上海市教育委员会创新基金(09YZ221)
- 作品数：3 被引量：8H指数：1
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- 相关机构：上海理工大学上海交通大学东京大学更多>>
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- 超低温高电场下GaAs的电子太赫兹功耗谱的研究被引量：1
- 2009年
- 利用自由空间太赫兹电光取样方法,测量了在高电场下,GaAs中受飞秒激光脉冲激发的电子所辐射出的太赫兹电磁波,发现从样品中辐射出的和电子加速度成正比的太赫兹电磁波电场强度ETHz(t),表现出双极特性.通过分析GaAs中辐射出的太赫兹电磁波的傅里叶变换谱,首次实验上得到在阶跃电场下的GaAs的电子太赫兹功耗谱.研究发现,当电场小于50kV/cm时,由电子谷间散射引起的负功耗(即增益)的截止频率νc,随着电场的增大而增大;当电场大于50kV/cm时,负功耗的截止频率νc开始在750GHz(10K)附近饱和.
- 朱亦鸣贾晓轩陈麟张大伟黄元申何波涌庄松林Kaz Hirakawa
- 关键词：太赫兹非平衡载流子
- 对称金属包覆结构中反射光干涉效应的研究被引量：1
- 2010年
- 提出了一种可同时达到高对比度和高反射率的对称金属包覆结构。由于导波层的厚度是亚毫米量级,使该结构可容纳一系列共振模。利用四层波导菲涅耳公式,详细分析了耦合金属层的厚度对耦合效率的影响,给出了反射光达到最大对比度时耦合金属层厚度的最优值,并从物理的角度解释了这种现象产生的原因是对称金属包覆结构中的辐射损耗和本征损耗共同作用的结果。实验测量了对称金属包覆结构中反射光的干涉效应。结果表明,对称金属包覆结构可以大大增强反射光的干涉条纹中明、暗光线的对比度,同时光入射到对称金属包覆结构中的耦合效率可接近100%。这将有助于研究高对比度高反射率薄膜和基于对称金属包覆结构的传感器。
- 陈麟彭滟袁明辉朱亦鸣
- 关键词：波导干涉条纹衰减全反射
- 砷化镓内电子谷间散射引起的增益被引量：6
- 2010年
- 运用时域太赫兹波谱法,低温(10 K)高电场下本征砷化镓中受飞秒激光脉冲激发的电子所辐射出的太赫兹波被准确地测量出来。从样品中辐射出的和电子加速度/减速度成正比的太赫兹电磁波,表现出双极特性。通过分析砷化镓中辐射出的太赫兹波的傅里叶变换谱,在实验上得到阶跃电场下的砷化镓内因电子谷间散射而引起的增益极限频率,可以达到约750 GHz(10 K)。同时通过测量极限频率和温度的关系,发现极限频率是电子经由纵光学声子从L谷到Γ谷的散射能量弛豫过程所需要的时间决定的。通过理论计算电子在Γ谷的弹道加速、电子谷间散射和电子经由纵光学声子连续散射在Γ谷的弛豫等过程的时间得出的增益极限频率与实验值吻合得较好。
- 倪争技陈麟王淑玲张大伟何波涌朱亦鸣
- 关键词：光谱学砷化镓增益非平衡载流子
