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安徽省科技厅重点资助项目(05021028)

作品数:1 被引量:3H指数:1
相关作者:宋学萍曹铃孙兆奇更多>>
相关机构:教育部安徽大学更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金国家自然科学基金安徽省人才开发基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇退火
  • 1篇溅射
  • 1篇TA
  • 1篇表面形貌
  • 1篇掺杂
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 1篇安徽大学
  • 1篇教育部

作者

  • 1篇孙兆奇
  • 1篇曹铃
  • 1篇宋学萍

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2010
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
掺杂浓度及退火对Ta-ZnO透明导电薄膜表面形貌的影响被引量:3
2010年
室温下采用射频磁控溅射法在硅衬底上制备了掺Ta-ZnO透明导电薄膜,并在不同温度下退火处理。利用原子力显微镜、X射线光电子能谱仪对薄膜进行了表征分析,对于不同掺杂比例的Ta-ZnO薄膜以及退火后的Ta-ZnO薄膜的表面形貌进行了研究。当掺杂比例为5%(质量分数)时,薄膜有最大平均颗粒尺寸94.46nm和最小表面粗糙度4.48nm。随着退火温度的升高,该薄膜表面粗糙度(RMS)先增加后减小,平均颗粒尺寸在94.46~118.05nm之间。
陈进军曹铃宋学萍孙兆奇
关键词:射频磁控溅射掺杂表面形貌退火
共1页<1>
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