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安徽省教育厅科学研究项目(2005KJ224)

作品数:11 被引量:38H指数:4
相关作者:孟凡明孙兆奇更多>>
相关机构:安徽大学更多>>
发文基金:安徽省教育厅科学研究项目安徽省高等学校教学研究基金安徽省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信化学工程理学更多>>

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 4篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 12篇压敏
  • 9篇压敏电压
  • 8篇陶瓷
  • 6篇压敏陶瓷
  • 5篇介电
  • 5篇介电常数
  • 4篇氧化钛
  • 4篇二氧化钛
  • 4篇TIO
  • 3篇电容
  • 3篇电容量
  • 3篇势垒
  • 3篇势垒高度
  • 3篇半导化
  • 2篇导电
  • 2篇导电机理
  • 2篇电子技术
  • 2篇氧化钛陶瓷
  • 2篇二氧化钛陶瓷
  • 2篇粉料

机构

  • 14篇安徽大学

作者

  • 14篇孟凡明
  • 5篇孙兆奇

传媒

  • 3篇压电与声光
  • 3篇电子元件与材...
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇安徽大学学报...
  • 1篇功能材料
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇安徽电子信息...

年份

  • 1篇2007
  • 8篇2006
  • 5篇2005
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
不同烧结工艺对TiO_2基压敏陶瓷电性能的影响被引量:4
2005年
分别采取四种不同的工艺过程,按照配方TiO2+0.3mol%(SrCO3+Bi2O3+SiO2)+0.075mol%Ta2O5制备四种试样。通过压敏电压、非线性系数、复阻抗特性、伏安特性、势垒高度、介电频率特性和损耗频率特性的测定,研究了一次烧成、粉料预烧及预烧方式对TiO2基压敏陶瓷电性能的不同影响。结果表明,采取一次烧成工艺制备的试样具有压敏电压较低(E10mA=7.9V·mm-1)、介电常数较大(εra=5.88×104)等特性,并从理论上对此作出一定的分析。
孟凡明
关键词:压敏电压介电常数半导化损耗
粉料埋烧对二氧化钛陶瓷压敏和介电性能的影响
基于一次烧结工艺,采用埋烧和裸烧两种方法制备组分相同的(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2陶瓷。通过I-V特性、非线性系数、介电常数的测量,研究埋烧与裸烧工艺对TiO2陶瓷的电性能的影响。结果表明,采取粉料埋烧可以明...
孟凡明孙兆奇
关键词:压敏电压介电常数
粉料埋烧的TiO_2瓷压敏和介电性质被引量:4
2006年
基于一次烧结工艺,采用埋烧和裸烧两种方法制备组分相同的(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2陶瓷。通过I-V特性、非线性系数、介电常数的测量,研究埋烧与裸烧工艺对TiO2陶瓷的电性能的影响。结果表明,采取粉料埋烧可以明显降低压敏电压、提高介电常数。
孟凡明
关键词:TIO2压敏电压介电常数
SrTiO_3压敏材料研究进展被引量:8
2006年
SrTiO_3压敏材料的非线性伏安特性和介电性能优良,具有吸收高频噪声、前沿快速上升噪声及自复位等功能,在吸收电感性负载开关浪涌电压、保护双向可控硅开关器件、旁路电容器、微电机等方面应用广泛。本文综述了SrTiO_3压敏材料的导电机理、添加剂以及制备工艺等方面的研究现状,并对其进行了展望。
孟凡明孙兆奇
关键词:导电机理添加剂
Ta_2O_5对TiO_2基压敏陶瓷半导化的影响被引量:4
2005年
研究T a2O5对(S r,B i,S i,T a)掺杂的T iO2基压敏陶瓷半导化的影响,发现随着T a2O5增加,晶粒电阻呈现“U”字型变化规律,按照配方T iO2+0.3%(S rCO3+B i2O3+S iO2)+0.1%T a2O5(摩尔分数)配制的样品的晶粒电阻最小,这表明适当增加施主T a2O5的含量有助于材料晶粒的半导化。
孟凡明
关键词:压敏电压电容量半导化
TiO2电容-压敏陶瓷掺杂研究进展
TiO2电容一压敏陶瓷非线性伏安特性和介电性能优良,具有吸收高频噪声和过电压保护的功能。本文综述了TiO2电容-压敏陶瓷性能以及施主杂质、受主杂质、烧结助剂的研究现状,并对其进行了展望。
孟凡明孙兆奇
关键词:压敏电压介电常数烧结助剂
文献传递
粉料埋烧的TiO_2瓷半导化和电学非线性研究被引量:7
2005年
基于一次烧结工艺,采用埋烧和裸烧两种方法制备组分相同(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2陶瓷。通过复阻抗特性、晶粒电阻、晶界电阻、压敏电压、非线性系数及势垒高度的测定,研究埋烧与裸烧工艺对TiO2陶瓷的半导化以及电学非线性特性的影响。结果表明,采取粉料埋烧有利于晶粒半导化,降低压敏电压。
孟凡明
关键词:TIO2压敏陶瓷压敏电压半导化势垒高度
环形压敏电阻器及其研发现状被引量:1
2006年
介绍了环形压敏电阻器的形体结构,电极形状,导电模式及其消噪原理;分析了环形压敏电阻器的应用及研发现状;比较了各种环形压敏电阻器的优劣。正处于研究阶段的TiO2系环形压敏电阻器有望弥补SrTiO3系环形压敏电阻器和ZnO系压敏电阻器存在的不足之处。
孟凡明
关键词:电子技术环形压敏电阻器微电机压敏电压电容量
二氧化钛压敏电阻势垒高度的测定
2006年
按配方TiO2+0.3%(SrCO3+Bi2O3+SiO2)+0.075%Ta2O5,以典型的陶瓷工艺制备样品。通过I-T和I-V测量,将压敏电阻视为双向导通的二极管,应用半导体理论对低压下的I-V数据进行处理,测定了TiO2-SrCO3-Bi2O3-SiO2-Ta2O5压敏陶瓷的势垒高度?b为0.43eV。
孟凡明
关键词:材料检测与分析技术二氧化钛压敏陶瓷势垒高度
ZnO压敏材料研究进展被引量:15
2006年
氧化锌压敏电阻器具有优良的非线性伏安特性,在稳态工作电压下漏电流很小(能耗低).利用这些特性可制造各种电子器件的过电压保护、电子设备的雷击浪涌保护、负载开关的浪涌吸收等电子保护装置.综述了ZnO压敏材料的导电机理、老化、非线性功能添加剂以及制备工艺等方面的研究进展,指出ZnO压敏电阻器的发展方向为片式叠层化、低压化以及对导电机理的深入研究.
孟凡明孙兆奇
关键词:导电机理
共2页<12>
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