Varshni关系 ,而是呈现出反常的 S型温度依赖关系 .进一步测量 ,特别是在较低的激发光功率密度下 ,发现有两个不同来源的发光峰 ,它们分别对应于氮引起的杂质束缚态和带间的激子复合发光 .随温度变化 ,这两个发光峰相对强度发生变化 ,造成主峰 (最强的峰 )的位置发生切换 ,从而导致表观上的 S型温度依赖关系 .
- 梁晓甘江德生边历峰潘钟李联合吴荣汉
- 关键词：光致发光谱氮化物
- 玻璃球形微腔中量子点发光行为研究
- 2001年
- 制备出了尺寸在 μm量级的球形玻璃微腔 ,在球形微腔中嵌入了 Cd Se S半导体纳米团簇结构 .用一束激光激发单个微球时 ,球形微腔中 Cd Se S量子点的发光通过全内反射实现了球形回音壁模式的腔模共振 。
- 贾锐江德生陈京好谭平恒孙宝权张敬波林源
- 关键词：玻璃微球量子点回音壁模式镉硒硫
