西安应用材料创新基金(XA-AM-200704)
- 作品数：6 被引量：9H指数：2
- 相关作者：张玉明张义门郭辉汤晓燕冯倩更多>>
- 相关机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：西安应用材料创新基金国家自然科学基金国防基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- SiC晶体缺陷的阴极荧光无损表征研究被引量：1
- 2010年
- 由于在研究SiC晶体缺陷对器件性能的影响的过程中,表征材料缺陷的常用的方法是破坏性的,因此寻找一种无损的测试方法对缺陷进行有效的表征显得尤为重要。基于阴极荧光(CL)的工作原理对4H-SiC同质外延材料的晶体缺陷进行了无损测试研究。结果发现利用阴极荧光可以观测到晶体内部的堆垛层错、刃位错和螺位错以及基面位错,其阴极荧光图中的形貌分别为直角三角形、点状和短棒状。因此该方法成为SiC晶体缺陷的无损表征时的一种有效的测试方法。如果利用该方法对材料的衬底和外延层缺陷分别进行观测就能建立起衬底和外延层缺陷之间的某种联系,另外对器件工作前后的缺陷进行表征,建立器件工作前后缺陷之间的联系,就可以进一步地研究材料缺陷对器件性能影响的问题。
- 苗瑞霞张玉明汤晓燕张义门
- 关键词：4H-SIC
- 一种利用层错无损测量4H-SiC外延层厚度的方法
- 2010年
- 介绍了一种利用层错无损测量4H-SiC半导体材料外延层厚度的方法。该方法是根据4H-SiC同质外延生长中堆垛层错(stacking fault,SF)和外延层厚度的几何关系,通过测量在场发射扫描电子显微镜下观测到的SF沿[1100]方向边长的长度,计算出外延层厚度。与常用外延层厚度测量方法(红外干涉法)相比,这种无损测量方法更为简易精确。
- 苗瑞霞张玉明张义门汤晓燕
- 关键词：堆垛层错碳化硅
- N型Ni基SiC欧姆接触比接触电阻的精确求解被引量：1
- 2008年
- 精确求解一维定态薛定谔方程得到电子通过三角形势垒的隧穿几率,用其代替WKB近似计算的隧穿几率精确提取比接触电阻.针对N型Ni基SiC欧姆接触的实验结果进行了计算比较,结果表明采用该方法提取的比接触电阻比采用WKB近似计算的传统方法更加精确和符合实际情况.
- 郭辉张义门张玉明汤晓燕冯倩
- 关键词：欧姆接触比接触电阻直接隧穿WKB近似
- 4H-SiC同质外延的绿带发光与缺陷的关系被引量：5
- 2008年
- 利用室温光致发光谱(PL)对CVD法生长的4H-SiC同质外延特性进行研究,发现有绿带发光(GL)特性.用扫描电子显微镜(SEM)、二次离子质谱(SIMS)和X射线光电子谱(XPS)技术获得了4H-SiC样品纵截面形貌和元素相对含量分布.结果表明,GL与4H-SiC晶体中碳空位(VC)及络合体缺陷相关,VC和缓冲层的扩展缺陷(点缺陷和刃位错等)是GL微观来源.GL的半峰宽(FWHM)反映了参与复合发光的VC及其络合缺陷能级分散的程度.室温下获得的样品GL强度和光谱波长度可用于分析4H-SiC外延中缺陷分布和晶体质量.
- 贾仁需张义门张玉明郭辉栾苏珍
- 关键词：晶体缺陷
- LPCVD法制备的高纯半绝缘4H-SiC晶体ESR谱特性被引量：2
- 2009年
- 利用电子自旋共振波谱(ESR)仪,分析由低压化学气相沉积(LPCVD)法制备的高纯半绝缘4H-SiC材料本征缺陷.结果发现,在暗场条件下获得的缺陷信息具有碳空位(VC)及其络合物的特征;谱线具有半高宽较大、峰谷明显不对称的特点.分析认为造成ESR谱线半高宽较大及峰谷不对称现象的主要原因是测试温度较高.同时,吸收谱中峰谷不对称现象及较大半高宽现象的出现还与不对称的晶格结构及缺陷浓度的不均匀分布有关.在110K测试温度下,能级上的电子分布对ESR谱特性影响很小.
- 程萍张玉明郭辉张义门廖宇龙
- 关键词：电子自旋共振本征缺陷
- 异质结n^+多晶硅/n型4H-SiC欧姆接触的制备(英文)
- 2008年
- 从理论和实验的角度研究了n型4H-SiC上的多晶硅欧姆接触.在p型4H-SiC外延层上使用P+离子注入来形成TLM结构的n阱.使用LPCVD淀积多晶硅并通过P+离子注入及扩散进行掺杂,得到的多晶硅方块电阻为22Ω/□.得到的n+多晶硅/n-SiC欧姆接触的比接触电阻为3.82×10-5Ω.cm2,接触下的注入层的方块电阻为4.9kΩ/□.对n+多晶硅/n-SiC欧姆接触形成的机理进行了讨论.
- 郭辉冯倩汤晓燕张义门张玉明
- 关键词：欧姆接触多晶硅比接触电阻
